[發(fā)明專利]減少基材上粒子污染的平臺及其方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200980131177.2
• 申請日: 2009-06-19
• 公開（公告）號: CN102119439A
• 公開（公告）日: 2011-07-06
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 大衛(wèi)·蘇若恩;岱爾·K·史東;茂雄·S·大城;亞瑟·P·瑞福;愛德華·D·梅克英特許
• 申請（專利權(quán)）人: 瓦里安半導(dǎo)體設(shè)備公司
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683;H01L21/687;H01L21/265
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205
• 代理人: 臧建明

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種用以支撐一基材的平臺裝置，尤其涉及一種于處理基材時減少粒子污染的平臺及其方法。

背景技術(shù)

離子植入或摻雜為制造電子裝置中多個處理過程中的一個過程。于現(xiàn)有的技術(shù)中，可利用束線離子植入系統(tǒng)來執(zhí)行離子植入。圖1為束線離子植入系統(tǒng)的方塊圖。現(xiàn)有的離子植入系統(tǒng)100可包括一離子源104、多個束線(beam-line)元件以及一末端站(end?station)。于現(xiàn)有技術(shù)中，離子源104可用來產(chǎn)生所要種類(species)102的離子。產(chǎn)生的離子可以藉由束線元件105而從離子源104取出。類似于一連續(xù)的光學(xué)透鏡來操作一光束，束線元件105操作各離子102使成為離子束102且使離子束102朝向一晶圓106與一支撐該晶圓106的平臺108所在的末端站110。離子束直接朝著末端站而射入于晶圓106上且離子植入得以進行。

離子植入也可利用一等離子體摻雜(PLAD)或等離子體浸沒離子植入(PIII)系統(tǒng)來進行。在等離子體摻雜系統(tǒng)中，晶圓106與支撐該晶圓106的平臺108是配置于一處理室中。同時，包含一所要種類的處理(process)氣體是進入于等離子體摻雜系統(tǒng)的等離子體源中。于有些系統(tǒng)中，等離子體源可鄰近處理室。于其他系統(tǒng)中，等離子體源可移開且遠離處理室。接著，該處理氣體可轉(zhuǎn)換成等離子體210，其包含電子、所要種類的離子202、中子與/或殘余物。晶圓106可以加偏壓，且所要種類的離子202可以植入于晶圓中。

平臺108可在離子植入時用以支撐該晶圓106。平臺108可包括多個靜電地鉗緊(clamp)該晶圓106至平臺108的電極(未繪示)。于其他實施例中，平臺108可以使晶圓106在多個不同方向中移動(例如，平移、旋轉(zhuǎn)、傾斜等)。

平臺108可用來控制多個離子置入的參數(shù)。舉例來說，平臺108可用來維持晶圓106的溫度在一所要值。因為離子植入過程為一需能量的過程，晶圓106的溫度會提升至超過所所要的溫度。一般來說，平臺108是用來防止基材過熱。現(xiàn)有的平臺可具有沿著已安裝的晶圓106而設(shè)置的冷卻凹陷(未繪示)，其可定義出一冷卻區(qū)域(未繪示)。冷卻氣體可引入于冷卻區(qū)域中且維持在一預(yù)定壓力，如此使氣體可接觸到晶圓106與冷卻的晶圓106。

平臺108可用來控制其他的植入?yún)?shù)，包括晶圓106中防止過度的充電增長。現(xiàn)有技術(shù)中，當(dāng)晶圓106以充電的離子來轟擊時，過度充電會在晶圓106中形成。過度充電的形成會造成電弧且導(dǎo)致晶圓106的嚴重失效。此外，充電的形成會于完成離子植入過程后使晶圓106由平臺108松開(de-clamped)時受到阻礙。為了避免過度充電的形成，晶圓106與206可包含一或多個接地電路(未繪示)，其將晶圓106電性連接至地面且降低過度充電的形成。

在現(xiàn)有的平臺108中，平臺108的部分是直接連接至晶圓106。這樣的接觸會產(chǎn)生碎片。碎片會漂移至晶圓106的前側(cè)，且此側(cè)即為離子束所射入的那側(cè)。鄰近該晶圓106的前側(cè)的碎片是不利的，此乃因碎片會干涉植入過程，且最后會造成小于最佳效果的設(shè)備。因此，改進的平臺是需要。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明揭示減少基材上粒子污染的技術(shù)。在一實施例中，此技術(shù)可以一具有多個不同區(qū)域的平臺來實施，其中這些區(qū)域中的壓力值可實質(zhì)上相同。舉例來說，平臺可包括一平臺主體，其包含第一與第二凹陷，第一凹陷定義出一流體區(qū)域用以保持流體以維持基材的溫度于一預(yù)定溫度，第二凹陷定義出一第一凹槽(cavity)用以保持一接地電路；一第一介層窗(via)定義于平臺主體中，第一介層窗具有第一與第二開口，第一開口鄰近流體區(qū)域，而第二開口鄰近第一凹槽，其中流體區(qū)域的壓力值可維持在一準位，且此準位實質(zhì)上相等于第一凹槽的壓力值。

依據(jù)本實施例的另一方面，流體區(qū)域可與第一凹槽處于壓力平衡。

依據(jù)本實施例的又一方面，流體區(qū)域可與第一凹槽處于流體相通。

依據(jù)本實施例的其他方面，平臺可還包括一流體通道，其中流體區(qū)域通過流體通道而使流體流通于第一凹槽。

依據(jù)本實施例的其他方面，流體通道可提供于平臺主體內(nèi)。

依據(jù)本實施例的其他方面，流體通道可提供于接地電路內(nèi)。

依據(jù)本實施例的其他方面，接地電路可包括一接地引腳(pin)，其具有一引腳主體與一套管(sleeve)，且流體通道可提供于套管內(nèi)。

依據(jù)本實施例的其他方面，接地電路可包括一接地引腳，其具有一引腳主體與一套管，其中流體通道可提供于引腳主體內(nèi)。