[發(fā)明專(zhuān)利]發(fā)光二極管的制造設(shè)備與方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200980135714.0
• 申請(qǐng)日: 2009-09-21
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102388436A
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-03-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 柳炳韶
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: QMC株式會(huì)社;柳炳韶
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/268
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/268;H01L33/32
• 代理公司: 北京鴻元知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11327
• 代理人: 林錦輝;陳英俊

1.一種LED制造設(shè)備，包括：

激光束源，用于發(fā)射激光束；

網(wǎng)孔型掩膜，所述網(wǎng)孔型掩膜具有多個(gè)孔，用于使所述激光束有選擇地通過(guò)；以及

成像透鏡，用于通過(guò)將穿過(guò)所述網(wǎng)孔型掩膜的所述激光束聚焦而形成多個(gè)束斑，從而將基底與形成在所述基底上的半導(dǎo)體層分離。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，還包括被置于所述激光束源和所述網(wǎng)孔型掩膜之間的擴(kuò)束望遠(yuǎn)鏡。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的設(shè)備，還包括被置于所述擴(kuò)束望遠(yuǎn)鏡和所述網(wǎng)孔型掩膜之間的場(chǎng)透鏡。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，還包括被置于所述激光束源和所述網(wǎng)孔型掩膜之間的勻束器。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的設(shè)備，還包括被置于所述擴(kuò)束望遠(yuǎn)鏡和所述網(wǎng)孔型掩膜之間的勻束器。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，還包括被置于所述激光束源和所述網(wǎng)孔型掩膜之間的場(chǎng)透鏡。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中，所述多個(gè)束斑形成在所述半導(dǎo)體層和所述基底之間的界面上。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的設(shè)備，其中，每個(gè)所述束斑形成為滿足下列公式的圓形形狀：

1.67×10³×T×E_d^-1＜R＜20×10³×T×E_d^-1

其中，R表示所述圓形形狀的半徑(m)，T表示所述半導(dǎo)體層的厚度(m)，Ed表示所述束斑的能量密度(J/cm²)。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中，每個(gè)所述孔形成為直徑為“D”的圓形形狀，并且其中，相鄰的所述孔之間的間距小于“2D”。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中，所述多個(gè)孔中的每個(gè)孔都形成為矩形形狀。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中，所述網(wǎng)孔型掩膜中的各個(gè)孔的尺寸是可變的，從而調(diào)節(jié)每個(gè)束斑的尺寸。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中，所述激光束的波長(zhǎng)在約150nm到約1100nm之間。

13.一種LED制造方法，包括：

在基底上形成半導(dǎo)體層；

在所述半導(dǎo)體層上形成導(dǎo)電支撐層；

使激光束穿過(guò)具有多個(gè)孔的網(wǎng)孔型掩膜，從而形成多個(gè)單元束；以及

在所述半導(dǎo)體層和所述基底之間的界面處形成多個(gè)束斑，其中，通過(guò)使所述多個(gè)單元束穿過(guò)成像透鏡來(lái)形成所述多個(gè)束斑。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中，形成所述多個(gè)束斑的步驟包括調(diào)節(jié)每個(gè)束斑的尺寸。

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中，通過(guò)改變所述網(wǎng)孔型掩膜中的孔的尺寸來(lái)執(zhí)行調(diào)節(jié)每個(gè)束斑的尺寸的步驟。

16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中，每個(gè)所述束斑形成為滿足下列公式的圓形形狀：

1.67×10³×T×E_d^-1＜R＜20×10³×T×E_d^-1

其中，R表示所述圓形形狀的半徑(m)，T表示所述半導(dǎo)體層的厚度(m)，Ed表示所述束斑的能量密度(J/cm²)。

17.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中，每個(gè)所述束斑都形成為矩形形狀。

18.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，還包括移動(dòng)載有所述基底的臺(tái)子。

19.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中，所述半導(dǎo)體層包括直接形成在所述基底上的緩沖層，并且其中，將所述基底分離的步驟還包括去掉所述緩沖層。

20.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中，每個(gè)孔形成為直徑為“D”的圓形形狀，并且其中，相鄰的所述孔之間的間距小于“2D”。