[發(fā)明專利]金剛石電極及金剛石電極的制造方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200980138289.0
• 申請日: 2009-09-18
• 公開（公告）號: CN102159750A
• 公開（公告）日: 2011-08-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 永井達(dá)夫;池宮範(fàn)人;吉田克仁;吉田茂
• 申請（專利權(quán)）人: 栗田工業(yè)株式會社;住友電工硬質(zhì)合金株式會社
• 主分類號: C25B11/12
• 分類號: C25B11/12;C02F1/46;C23C16/27;C25B1/28;C25B11/04
• 代理公司: 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100
• 代理人: 胡燁

1.金剛石電極，其特征在于，形成膜厚為20μm以上的金剛石層。

2.如權(quán)利要求1所述的金剛石電極，其特征在于，所述金剛石層由含性質(zhì)不同的層的多個金剛石層的復(fù)合層構(gòu)成。

3.如權(quán)利要求2所述的金剛石電極，其特征在于，所述復(fù)合層中至少最表層的金剛石層的厚度為20μm以上。

4.如權(quán)利要求1～3中任一項(xiàng)所述的金剛石電極，其特征在于，由基板和被覆該基板的至少一面的所述金剛石層構(gòu)成。

5.如權(quán)利要求1～4中任一項(xiàng)所述的金剛石電極，其特征在于，在所述基板的兩面被覆所述金剛石層。

6.如權(quán)利要求5所述的金剛石電極，其特征在于，所述基板的一面的金剛石層的厚度大于20μm，所述基板的另一面的金剛石層的厚度為20μm以上，且小于所述一面的金剛石層的厚度。

7.如權(quán)利要求4～6中任一項(xiàng)所述的金剛石電極，其特征在于，所述金剛石層被覆于該基板直至所述基板的整個端面。

8.如權(quán)利要求7所述的金剛石電極，其特征在于，對所述基板的端部進(jìn)行倒角。

9.如權(quán)利要求8所述的金剛石電極，其特征在于，所述倒角的條件是倒角的大小為相對于基板的主面呈角度45°以下，倒角的寬度為基板的厚度的0.1～0.5倍。

10.如權(quán)利要求4～9中任一項(xiàng)所述的金剛石電極，其特征在于，所述基板為厚度1～6mm的導(dǎo)電性材料。

11.如權(quán)利要求4～10中任一項(xiàng)所述的金剛石電極，其特征在于，所述基板為體積電阻率1Ω·cm以下的導(dǎo)電性硅。

12.如權(quán)利要求1～11中任一項(xiàng)所述的金剛石電極，其特征在于，用作電解含有強(qiáng)氧化性物質(zhì)的電解液的電極。

13.如權(quán)利要求12所述的金剛石電極，其特征在于，所述電解液為溫度30℃～80℃、濃度70～96質(zhì)量％的硫酸溶液。

14.如權(quán)利要求12或13所述的金剛石電極，其特征在于，在電解所述電解液時(shí)所施加的電流密度為30～150A/dm²。

15.金剛石電極的制造方法，其特征在于，對基板面分2次以上形成金剛石層，藉此用膜厚20μm以上的金剛石層被覆所述基板面。

16.如權(quán)利要求15所述的金剛石電極的制造方法，其特征在于，對所述基板的兩面分2次以上形成金剛石層，藉此用膜厚20μm以上的金剛石層被覆所述基板的兩面。

17.如權(quán)利要求16所述的金剛石電極的制造方法，其特征在于，將在所述基板的一面形成厚10～30μm的金剛石層后接著在所述基板的另一面形成厚10～30μm的金剛石層的工序反復(fù)進(jìn)行規(guī)定次數(shù)，藉此用作為復(fù)合層的金剛石層被覆所述基板兩面。

18.如權(quán)利要求15～17中任一項(xiàng)所述的金剛石電極的制造方法，其特征在于，在所述基板面形成金剛石層的同時(shí)，在該基板端面形成金剛石層。

19.如權(quán)利要求15～18中任一項(xiàng)所述的金剛石電極的制造方法，其特征在于，在所述金剛石層的被覆之前，對所述基板的端部施以倒角加工。

20.如權(quán)利要求15～19中任一項(xiàng)所述的金剛石電極的制造方法，其特征在于，形成所述金剛石層時(shí)，在該金剛石中摻雜相對于該金剛石的碳量為1000～20000ppm的硼。