[發(fā)明專利]發(fā)光二極管的制造設備與方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200980135714.0 | 申請日: | 2009-09-21 |
| 公開(公告)號: | CN102388436A | 公開(公告)日: | 2012-03-21 |
| 發(fā)明(設計)人: | 柳炳韶 | 申請(專利權(quán))人: | QMC株式會社;柳炳韶 |
| 主分類號: | H01L21/268 | 分類號: | H01L21/268;H01L33/32 |
| 代理公司: | 北京鴻元知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11327 | 代理人: | 林錦輝;陳英俊 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 發(fā)光二極管 制造 設備 方法 | ||
相關(guān)申請的交叉引用
本申請要求2008年9月23日提交的韓國申請No.10-2008-0093223、2008年10月6日提交的韓國申請No.10-2008-0097806和2009年4月16日提交的韓國申請No.10-2009-0033107的權(quán)益,所有這些韓國申請通過引述結(jié)合于此以用于各種用途,如同在這里被完全闡述了一樣。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種發(fā)光二極管的制造設備和方法,更具體地說,涉及一種能夠從基底分離薄膜以制造垂直型發(fā)光二極管的制造發(fā)光二極管的設備和方法。
背景技術(shù)
發(fā)光二極管(下面稱為LED)是一種公知的用來將電流轉(zhuǎn)換成光的半導體器件。當由半導體制成的有源層中的被從價帶越過帶隙激發(fā)到導帶中的電子躍遷回價帶時,LED就會發(fā)光。電子的這個躍遷能夠發(fā)射取決于帶隙能量的光。因此,LED所發(fā)射的光的波長或顏色基于所述有源層半導體來確定,因為所述帶隙是相應材料的特殊特性之一。
LED用來發(fā)射各種顏色范圍的光,諸如紅色、綠色、藍色和黃色。然而,LED的局限在于,它是單色光源。有發(fā)射白光(包括紅、綠和藍各種光)的需要。例如,使用液晶顯示屏(下文中稱作LCD)的筆記本電腦不可避免地需要發(fā)射白光的背光單元。通常,白光由白熾燈或熒光燈來提供。在白熾燈的情形中,優(yōu)點是它很便宜,但其壽命很短并且發(fā)光效率低。熒光燈比白熾燈具有更高的發(fā)光效率,但熒光燈的缺點是其壽命有限。另外,熒光燈要求有較大的、重的并且貴的附加部件,諸如穩(wěn)壓器。
可以通過將紅光、綠光和藍光LED緊湊地放在一起來制造白光LED光源,其中所述紅光、綠光和藍光LED以合適的比例分別發(fā)光。然而,制造藍光LED的過程卻不是容易的,因為很難制造出具有合適帶隙的高質(zhì)量晶體。特別是,如果使用磷化銦(InP)、砷化鎵(GaAs)和磷化鎵(GaP)等化合物半導體,那么很難制成高質(zhì)量的藍光LED。
盡管有這些困難,但GaN(氮化鎵)基藍光LED已經(jīng)商用化了。具體說,自從1994年將GaN基藍光LED引入市場后,在照明領(lǐng)域,GaN基藍光LED技術(shù)的快速發(fā)展使GaN基藍光LED就效率而言超過了白熾燈或熒光燈。
在InP基、GaAs基和GaP基LED的情形中,半導體層生長在導電基底上,因此不難制造出具有p-n結(jié)結(jié)構(gòu)的垂直型LED。然而,GaN基LED使用由藍寶石(Al2O3)形成的基底,以便減少GaN外延生長期間可能產(chǎn)生的晶體缺陷。在這種情形中,由于藍寶石是不導電的,所以一般采用水平型結(jié)構(gòu),這種結(jié)構(gòu)的第一和第二電極均形成在外延層的上表面上。
圖1和圖2示出了使用藍寶石基底的根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的水平型LED。
圖1是剖面圖,示出了根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的LED?10,如圖1所示,在藍寶石基底11上順序形成n-GaN層12、具有多量子阱的有源層13、p-GaN層14、以及透明導電層15。然后,在透明導電層15的預定部分上形成第一電極16。
然后,在包含第一電極16的透明導電層15上用光刻形成光刻膠圖案(未示出),其中,所述光刻膠圖案(未示出)用來露出透明導電層15上沒有形成第一電極16的預定部分。在使用所述光刻膠圖案作掩膜的情形下,對透明導電層15、p-GaN層14和有源層13進行選擇性刻蝕。此時,n-GaN?12的一部分受到輕微的刻蝕。由于GaN很難刻蝕,所以,相比干法刻蝕,優(yōu)選濕法刻蝕。
通過剝離過程去掉所述光刻膠圖案之后,在露出的n-GaN層12上形成第二電極。
圖2是根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的LED?10的俯視圖,如圖2所示,在水平型結(jié)構(gòu)的情形中,第一電極16和第二電極17均需做引線接合(wire?bonding),因此,LED?10的芯片尺寸應該足夠大,以確保足夠的電極區(qū)域,而這就成為提高晶片的單位面積輸出的障礙。另外,由于封裝過程中的引線鍵合的復雜性,制造成本會增加。
此外,使用不導電的藍寶石基底11很難將外部提供的靜電能釋放出去,因此就增加了失效的可能性并降低器件的可靠性。另外,由于藍寶石基底11的熱導率低,因此,很難將LED?10工作所產(chǎn)生的熱釋放到外部,這就限制了對LED?10施加大電流以獲得高輸出功率。
為了克服使用藍寶石基底11的水平型LED?10的這些問題,垂直型LED得到了積極的研究和探索,特別是最終產(chǎn)品不包含藍寶石基底的垂直型LED。
圖3到圖7示出了制造垂直型LED的連續(xù)步驟。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





