[發(fā)明專(zhuān)利]用于閃存存儲(chǔ)器中寫(xiě)入端單元間干擾減輕的方法和裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200980132503.1
• 申請(qǐng)日: 2009-06-30
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102132348A
• 公開(kāi)（公告）日: 2011-07-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: E·F·哈拉特施;M·伊威科維克;V·克拉琦科夫斯基;N·米拉德諾維奇;A·維賈耶夫;J·延
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: LSI公司
• 主分類(lèi)號(hào): G11C16/10
• 分類(lèi)號(hào): G11C16/10;G11C11/56
• 代理公司: 中國(guó)國(guó)際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專(zhuān)利商標(biāo)事務(wù)所 11038
• 代理人: 劉倜

相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用

本發(fā)明要求在2008年7月1日提交的序列號(hào)為No.61/133,675的美國(guó)臨時(shí)專(zhuān)利申請(qǐng)、在2008年7月3日提交的序列號(hào)為No.61/133,921的美國(guó)臨時(shí)專(zhuān)利申請(qǐng)、在2008年7月10日提交的序列號(hào)為No.61/134,688的美國(guó)臨時(shí)專(zhuān)利申請(qǐng)、在2008年7月22日提交的序列號(hào)為No.61/135,732的美國(guó)臨時(shí)專(zhuān)利申請(qǐng)、和在2008年9月30日提交的序列號(hào)為No.61/194,751的美國(guó)臨時(shí)專(zhuān)利申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)，通過(guò)引用將這些申請(qǐng)合并于此。

本申請(qǐng)涉及在2009年3月11日提交的題為“Methods?and?Apparatus?for?Storing?Data?in?a?Multi-Level?Cell?Flash?Memory?Device?with?Cross-Page?Sectors，Multi-Page?Coding?and?Per-Page?Coding”的序列號(hào)為No.PCT/US09/36810的國(guó)際專(zhuān)利申請(qǐng)，以及與其同時(shí)提交的題為“Methods?and?Apparatus?for?Read-Side?Intercell?Interference?Mitigation?in?Flash?Memories”的國(guó)際專(zhuān)利申請(qǐng)、題為“Methods?and?Apparatus?for?Interfacing?Between?a?Flash?Memory?Controller?and?a?Flash?Memory?Array”的國(guó)際專(zhuān)利申請(qǐng)、題為“Methods?and?Apparatus?for?Intercell?Interference?Mitigation?Using?Modulation?Coding”的國(guó)際專(zhuān)利申請(qǐng)、和題為“Methods?and?Apparatus?for?Soft?Demapping?and?Intercell?Interference?Mitigation?in?Flash?Memories”的國(guó)際專(zhuān)利申請(qǐng)；通過(guò)引用將這些申請(qǐng)合并于此。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明通常涉及閃存存儲(chǔ)器器件，更具體地，涉及用于減輕這些閃存存儲(chǔ)器器件中的單元間干擾的影響的改進(jìn)的技術(shù)。

背景技術(shù)

諸如閃存存儲(chǔ)器器件的許多存儲(chǔ)器器件使用模擬存儲(chǔ)器單元存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。每個(gè)存儲(chǔ)器單元存儲(chǔ)諸如電荷或電壓的模擬值，其也被稱(chēng)為存儲(chǔ)值。存儲(chǔ)值表示單元中存儲(chǔ)的信息。在閃存存儲(chǔ)器器件中，例如，每個(gè)模擬存儲(chǔ)器單元典型地存儲(chǔ)某個(gè)電壓。每個(gè)單元的可能的模擬值的范圍典型地被劃分成閾值區(qū)域，每個(gè)區(qū)域?qū)?yīng)于一個(gè)或更多個(gè)數(shù)據(jù)位值。通過(guò)寫(xiě)入對(duì)應(yīng)于所期望的一個(gè)或更多個(gè)位的標(biāo)稱(chēng)模擬值，將數(shù)據(jù)寫(xiě)入模擬存儲(chǔ)器單元。

單電平單元(SLC)閃存存儲(chǔ)器器件例如每個(gè)存儲(chǔ)器單元存儲(chǔ)一個(gè)位(或者，兩個(gè)可能的存儲(chǔ)器狀態(tài))。另一方面，多電平單元(MLC)閃存存儲(chǔ)器器件每個(gè)存儲(chǔ)器單元存儲(chǔ)兩個(gè)或更多個(gè)位(即，每個(gè)單元具有四個(gè)或更多個(gè)可編程狀態(tài))。對(duì)于MLC閃存存儲(chǔ)器器件的更詳細(xì)的討論，參見(jiàn)例如在2009年3月11日提交的題為“Methods?and?Apparatus?for?Storing?Data?in?a?Multi-Level?Cell?Flash?Memory?Device?with?Cross-Page?Sectors，Multi-Page?Coding?and?Per-Page?Coding”的序列號(hào)為No.PCT/US09/36810的國(guó)際專(zhuān)利申請(qǐng)，通過(guò)引用將其合并于此。

在多電平NAND閃存存儲(chǔ)器器件中，例如，使用具有在被劃分成多個(gè)區(qū)間的范圍中的可編程閾值電壓的浮柵器件，每個(gè)區(qū)間對(duì)應(yīng)于不同的多位值。為了將給定多位值編程到存儲(chǔ)器單元中，存儲(chǔ)器單元中的浮柵器件的閾值電壓被編程到對(duì)應(yīng)于該值的閾值電壓區(qū)間中。