[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200980133169.1
• 申請(qǐng)日: 2009-06-09
• 公開（公告）號(hào): CN102132399A
• 公開（公告）日: 2011-07-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 石津智之
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L21/8234
• 分類號(hào): H01L21/8234;H01L21/82;H01L21/822;H01L27/04;H01L27/088;H01L29/78
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 汪惠民

1.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具備：

第1及第2晶體管，溝道長度及溝道寬度彼此相等，且作為晶體管對(duì)來使用；和

第3及第4晶體管，溝道長度及溝道寬度彼此相等，且作為晶體管對(duì)來使用，

所述第1及第2晶體管具有第1及第2活性區(qū)域相同區(qū)域，其由該晶體管的活性區(qū)域和在所述活性區(qū)域的周圍隔著元件分離區(qū)域所形成的周圍活性區(qū)域組成的活性區(qū)域圖案彼此相同，

所述第3及第4晶體管具有第3及第4活性區(qū)域相同區(qū)域，其由該晶體管的活性區(qū)域和在所述活性區(qū)域的周圍隔著元件分離區(qū)域所形成的周圍活性區(qū)域組成的活性區(qū)域圖案彼此相同，

所述第3及第4晶體管的活性區(qū)域與所述第1及第2晶體管的活性區(qū)域相比，溝道長方向上的長度長，

所述第3及第4活性區(qū)域相同區(qū)域與所述第1及第2活性區(qū)域相同區(qū)域相比，溝道長方向上的寬度窄。

2.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具備：

第1及第2晶體管，溝道長度及溝道寬度彼此相等，且作為晶體管對(duì)來使用；和

第3及第4晶體管，溝道長度及溝道寬度彼此相等，且作為晶體管對(duì)來使用，

所述第1及第2晶體管具有第1及第2活性區(qū)域相同區(qū)域，其由該晶體管的活性區(qū)域和在所述活性區(qū)域的周圍隔著元件分離區(qū)域所形成的周圍活性區(qū)域組成的活性區(qū)域圖案彼此相同，

所述第3及第4晶體管具有第3及第4活性區(qū)域相同區(qū)域，其由該晶體管的活性區(qū)域和在所述活性區(qū)域的周圍隔著元件分離區(qū)域所形成的周圍活性區(qū)域組成的活性區(qū)域圖案彼此相同，

所述第3及第4晶體管的活性區(qū)域與所述第1及第2晶體管的活性區(qū)域相比，溝道寬方向上的長度長，

所述第3及第4活性區(qū)域相同區(qū)域與所述第1及第2活性區(qū)域相同區(qū)域相比，溝道寬方向上的寬度窄。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

所述周圍活性區(qū)域中的至少一部分構(gòu)成偽元件。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

所述周圍活性區(qū)域中的至少一部分構(gòu)成有源元件。

5.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具備：

第1及第2晶體管，溝道長度及溝道寬度彼此相等，且作為晶體管對(duì)來使用；和

第3及第4晶體管，溝道長度及溝道寬度彼此相等，且作為晶體管對(duì)來使用，

所述第1及第2晶體管具有第1及第2柵極電極相同區(qū)域，其由該晶體管的柵極電極和形成在所述柵極電極的周圍的周圍柵極電極組成的柵極電極圖案彼此相同，

所述第3及第4晶體管具有第3及第4柵極電極相同區(qū)域，其由該晶體管的柵極電極和形成在所述柵極電極的周圍的周圍柵極電極組成的柵極電極圖案彼此相同，

所述第3及第4晶體管的溝道長度比所述第1及第2晶體管的溝道長度長，

所述第3及第4柵極電極相同區(qū)域與所述第1及第2柵極電極相同區(qū)域相比，溝道長方向上的寬度窄。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

所述周圍柵極電極中的至少一部分是偽柵極電極。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

所述周圍柵極電極中的至少一部分是有源柵極電極。

8.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具備：

第1及第2晶體管，溝道長度及溝道寬度彼此相等，且作為晶體管對(duì)來使用；和

第3及第4晶體管，溝道長度及溝道寬度彼此相等，且作為晶體管對(duì)來使用，

所述第1及第2晶體管具有：第1及第2活性區(qū)域相同區(qū)域，其由該晶體管的活性區(qū)域和在所述活性區(qū)域的周圍隔著元件分離區(qū)域所形成的周圍活性區(qū)域組成的活性區(qū)域圖案彼此相同；和第1及第2柵極電極相同區(qū)域，由該晶體管的柵極電極和形成在所述柵極電極的周圍的周圍柵極電極組成的柵極電極圖案彼此相同，

所述第3及第4晶體管具有：第3及第4活性區(qū)域相同區(qū)域，其由該晶體管的活性區(qū)域和在所述活性區(qū)域的周圍隔著元件分離區(qū)域所形成的周圍活性區(qū)域組成的活性區(qū)域圖案彼此相同；和第3及第4柵極電極相同區(qū)域，其由該晶體管的柵極電極和形成在所述柵極電極的周圍的周圍柵極電極組成的柵極電極圖案彼此相同，

所述第1及第2活性區(qū)域相同區(qū)域和所述第1及第2柵極電極相同區(qū)域的尺寸不同，

所述第3及第4活性區(qū)域相同區(qū)域和所述第3及第4柵極電極相同區(qū)域的尺寸不同。