[發明專利]輻射源、光刻設備以及器件制造方法

有效

• 申請號: 200980131716.2
• 申請日: 2009-07-09
• 公開（公告）號: CN102150084A
• 公開（公告）日: 2011-08-10
• 發明（設計）人: M·J·J·杰克;W·A·索爾;M·M·J·W·范赫彭;V·Y·班尼恩;A·M·雅庫尼恩
• 申請（專利權）人: ASML荷蘭有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 王波波

相關申請的參照援引

本申請要求于2008年8月14日遞交的美國臨時申請61/136,150的權益，其通過參考全文并入。

本申請要求于2008年10月20日遞交的美國臨時申請61/136,983的權益，其通過參考全文并入。

本申請要求于2008年7月11日遞交的美國臨時申請61/079,975的權益，其通過參考全文并入。

技術領域

本發明涉及一種光譜純度濾光片、用于極紫外(EUV)輻射光刻設備的輻射源、光刻設備以及器件制造方法。

背景技術

光刻設備是一種將所需圖案應用到襯底上，通常是襯底的目標部分上的機器。例如，可以將光刻設備用在集成電路(IC)的制造中。在這種情況下，可以將可選地稱為掩模或掩模版的圖案形成裝置用于生成待形成在所述IC的單層上的電路圖案。可以將該圖案轉移到襯底(例如，硅晶片)上的目標部分(例如，包括一部分管芯、一個或多個管芯)上。所述圖案的轉移通常是通過將圖案成像到提供到襯底上的輻射敏感材料(抗蝕劑)層上而實現的。通常，單個襯底將包含連續形成圖案的相鄰目標部分的網絡。公知的光刻設備包括：步進機，在步進機中，通過將全部圖案一次曝光到所述目標部分上來輻射每一個目標部分；和掃描器，在所述掃描器中，通過輻射束沿給定方向(“掃描”方向)掃描所述圖案、同時沿與該方向平行或反向平行的方向同步地掃描所述襯底來輻射每一個目標部分。

為了能夠將更小的結構投影到襯底上，已經提出使用極紫外輻射(EUV)，所述極紫外輻射是具有在10-20nm范圍內，例如在13-14nm范圍內的波長的電磁輻射。此外，還提出可以使用波長小于10nm的極紫外輻射，例如在5-10nm范圍內(例如6.7nm或6.8nm)。

可以使用等離子體產生輻射。例如通過引導激光到合適材料(例如錫)的顆粒處、或通過引導激光到合適氣體或蒸汽(例如氙氣或鋰蒸汽)的束流處，可以產生等離子體。最終的等離子體發射輸出輻射，例如EUV輻射，使用收集器(例如反射鏡入射收集器)收集所述輸出輻射，其中所述收集器接收輻射并且將所述輻射聚焦成束。這種輻射源通常稱為激光產生的等離子體(LPP)源。

除了輻射，等離子體源的等離子體產生顆粒形式的污染物，例如熱化原子、離子、納米團簇和/或微粒。污染物與想要的輻射一起從輻射源朝向收集器輸出，并且可以引起對入射收集器和/或其他部件的損傷。

除了想要的輻射，輻射源還可能輸出伴隨輻射。除了想要的極紫外輻射，例如，極紫外等離子體輻射源可能輸出伴隨輻射，該伴隨輻射具有選自20-400nm范圍的波長，最特別的是具有深紫外范圍(100-400nm)的波長。此外，伴隨輻射可能包括EUV輻射，具體說，特定波長或波長范圍的極紫外輻射是想要的，而在輸出輻射中其他EUV輻射不是具有特定波長的想要的EUV輻射或者不是具有特定波長范圍的想要的EUV輻射。這種伴隨輻射可能在LPP輻射源中由于用于生成等離子體的激光而生成，該激光輻射具有比極紫外輻射長的波長(通常為來自CO₂激光器的10.6μm的波長輻射)。

在光刻技術中，期望改善光譜純度，即從輸出束中去除伴隨輻射以輸出較高比例的想要的輻射。例如，抗蝕劑對伴隨輻射的波長敏感，并因此圖像品質可能被劣化。因為極紫外光刻設備的光學元件具有高的反射率(例如，對于來自LPP源的10.6μm波長的伴隨輻射的情況)，因此，伴隨輻射能夠以相當大的功率到達襯底。附加地或替換地，伴隨輻射，在LPP輻射源中尤其是激光輻射，會導致圖案形成裝置、襯底和/或光學元件的不想要的升溫。

因此，期望提供例如一種用于在輻射源中使用或與輻射源一起使用的光譜純度濾光片，其中可以完全地或部分地去除伴隨輻射和/或有效地減少污染物。

發明內容

根據本發明的一方面，提供一種光譜純度濾光片，配置成允許極紫外(EUV)輻射透射通過其中并且折射或反射非極紫外伴隨輻射。

在一個實施例中，在光譜純度濾光片的材料中限定至少一個孔，所述孔具有大于極紫外輻射的波長且小于非極紫外伴隨輻射的波長的橫跨尺寸。至少一個孔可以改善極紫外輻射的透射，但是基本上不改變材料對非極紫外伴隨輻射的光學性質。

在一個實施例中，所述材料透射非極紫外伴隨輻射。這可以是有利的，因為非極紫外伴隨輻射不加熱材料。