[發明專利]有機EL顯示器的反射陽極電極及布線膜

無效

• 申請號: 200980137599.0
• 申請日: 2009-11-09
• 公開（公告）號: CN102165846A
• 公開（公告）日: 2011-08-24
• 發明（設計）人: 田內裕基;越智元隆;佐藤俊樹
• 申請（專利權）人: 株式會社神戶制鋼所
• 主分類號: H05B33/26
• 分類號: H05B33/26;G09F9/30;H01L27/32;H01L51/50;H05B33/10
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 雒運樸

1.一種用于有機EL顯示器的反射陽極電極，是在基板上形成的用于有機EL顯示器的反射陽極電極，其特征在于，

包括：含有0.01～1.5原子％Nd的Ag基合金膜和與所述Ag基合金膜直接接觸的氧化物導電膜。

2.根據權利要求1所述的用于有機EL顯示器的反射陽極電極，其特征在于，

Nd的含量是0.1～1.5原子％。

3.根據權利要求1或2所述的用于有機EL顯示器的反射陽極電極，其特征在于，

所述Ag基合金膜還含有從Cu、Au、Pd、Bi、Ge中選擇的1種以上元素總計0.01～1.5原子％。

4.一種用于有機EL顯示器的反射陽極電極，是在基板上形成的用于有機EL顯示器的反射陽極電極，其特征在于，

包括：含有0.01～4原子％Bi的Ag基合金膜和與所述Ag基合金膜直接接觸的氧化物導電膜。

5.根據權利要求4所述的用于有機EL顯示器的反射陽極電極，其特征在于，

所述Ag基合金膜還含有從Cu、Au、Pd、Ge中選擇的1種以上元素總計0.01～1.5原子％。

6.根據權利要求4或5所述的用于有機EL顯示器的反射陽極電極，其特征在于，

所述Ag基合金膜的表面組成為Bi₂O₃。

7.根據權利要求4或5所述的反射陽極電極，其特征在于，

所述Ag基合金膜還含有從稀土類元素選擇的1種以上總計0.01～2原子％。

8.根據權利要求4或5所述的反射陽極電極，其特征在于，

所述Ag基合金膜還含有Nd及/或Y總計0.01～2原子％。

9.根據權利要求4或5所述的反射陽極電極，其特征在于，

所述Ag基合金膜還含有從由Au、Cu、Pt、Pd及Rh組成的組中選擇的1種以上元素總計3原子％以下，且不包括0原子％。

10.根據權利要求1或4所述的反射陽極電極，其特征在于，

所述Ag基合金膜表面的十點平均粗糙度Rz為20nm以下。

11.根據權利要求1或4所述的反射陽極電極，其特征在于，

所述Ag基合金膜利用濺射法或真空蒸鍍法形成。

12.一種薄膜晶體管基板，具備權利要求1或4所述的反射陽極電極，所述Ag基合金膜與在所述基板上形成的薄膜晶體管的源/漏電極電連接。

13.一種有機EL顯示器，具備權利要求12所述的薄膜晶體管基板。

14.一種濺射靶，用于形成權利要求1或4所述的反射陽極電極。

15.一種用于有機EL顯示器的布線膜，是在基板上形成的用于有機EL顯示器的布線膜，其特征在于，

至少包括含有0.01～1.5原子％Nd的Ag基合金膜。

16.根據權利要求15所述的布線膜，其特征在于，

Nd的含量為0.1～1.5原子％。

17.根據權利要求15或16所述的布線膜，其特征在于，

所述Ag基合金膜還含有從Cu、Au、Pd、Bi、Ge中選擇的1種以上元素總計0.01～1.5原子％。

18.一種用于有機EL顯示器的布線膜，是在基板上形成的用于有機EL顯示器的布線膜，其特征在于，

至少包括含有0.01～4原子％Bi的Ag基合金膜。

19.根據權利要求18所述的布線膜，其特征在于，

所述Ag基合金膜還含有從Cu、Au、Pd、Ge中選擇的1種以上元素總計0.01～1.5原子％。

20.一種濺射靶，用于形成權利要求15或18所述的布線膜。