[發明專利]減少基材上粒子污染的平臺及其方法有效
| 申請號: | 200980131177.2 | 申請日: | 2009-06-19 |
| 公開(公告)號: | CN102119439A | 公開(公告)日: | 2011-07-06 |
| 發明(設計)人: | 大衛·蘇若恩;岱爾·K·史東;茂雄·S·大城;亞瑟·P·瑞福;愛德華·D·梅克英特許 | 申請(專利權)人: | 瓦里安半導體設備公司 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683;H01L21/687;H01L21/265 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205 | 代理人: | 臧建明 |
| 地址: | 美國麻*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 減少 基材 粒子 污染 平臺 及其 方法 | ||
1.一種平臺,于處理一基材時用以支撐該基材,該平臺包括:
一平臺主體,包括一第一凹陷與一第二凹陷,該第一凹陷定義出一流體區域,以保持流體而將基材的溫度維持在一預定溫度,該第二凹陷定義出一第一凹槽,以保持一接地電路;以及
一第一介層窗,定義于該平臺主體內,該第一介層窗具有一第一開口與一第二開口,該第一開口鄰近該流體區域,該第二開口鄰近該第一凹槽;
其中該流體區域的壓力值維持在一準位,且該準位實質上相等于該第一凹槽的壓力值。
2.根據權利要求1所述的平臺,其中該流體區域與該第一凹槽處于壓力平衡。
3.根據權利要求1所述的平臺,其中該流體區域與該第一凹槽處于流體相通。
4.根據權利要求3所述的平臺,還包括:
一流體通道,其中該流體區域通過該流體通道而與該第一凹槽處于流體相通。
5.根據權利要求4所述的平臺,其中該流體通道提供于該平臺主體內。
6.根據權利要求4所述的平臺,其中該流體通道提供于該接地電路內。
7.根據權利要求6所述的平臺,其中該接地電路包括一接地引腳,其具有一引腳主體與一套管,其中該流體通道提供于該套管內。
8.根據權利要求6所述的平臺,其中該接地電路包括一接地引腳,其具有一引腳主體與一套管,其中該流體通道提供于該引腳主體內。
9.根據權利要求6所述的平臺,其中該接地電路包括一接地引腳,其具有一引腳主體與一套管,其中該套管是可透氣的,且該流體通道提供于透氣的該套管內。
10.根據權利要求7所述的平臺,其中該流體通道為一溝槽的形式。
11.根據權利要求6所述的平臺,其中該接地電路包括一接地引腳,其具有一引腳主體與一套管,其中該流體通道為一溝槽的形式,且該溝槽提供于該套管內。
12.根據權利要求11所述的平臺,其中該溝槽在一方向中延伸。
13.根據權利要求11所述的平臺,其中該溝槽為一螺旋狀溝槽。
14.一種接地引腳,用以將基材連接于地面,包括:
一引腳主體;以及
一套管,支撐該引腳主體,該套管包括一流體通道,以傳輸流體。
15.根據權利要求14所述的接地引腳,其中該流體通道為一溝槽的形式,配置于該套管的一外表面與一內表面的至少其中之一表面上。
16.根據權利要求14所述的接地引腳,其中該流體通道為一介層窗的形式,配置于該套管的一外表面與一內表面之間。
17.根據權利要求15所述的接地引腳,其中該溝槽為一螺旋狀溝槽。
18.一種在正被處理的基材上使粒子污染減少的方法,包括:
裝載該基材于一平臺上;
引進流體至一流體區域,該流體區域鄰近于該基材與該平臺的平臺主體;
維持該流體區域于一第一壓力值;以及
維持該平臺主體所定義出的一第一凹槽于第二壓力值,該第二壓力值實質上相等于該第一壓力值。
19.根據權利要求18所述的在正被處理的基材上使粒子污染減少的方法,還包括:
提供一流體通道,其中該流體區域通過該流體通道使流體流通于該第一凹槽。
20.根據權利要求19所述的在正被處理的基材上使粒子污染減少的方法,其中該流體區域通過該平臺主體而與該第一凹槽隔開,且其中該流體通道提供于該平臺主體內。
21.根據權利要求19所述的在正被處理的基材上使粒子污染減少的方法,還包括:
一接地引腳,用以連接該基材至地面,其中該流體通道提供于該接地引腳內。
22.根據權利要求21所述的在正被處理的基材上使粒子污染減少的方法,其中該接地引腳還包括一引腳主體與一套管,其中該流體通道提供于該套管內。
23.根據權利要求22所述的在正被處理的基材上使粒子污染減少的方法,其中該流體通道為一溝槽的形式,配置于該套管的外表面上。
24.根據權利要求23所述的在正被處理的基材上使粒子污染減少的方法,其中該溝槽為一螺旋狀溝槽。
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H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





