[發明專利]半導體裝置和使用它的電子設備及半導體裝置的制造方法無效
| 申請號: | 200980134247.X | 申請日: | 2009-11-30 |
| 公開(公告)號: | CN102138212A | 公開(公告)日: | 2011-07-27 |
| 發明(設計)人: | 佐野光 | 申請(專利權)人: | 松下電器產業株式會社 |
| 主分類號: | H01L23/00 | 分類號: | H01L23/00;H01L21/3205;H01L23/12;H01L23/52;H01L27/14 |
| 代理公司: | 永新專利商標代理有限公司 72002 | 代理人: | 胡建新 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體 裝置 使用 電子設備 制造 方法 | ||
1.一種半導體裝置,具有:
半導體基板;
在上述半導體基板的表面設置的半導體層;
在上述半導體基板的表面的上方設置的保護板;
在上述半導體基板的表面和上述保護板的表面之間設置的、將上述保護板固定在上述半導體基板的粘接劑層;和
覆蓋上述粘接劑層的不與上述保護板以及上述半導體基板連接的側面的第一表面膜。
2.根據權利要求1所述的半導體裝置,其中,
在上述半導體基板上設置貫通或者非貫通的凹部。
3.根據權利要求2所述的半導體裝置,其中,
上述凹部是孔。
4.根據權利要求1所述的半導體裝置,其中,
上述第一表面膜從上述粘接劑層的側面上開始到上述半導體基板上連續設置。
5.根據權利要求1所述的半導體裝置,其中,
上述第一表面膜從上述粘接劑層的側面上開始到上述保護板上連續設置。
6.根據權利要求5所述的半導體裝置,其中,
在上述保護板的表面設置高度比該表面低的階梯部,
上述第一表面膜從上述粘接劑層的側面上到上述階梯部的表面以及側面上連續設置。
7.根據權利要求4所述的半導體裝置,其中,
上述半導體裝置還具有在上述半導體基板的背面上設置的、與上述第一表面膜結合的第二表面膜。
8.根據權利要求7所述的半導體裝置,其中,
在上述半導體基板的背面設置貫通或者非貫通的凹部,
上述半導體裝置還具有在上述凹部的內壁上設置的、與上述第二表面膜接合的第三表面膜。
9.根據權利要求7所述的半導體裝置,其中,
上述第一表面膜以及上述第二表面膜是一體形成的連續膜。
10.根據權利要求8所述的半導體裝置,其中,
上述第二表面膜以及上述第三表面膜是一體形成的連續膜。
11.根據權利要求4所述的半導體裝置,其中,
上述第一表面膜以化學方式與上述半導體基板結合。
12.根據權利要求5所述的半導體裝置,其中,
上述第一表面膜以化學方式與上述保護板結合。
13.根據權利要求1所述的半導體裝置,其中,
上述第一表面膜是絕緣膜。
14.根據權利要求11或者12所述的半導體裝置,其中,
上述第一表面膜是氧化硅膜。
15.根據權利要求11所述的半導體裝置,其中,
上述半導體基板是硅基板。
16.根據權利要求12所述的半導體裝置,其中,
上述保護板具有硅。
17.根據權利要求1所述的半導體裝置,其中,
通過上述半導體層形成光學元件,
上述保護板是透光性基板。
18.根據權利要求16或者17所述的半導體裝置,其中,
上述保護板是硅酸玻璃。
19.根據權利要求1所述的半導體裝置,其中,
上述半導體裝置還具有在上述半導體基板的表面上設置的絕緣層,
上述絕緣層在上述半導體基板的外周部分的表面上開口。
20.根據權利要求1所述的半導體裝置,其中,
上述半導體裝置還具有在上述半導體基板的表面上設置的絕緣層,
上述絕緣層的構成膜的一部分在上述半導體基板的外周部分具有開口部。
21.根據權利要求2所述的半導體裝置,其中,
上述半導體裝置還具有在上述凹部內設置的導電膜。
22.根據權利要求21所述的半導體裝置,其中,
上述凹部是貫通上述半導體基板的表面到背面的貫通孔,
上述半導體裝置還具有在上述半導體基板的表面上設置的、與上述導電膜連接的電極。
23.根據權利要求22所述的半導體裝置,其中,
上述電極的表面的至少一部分與上述粘接劑層相接。
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