[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置和使用它的電子設(shè)備及半導(dǎo)體裝置的制造方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200980134247.X | 申請日: | 2009-11-30 |
| 公開(公告)號: | CN102138212A | 公開(公告)日: | 2011-07-27 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 佐野光 | 申請(專利權(quán))人: | 松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社 |
| 主分類號: | H01L23/00 | 分類號: | H01L23/00;H01L21/3205;H01L23/12;H01L23/52;H01L27/14 |
| 代理公司: | 永新專利商標(biāo)代理有限公司 72002 | 代理人: | 胡建新 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 半導(dǎo)體 裝置 使用 電子設(shè)備 制造 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置和使用它的電子設(shè)備以及半導(dǎo)體裝置的制造方法。
背景技術(shù)
歷來,在各種電子設(shè)備中使用的半導(dǎo)體裝置中,提出了為增強(qiáng)和保護(hù)元件層,通過在形成元件的半導(dǎo)體基板的表面上隔著粘接劑層裝備保護(hù)層,來滿足高功能化和高裝載性的要求。
這里,簡單說明圖24表示的現(xiàn)有的半導(dǎo)體裝置(攝像裝置)的結(jié)構(gòu)(例如參照專利文獻(xiàn)1)。圖24是表示該半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的剖面圖。
該半導(dǎo)體裝置具有半導(dǎo)體基板31、在半導(dǎo)體基板31的表面上設(shè)置的半導(dǎo)體層32、和在半導(dǎo)體層32的上表面上設(shè)置的微透鏡33。另外,通過在半導(dǎo)體基板31的外周部上設(shè)置的粘接劑35粘接玻璃基板34。
在半導(dǎo)體基板31上,設(shè)置貫通其表面和背面之間的貫通孔37,在貫通孔37內(nèi)設(shè)置貫通電極36。貫通電極36由導(dǎo)電膜39和導(dǎo)電體40構(gòu)成。導(dǎo)電體40的一部分開口,具有成為外部端子40a的露出部分。在半導(dǎo)體基板31的表面?zhèn)仍O(shè)置電極墊41以及絕緣膜43。
在半導(dǎo)體基板31的背面?zhèn)仍O(shè)置絕緣膜38,在絕緣膜38和導(dǎo)電體40的外部端子40a以外的部分的上表面上設(shè)置覆蓋涂層45。另外在半導(dǎo)體基板31的背面?zhèn)扰c外部端子40a連接設(shè)置外部電極42。
在圖24表示的半導(dǎo)體裝置中,在半導(dǎo)體基板31上作為保護(hù)板粘貼玻璃基板34。通過把保護(hù)板作為支持材料減薄或增厚半導(dǎo)體基板31,形成貫通孔37,進(jìn)而在貫通孔37內(nèi)形成貫通電極36,來實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體裝置的小型化和背面安裝性。
先行技術(shù)文獻(xiàn)
專利文獻(xiàn)1:國際公開第2005/022631號
發(fā)明的概要
發(fā)明要解決的課題
但是,在現(xiàn)有的半導(dǎo)體裝置中,粘接保護(hù)板和半導(dǎo)體基板的粘接劑的耐濕性低。亦即在半導(dǎo)體基板的表面上,如上述用粘接劑固定用于保護(hù)和增強(qiáng)半導(dǎo)體層等的保護(hù)板,但是因?yàn)樵撜辰觿┦呛铣尚詷渲跃哂形裕滞ㄟ^該粘接劑浸入半導(dǎo)體裝置內(nèi)。其結(jié)果,粘接劑從半導(dǎo)體基板或保護(hù)板剝離,腐蝕在半導(dǎo)體基板上露出設(shè)置的電極,或者發(fā)生在微透鏡上結(jié)露,半導(dǎo)體裝置的特性惡化。
發(fā)明內(nèi)容
因此本發(fā)明鑒于這樣的問題提出,其目的是提供一種能夠提高耐濕性的半導(dǎo)體裝置。
為實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的特征在于,具有半導(dǎo)體基板;在上述半導(dǎo)體基板的表面上設(shè)置的半導(dǎo)體層;在上述半導(dǎo)體基板的表面的上方設(shè)置的保護(hù)板;在上述半導(dǎo)體基板的表面和上述保護(hù)板的表面之間設(shè)置的、在上述半導(dǎo)體基板上固定上述保護(hù)板的粘接劑層;和覆蓋上述粘接劑層的不與上述保護(hù)板以及上述半導(dǎo)體基板連接的側(cè)面的第一表面膜。
通過該結(jié)構(gòu),因?yàn)檎辰颖Wo(hù)板和半導(dǎo)體基板的粘接劑層的外周用耐濕性的表面膜覆蓋,所以水分不能通過該粘接劑層浸入半導(dǎo)體裝置內(nèi)。因此,能夠?qū)崿F(xiàn)能夠提高耐濕性的半導(dǎo)體裝置。其結(jié)果,用保護(hù)板保護(hù)的半導(dǎo)體基板的表面的半導(dǎo)體層及其附近的接線端子等不會通過水分惡化,能夠防止粘接劑層從半導(dǎo)體基板或保護(hù)板剝離,防止半導(dǎo)體裝置的特性惡化。
這里,優(yōu)選上述第一表面膜從上述粘接劑層的側(cè)面上開始在上述半導(dǎo)體基板上連續(xù)設(shè)置。同樣,優(yōu)選上述第一表面膜從上述粘接劑層的側(cè)面上開始在上述保護(hù)板上連續(xù)設(shè)置。
通過該結(jié)構(gòu),因?yàn)楸砻婺ひ惑w覆蓋粘接劑層的外周以及與其鄰接的半導(dǎo)體基板和保護(hù)板,所以能夠在粘接劑層的外周無間隙地形成防止水分浸入的表面膜,能夠高概率地防止水分通過粘接劑層浸入半導(dǎo)體裝置內(nèi)。
另外,本發(fā)明也能夠?qū)崿F(xiàn)一種裝載上述半導(dǎo)體裝置的電子設(shè)備。
通過該結(jié)構(gòu),能夠?qū)崿F(xiàn)能夠提高耐濕性的電子設(shè)備。
另外,本發(fā)明也能夠?qū)崿F(xiàn)半導(dǎo)體裝置的一種制造方法,其特征在于,包含:在表面上設(shè)置有半導(dǎo)體層的半導(dǎo)體基板的表面上通過粘接劑層固定保護(hù)板的工序;和在上述粘接劑層的不與上述保護(hù)板以及上述半導(dǎo)體基板連接的側(cè)面上形成第一表面膜的工序。同樣,本發(fā)明也能夠做成半導(dǎo)體裝置的一種制造方法,其特征在于,包括在表面的多個(gè)位置設(shè)置有半導(dǎo)體層的半導(dǎo)體基板的表面上通過粘接劑層固定保護(hù)板的工序;形成從上述半導(dǎo)體基板的背面貫通表面的第一貫通槽的工序;除去上述第一貫通孔的底的上述粘接劑層、形成連通上述第一貫通槽、而且從上述粘接劑層的連接上述半導(dǎo)體基板的表面貫通與上述保護(hù)板連接的背面的第二貫通槽的工序;和在上述第二貫通槽的內(nèi)壁上形成第一表面膜的工序。
通過該結(jié)構(gòu),能夠?qū)崿F(xiàn)能夠提高耐濕性的半導(dǎo)體裝置的制造方法。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社,未經(jīng)松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/200980134247.X/2.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇:一種還原四氯化錫的方法
- 下一篇:滅弧室





