[發明專利]相變記憶材料

有效

• 申請號: 200980134692.6
• 申請日: 2009-08-28
• 公開（公告）號: CN102138233A
• 公開（公告）日: 2011-07-27
• 發明（設計）人: B·G·艾特肯;C·M·史密斯
• 申請（專利權）人: 康寧股份有限公司
• 主分類號: H01L45/00
• 分類號: H01L45/00;G11B7/243
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 沙永生

1.一種制品，其包含：

a.包含具有至少一種六方相的組合物的晶化薄膜；或

b.在晶化形式下能具有至少一種六方相的可晶化組合物。

2.如權利要求1所述的制品，其特征在于，按原子百分比計，所述組合物包含以下組分：

5-45的Ge；

5-40的As，或者As和Sb的組合，其中As的原子百分比大于Sb的原子百分比；和

45-65的Te。

3.如權利要求2所述的制品，其特征在于，按原子百分比計，所述組合物包含以下組分：

10-30的Ge；

15-30的As，或者As和Sb的組合，其中As的原子百分比大于Sb的原子百分比；和

50-60的Te。

4.如權利要求2所述的制品，其特征在于，所述組合物進一步包含Al、Si、Ga、Se、In、Sn、Tl、Pb、Bi、P、S或其組合。

5.如權利要求2所述的制品，其特征在于，所述Al、Si、Ga、Se、In、Sn、Tl、Pb、Bi、P、S或其組合的原子百分比等于或小于20％。

6.如權利要求5所述的制品，其特征在于，所述Al、Si、Ga、Se、In、Sn、Tl、Pb、Bi、P、S或其組合的原子百分比等于或小于15％。

7.如權利要求1所述的制品，其特征在于，所述薄膜設置在基材上。

8.如權利要求7所述的制品，其特征在于，所述基材包括玻璃、玻璃陶瓷、陶瓷、聚合物、金屬或其組合。

9.一種方法，其包括：

提供包含相變記憶無定型材料的薄膜；和

將該相變記憶無定型材料轉化成六方晶相。

10.如權利要求9所述的方法，其特征在于，所述將相變記憶無定型材料轉化成六方晶相的步驟包括加熱。

11.如權利要求10所述的方法，其特征在于，按原子百分比計，所述相變記憶無定型材料包含以下組分：

5-45的Ge；

5-40的As，或者As和Sb的組合，其中As的原子百分比大于Sb的原子百分比；和

45-65的Te。

12.如權利要求11所述的方法，其特征在于，按原子百分比計，所述組合物包含以下組分：

10-30的Ge；

15-30的As，或者As和Sb的組合，其中As的原子百分比大于Sb的原子百分比；和

50-60的Te。

13.如權利要求11所述的方法，其特征在于，所述相變記憶無定型材料還包含Al、Si、Ga、Se、In、Sn、Tl、Pb、Bi、P、S或其組合。

14.如權利要求13所述的方法，其特征在于，Al、Si、Ga、Se、In、Sn、Tl、Pb、Bi、P、S或其組合的原子百分比等于或小于20％。

15.如權利要求13所述的方法，其特征在于，Al、Si、Ga、Se、In、Sn、Tl、Pb、Bi、P、S或其組合的原子百分比等于或小于15％。

16.一種方法，其包括：

提供包含具有六方晶相的相變記憶材料的薄膜；和

將該六方晶相轉化成無定型相。

17.如權利要求16所述的方法，其特征在于，所述將具有六方晶相的相變記憶材料轉化成無定型相的步驟包括加熱。

18.如權利要求16所述的方法，其特征在于，按原子百分比計，所述相變記憶材料包含以下組分：

5-45的Ge；

5-40的As，或者As和Sb的組合，其中As的原子百分比大于Sb的原子百分比；和

45-65的Te。

19.如權利要求18所述的方法，其特征在于，按原子百分比計，所述相變記憶材料包含以下組分：

10-30的Ge；

15-30的As，或者As和Sb的組合，其中As的原子百分比大于Sb的原子百分比；和

50-60的Te。

20.如權利要求18所述的方法，其特征在于，所述相變記憶材料還包含Al、Si、Ga、Se、In、Sn、Tl、Pb、Bi、P、S或其組合。