[發(fā)明專利]相變記憶材料有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200980134692.6 | 申請(qǐng)日： | 2009-08-28 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN102138233A | 公開(kāi)（公告）日： | 2011-07-27 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | B·G·艾特肯;C·M·史密斯 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 康寧股份有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L45/00 | 分類號(hào)： | H01L45/00;G11B7/243 |
| 代理公司： | 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100 | 代理人： | 沙永生 |
| 地址： | 美國(guó)*** | 國(guó)省代碼： | 美國(guó);US |
| 權(quán)利要求書(shū)： | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū)： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 相變 記憶 材料 | ||
優(yōu)先權(quán)聲明
本專利申請(qǐng)要求2008年8月29日提交的美國(guó)臨時(shí)專利申請(qǐng)61/092868和2009年7月15日提交的美國(guó)專利申請(qǐng)第12/503156號(hào)的優(yōu)先權(quán)。
發(fā)明領(lǐng)域
本發(fā)明的實(shí)施方式涉及相變記憶材料，更具體涉及適用于相變記憶應(yīng)用如光學(xué)和電子數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的碲化GeAs材料。
技術(shù)背景
傳統(tǒng)的相變記憶裝置利用能在具有不同性質(zhì)的兩相之間變化的材料。所述材料通常從無(wú)定型相變化到晶相，所述相可具有顯著不同的性質(zhì)，例如不同的電阻率、電導(dǎo)率和/或反射率。
從無(wú)定型相到晶相的相變可以通過(guò)將無(wú)定型材料加熱到促進(jìn)成核、晶體形成、和然后晶化的溫度來(lái)實(shí)現(xiàn)?；氐綗o(wú)定型的相變可以通過(guò)將晶相加熱到高于熔化溫度的溫度來(lái)實(shí)現(xiàn)。
目前將硫?qū)倩锊牧先鏕e、Sb和Te合金用于相變記憶應(yīng)用中，例如用于在可重復(fù)寫入盤(over?writable?disk)中存儲(chǔ)信息。
目前Matsushita/Panasonic和IBM的工作人員已經(jīng)開(kāi)發(fā)了一些相變記憶材料。代表性的材料包括基于GeTe-Sb2Te3結(jié)的組合物，具體是Ge2Sb2Te5(GST)，以及Au，In-摻雜的碲化Sb(AIST)。這些材料可以在激光加熱或電流脈沖條件下，在高電導(dǎo)率、高反射率晶相和低電導(dǎo)率、低反射率無(wú)定型相之間以約10納秒的時(shí)間標(biāo)度循環(huán)。
雖然一些傳統(tǒng)材料如GST和AIST對(duì)于非揮發(fā)性記憶應(yīng)用具有良好的性質(zhì)，但是具有更快的相轉(zhuǎn)變和/或更長(zhǎng)的寫入/再寫入能力的相變記憶材料將是有利的。
發(fā)明概述
本發(fā)明的實(shí)施方式是基于GeAsTe的用于相變記憶應(yīng)用但是不屬于正規(guī)GeSbTe系統(tǒng)的組合物。而且，由于某些GeAsTe組合物可以制成大塊玻璃，所以GeAsTe無(wú)定型相的穩(wěn)定性似乎大于不可能形成大塊玻璃的GeSbTe類似物的穩(wěn)定性。這種特性會(huì)導(dǎo)致寫入/再寫入循環(huán)的數(shù)量增加，同時(shí)不會(huì)使電導(dǎo)率/反射率反差(contrast)變差，并且導(dǎo)致更長(zhǎng)的數(shù)據(jù)保持。
本發(fā)明的一種實(shí)施方式是包括晶化薄膜的制品，該晶化薄膜包含具有至少一種六方相的組合物，或者包含在晶化形式下能具有至少一種六方相的可晶化組合物。
本發(fā)明的另一種實(shí)施方式是一種方法，該方法包括提供包含相變記憶無(wú)定型材料的薄膜，以及將該相變記憶無(wú)定型材料轉(zhuǎn)化成六方晶相。
本發(fā)明的另一種實(shí)施方式是一種方法，該方法包括提供包含具有六方晶相的相變記憶材料的薄膜，以及將該六方晶相轉(zhuǎn)化成無(wú)定型相。
以下詳細(xì)說(shuō)明中將提出本發(fā)明的其他特性和優(yōu)點(diǎn)，這些特性和優(yōu)點(diǎn)的一部分對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員而言通過(guò)說(shuō)明書(shū)而容易理解，或者通過(guò)按照說(shuō)明書(shū)及其權(quán)利要求書(shū)以及附圖所述實(shí)施本發(fā)明而了解。
應(yīng)該理解，以上一般說(shuō)明和以下詳細(xì)說(shuō)明都僅僅是對(duì)本發(fā)明的例證，意圖為理解本發(fā)明要求權(quán)利的性質(zhì)和特性提供概況或框架。
包括附圖以提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步理解，附圖結(jié)合在說(shuō)明書(shū)中并構(gòu)成說(shuō)明書(shū)的一部分。附圖說(shuō)明本發(fā)明的一種或多種實(shí)施方式，與說(shuō)明書(shū)一起用于解釋本發(fā)明的原理和操作。
附圖簡(jiǎn)要描述
單獨(dú)地通過(guò)以下詳細(xì)說(shuō)明，或者結(jié)合附圖，能理解本發(fā)明。
圖1是GeAsTe材料的組成圖。
圖2是根據(jù)一種實(shí)施方式的材料的反射率數(shù)據(jù)的圖。
圖3是根據(jù)一種實(shí)施方式的材料的反射率數(shù)據(jù)的圖。
圖4和圖5是常規(guī)相變記憶材料的X射線衍射數(shù)據(jù)的圖。
圖6和圖7是根據(jù)本發(fā)明的相變記憶材料的X射線衍射數(shù)據(jù)的圖。
發(fā)明詳述
詳細(xì)參考本發(fā)明的各種實(shí)施方式。只要有可能，在所有附圖中使用相同的附圖標(biāo)記表示相同或類似的特征。
本發(fā)明的一種實(shí)施方式是包括晶化薄膜的制品，該晶化薄膜包含具有至少一種六方相的組合物，或者包含在晶化形式下能具有至少一種六方相的可晶化組合物。
根據(jù)一些實(shí)施方式，所述組合物按原子百分比包含以下組分：
5-45的Ge；
5-40的As，或者As和Sb的組合，其中As的原子百分比大于Sb的原子百分比；和
45-65的Te。
根據(jù)一些實(shí)施方式，所述組合物按原子百分比包含以下組分：
10-30的Ge；
15-30的As，或者As和Sb的組合，其中As的原子百分比大于Sb的原子百分比；和
50-60的Te。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于康寧股份有限公司，未經(jīng)康寧股份有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/200980134692.6/2.html，轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專利網(wǎng)。
