[發明專利]源氣體供給裝置

無效

• 申請號: 200980138274.4
• 申請日: 2009-09-30
• 公開（公告）號: CN102165560A
• 公開（公告）日: 2011-08-24
• 發明（設計）人: 李炳一;張錫弼;樸暻完;宋鐘鎬
• 申請（專利權）人: 泰拉半導體株式會社
• 主分類號: H01L21/205
• 分類號: H01L21/205
• 代理公司: 北京鴻元知識產權代理有限公司 11327
• 代理人: 陳英俊

技術領域

本發明涉及一種采用化學氣相沉積法進行薄膜蒸鍍時能夠控制蒸鍍室內的源氣體壓力的源氣體供給裝置。更具體地說，涉及一種使特定量的源氣體流入蒸鍍室內，從而能夠準確地控制蒸鍍室內的源氣體的壓力或者流量的源氣體供給裝置。

背景技術

采用化學氣相沉積法(Chemical?Vapor?Deposition：CVD)的薄膜蒸鍍在半導體元件的絕緣層和有源層、液晶顯示元件的透明電極、電致發光顯示元件的發光層、保護層等的各種領域的應用中，在技術上非常重要。

一般地，采用CVD蒸鍍的薄膜的物性很受蒸鍍壓力、蒸鍍溫度、蒸鍍時間等CVD工藝條件的影響。例如，隨著蒸鍍壓力的變化，蒸鍍薄膜的結構、密度、粘合力、蒸鍍速度等會發生變化。

采用CVD的情況，蒸鍍壓力直接受到源氣體供給裝置所提供的源氣體流量(即，源氣體的壓力)的影響，該源氣體供給裝置用于供給所要蒸鍍的薄膜物質原料。即，為在CVD中適當地控制蒸鍍壓力，最好必須準確地控制源氣體供給裝置中的源氣體流量。特別是，需要精密而一定地調節蒸鍍速度時，源氣體流量調節的重要性更明顯。

圖1是表示現有源氣體供給裝置100的構成的示意圖。現有源氣體供給裝置100由加熱源物質120而生成源氣體的源氣體生成部110、加熱器130、載氣供給部140、蒸鍍室150以及多個閥161～164構成。一般地，源物質120在常溫下以固體或者液體狀態存在，因此，為了使源物質120氣化，需要將源物質120加熱至常溫以上。此時，加熱器130作為加熱源物質120的裝置而使用。

通常，源氣體由于比重大，因此其移動性較差。為了使源氣體順利地向蒸鍍室150內移動，需要利用載氣。根據情況，通過開閉多個閥161～164來調節源氣體及載氣的流量或者壓力。例如，在不使用載氣的情況下，關閉閥161、163。

發明內容

技術問題

但是，這種現有源氣體供給裝置100存在如下問題。首先，隨著源氣體生成部110內所殘留的源物質120的量的不同，源物質120的蒸發性發生變化。所以單憑閥162的開閉，難以準確地調節源氣體的壓力。而且，隨著通過加熱源物質120使源物質120的蒸發以及凝結過程的反復進行，源物質120的蒸發表面積發生變化，源物質120的蒸發性也發生變化，所以不能準確地調節源氣體的壓力。特別是，源物質120呈粉末狀的情況下，源物質120的表面條件的變化更大，上述問題點變得更嚴重。

技術解決方案

本發明是為了解決如上所述的以往技術問題而提出的，目的在于，提供一種源氣體供給裝置，其在采用化學氣相沉積法進行薄膜蒸鍍時，能夠準確地控制蒸鍍室內的源氣體的壓力或者流量。

有益效果

本發明涉及的源氣體供給裝置在采用化學氣相沉積法進行薄膜蒸鍍時，與源氣體生成部內的源物質的狀態無關，能夠準確地控制流入蒸鍍室內的源氣體的量，從而具有在蒸鍍室內進行的蒸鍍工藝中能夠準確地調節蒸鍍壓力的效果。

附圖說明

圖1是表示現有源氣體供給裝置100的構成的示意圖。

圖2是表示本發明的一實施例涉及的源氣體供給裝置200的構成的示意圖。

圖3至圖6是表示源氣體供給裝置200的源氣體凝結部240的內部構成以及動作步驟的一實施例的示意圖。

圖7至圖10是表示源氣體供給裝置200的源氣體凝結部240的內部構成以及動作步驟的另一實施例的示意圖。

圖11是表示本發明的一實施例涉及的源氣體供給裝置300的構成的示意圖。

圖12至圖14是表示源氣體供給裝置300的源氣體凝結部340的動作步驟的一實施例的示意圖。

圖15是表示源氣體供給裝置300的源氣體凝結部340的動作步驟的另一實施例的示意圖。

附圖標記

200：源氣體供給裝置

210：源氣體生成部

212：源物質

214：加熱器

220：載氣供給部

230：流量控制部

240：源氣體凝結部

241：第一主體部

242：第一溫度調節部

243：第二主體部

244：第二溫度調節部

245：源氣體凝結層

250：蒸鍍室

260：旁路部

271：第一閥

272：第二閥

273：第三閥

274：第四閥

275：第五閥

276：第六閥

300：源氣體供給裝置

310：源氣體生成部