[發(fā)明專利]源氣體供給裝置無效
申請?zhí)枺?/td> | 200980138274.4 | 申請日: | 2009-09-30 |
公開(公告)號: | CN102165560A | 公開(公告)日: | 2011-08-24 |
發(fā)明(設(shè)計)人: | 李炳一;張錫弼;樸暻完;宋鐘鎬 | 申請(專利權(quán))人: | 泰拉半導(dǎo)體株式會社 |
主分類號: | H01L21/205 | 分類號: | H01L21/205 |
代理公司: | 北京鴻元知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11327 | 代理人: | 陳英俊 |
地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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摘要: | |||
搜索關(guān)鍵詞: | 氣體 供給 裝置 | ||
1.一種源氣體供給裝置,在采用化學(xué)氣相沉積法進行薄膜蒸鍍時,向蒸鍍室供給源氣體,其特征在于,包括:
源氣體生成部,加熱源物質(zhì)而生成源氣體;以及
源氣體凝結(jié)部,在上述源氣體生成部生成的源氣體流入上述源氣體凝結(jié)部并被凝結(jié);
其中,使源氣體從上述源氣體生成部流入上述源氣體凝結(jié)部,并使源氣體在上述源氣體凝結(jié)部被凝結(jié),直至在上述源氣體凝結(jié)部凝結(jié)的源氣體的凝結(jié)量達到飽和凝結(jié)量為止;當(dāng)在上述源氣體凝結(jié)部凝結(jié)的源氣體的凝結(jié)量達到飽和凝結(jié)量之后,阻斷源氣體從上述源氣體生成部流入上述源氣體凝結(jié)部,并使凝結(jié)在上述源氣體凝結(jié)部的源氣體流入上述蒸鍍室。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的源氣體供給裝置,其特征在于,
上述源氣體凝結(jié)部包括隔開規(guī)定間距對置配置的第一主體部及第二主體部。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的源氣體供給裝置,其特征在于,
將上述第一主體部的溫度調(diào)節(jié)到低于上述源氣體的凝結(jié)溫度,而將上述第二主體部的溫度調(diào)節(jié)到高于上述源氣體的凝結(jié)溫度,直至在上述源氣體凝結(jié)部凝結(jié)的源氣體的凝結(jié)量達到飽和凝結(jié)量為止;
當(dāng)在上述源氣體凝結(jié)部凝結(jié)的源氣體的凝結(jié)量達到飽和凝結(jié)量之后,將上述第一主體部及上述第二主體部的溫度調(diào)節(jié)到高于上述源氣體的凝結(jié)溫度。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的源氣體供給裝置,其特征在于,
上述源氣體的飽和凝結(jié)量由上述第一主體部與上述第二主體部之間的溫度差以及上述第一主體部與上述第二主體部之間的距離中的至少一個來確定。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的源氣體供給裝置,其特征在于,
在上述第一主體部上連接有第一溫度調(diào)節(jié)部,在上述第二主體部上連接有第二溫度調(diào)節(jié)部。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的源氣體供給裝置,其特征在于,
上述第一主體部及上述第二主體部是板狀結(jié)構(gòu)物。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的源氣體供給裝置,其特征在于,
上述第一主體部是柱狀結(jié)構(gòu)物,上述第二主體部是圍繞上述第一主體部的空心的柱狀結(jié)構(gòu)物。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的源氣體供給裝置,其特征在于,
上述源氣體凝結(jié)部并列設(shè)置有多個。
9.一種源氣體供給裝置,在采用化學(xué)氣相沉積法進行薄膜蒸鍍時,向蒸鍍室供給源氣體,其特征在于,包括:
源氣體生成部,加熱源物質(zhì)而生成源氣體;
源氣體凝結(jié)部,在上述源氣體生成部生成的源氣體流入上述源氣體凝結(jié)部并被凝結(jié);
載氣供給部,用于供給載氣以使在上述源氣體生成部生成的源氣體順利地流入上述源氣體凝結(jié)部;以及
傳感器部,用于檢測通過上述源氣體凝結(jié)部的載氣流量;
當(dāng)上述檢測到的流量大于事先設(shè)定的流量時,使源氣體從上述源氣體生成部流入上述源氣體凝結(jié)部,并使源氣體在上述源氣體凝結(jié)部被凝結(jié);當(dāng)上述檢測到的流量與事先設(shè)定的流量實質(zhì)上相同時,阻斷源氣體從上述源氣體生成部流入上述源氣體凝結(jié)部,并使凝結(jié)在上述源氣體凝結(jié)部內(nèi)的源氣體流入上述蒸鍍室。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的源氣體供給裝置,其特征在于,
上述源氣體凝結(jié)部并列設(shè)置有多個。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的源氣體供給裝置,其特征在于,
上述源氣體凝結(jié)部包括配置在上述源氣體生成部側(cè)的第一凝結(jié)部和配置在上述蒸鍍室側(cè)的第二凝結(jié)部。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的源氣體供給裝置,其特征在于,
上述第一凝結(jié)部是管狀結(jié)構(gòu)物。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的源氣體供給裝置,其特征在于,
上述第二凝結(jié)部是網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)物。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的源氣體供給裝置,其特征在于,
隨著源氣體在上述網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)物上凝結(jié),通過上述網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)物的載氣流量減少。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的源氣體供給裝置,其特征在于,
當(dāng)上述減少的載氣流量達到在上述網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)物上未凝結(jié)有源氣體時通過上述網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)物的載氣流量的1/n時,阻斷源氣體從上述源氣體生成部流入上述源氣體凝結(jié)部,其中,n是大于等于2的整數(shù)。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造