[發明專利]測試裝置及測試方法

有效

• 申請號: 200980133257.1
• 申請日: 2009-09-11
• 公開（公告）號: CN102132165A
• 公開（公告）日: 2011-07-20
• 發明（設計）人: 古川靖夫
• 申請（專利權）人: 愛德萬測試株式會社
• 主分類號: G01R31/26
• 分類號: G01R31/26;H01L21/66
• 代理公司: 北京英特普羅知識產權代理有限公司 11015
• 代理人: 齊永紅

技術領域

本發明，涉及測試裝置及測試方法。本申請與下列美國申請相關聯，并主張來自下列美國申請的優先權。關于承認通過文獻參照而援引的指定國，將該日本專利申請所記載的內容通過參照編入本申請，作為本申請的一部分。

申請號12/209,213????申請日2008年9月12日

背景技術

比如專利文獻1，公開了一種基于被測試設備的靜止供電電流，判定被測試設備的好壞的測試裝置。該測試裝置包括：把驅動被測試裝置的電力提供給被測試設備的電源；將被測試設備的電路設定為規定狀態的設定矢量提供給被測試設備的圖形發生部；在根據設定矢量將被測試設備設定成上述規定狀態時，測量從電源提供給被測試設備的靜止供電電流的供電電流測量部；從被測試設備內部設置的溫度傳感器，取得被測試設備的溫度，并基于供電電流測量部測得的靜止供電電流，和被測試設備的溫度判斷被測試設備的好壞的判斷部。

【在先技術文獻】

【專利文獻】

【專利文獻1】特開2006-317208號公報

發明內容

【發明的概要】

【發明所解決的問題】

基于被測試設備的靜止時電流(IDDQ)的好壞的判斷，利用了CMOSFET(相輔型金屬氧化物硅場效應晶體管)在靜止時幾乎不消費電力，即，供電電流停止的特征。在測試對象塊中即使存在極少數的不良元件的情況下，將電源供給到該塊的線路上仍會產生過大的電流，可以簡單地查出不良。隨著近幾年的半導體裝置的細微化，故障方式多樣化，比如在功能測試中的檢測圖形也復雜化，因此檢測有效范圍處于降低的傾向。在這樣的狀況下，基于可輕易檢測出大批不良的IDDQ來判斷好壞，期望可以是一種和其他的測試方法組合，并能夠明顯提高檢測有效范圍的有效的測試方法。

可是，隨著元件的細微化，即使是正常情況下的元件內的漏電電流增加，對故障時的電流和正常時的電流的辨別變得越發困難。因而，即使是細微化元件發生漏電的狀況下，也能夠正確辨別正常電流和異常電流，高精度地不良判斷成為可能的IDDQ測試技術受到期待。

因此，在本發明的1個側面中，以提供能夠解決上述課題的測試裝置及測試方法為目的。該目的通過權利要求范圍中的獨立權項所記載的特征組合而實現。另外，從屬權利要求進一步規定了對本發明更有利的具體實例。

【發明內容】

根據本發明的第1方式，提供測試被測試設備的測試裝置以及涉及該測試裝置的測試方法，其中，測試裝置包括：對被測試設備的電源端子提供電力的電源部；控制電源部以多個電壓電平輸出電力的電源控制部；針對每個電壓電平，對由電源部提供到電源端子的被測試設備的供電電流，即在輸入到被測試設備的邏輯圖形躍遷之后，對經過規定的時間后的時刻上的靜止時電流進行測量的電流測量部；以及利用電流測量部測定的每個電壓電平的電流值中至少3個電流值，分析被測試設備的缺陷的有無的分析部。

另外，上述發明的概要所列舉的并不都是本發明的必要特征，另外，從這些特征群的子組合中也可以獲得本發明。

附圖說明

圖1表示同被測試設備(DUT)200一起的本實施方式的測試裝置100的示意圖；

圖2表示考慮了缺陷的被測試設備200的電路模型。

具體實施方式

以下，通過發明的實施方式對本發明的(一)方面進行說明。以下的實施方式并不限定權力要求的范圍。在實施方式中說明的特征組合并非全部為本發明所必須。

圖1是表示同被測試設備(DUT)200一起的本實施方式的測試裝置100的示意圖。測試裝置100通過提供規定的電壓到被測試設備200，來測量被測試設備200在非動作狀態即靜止時的供電電流(靜止時電流IDDQ)，進而測試被測試設備200。

靜止時電流，可以是在輸入到被測試設備200的邏輯圖形躍遷之后經過規定的時間后的時刻上的供電電流。在該規定的時間經過的時刻中，維持被測試設備200的邏輯狀態。

并且，該規定的時間，可以是在輸入到被測試設備200的邏輯圖形躍遷之后，供電電流穩定在規定的范圍內所需要的時間。測試裝置100包括電源部110、電源控制部120、電流測量部130、分析部140及圖形生成部150。

電源部110，向被測試設備200的電源端子提供電源電壓Vdd的電力。被測試設備200的另一電源端子的電位Vss可以接地。電源控制部120控制電源部110，以使電源部110以多種電壓電平Vdd輸出電力。