[發(fā)明專利]用于共點(diǎn)成像的TOF質(zhì)譜儀及其相關(guān)方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200980127861.3
• 申請日: 2009-07-16
• 公開（公告）號: CN102099892A
• 公開（公告）日: 2011-06-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 安德魯·鮑德勒
• 申請（專利權(quán)）人: 奎托斯分析有限公司
• 主分類號: H01J49/40
• 分類號: H01J49/40;H01J49/42
• 代理公司: 北京康信知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11240
• 代理人: 余剛;吳孟秋

1.一種TOF質(zhì)譜儀，具有：

脈沖提取離子源，用于由樣本生成離子脈沖；

空間檢測器，用于檢測所述離子脈沖中的離子和所述離子撞擊所述檢測器的位置；以及

離子光學(xué)透鏡，位于所述離子源和所述空間檢測器之間，用于提供電場，以隨著所述離子脈沖穿過所述電場而使所述離子脈沖中的離子聚焦；

其中，所述TOF質(zhì)譜儀包括用于隨著所述離子脈沖穿過所述電場而調(diào)整所述電場的電場調(diào)整裝置。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的TOF質(zhì)譜儀，其中，所述空間檢測器為延遲線檢測器或具有多個(gè)陽極。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的TOF質(zhì)譜儀，其中，所述電場調(diào)整裝置包括用于隨著所述離子脈沖穿過由所述離子光學(xué)透鏡提供的所述電場而向所述離子光學(xué)透鏡施加電壓波形的電壓波形發(fā)生器。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的TOF質(zhì)譜儀，其中，所述質(zhì)譜儀包括用于控制所述電壓波形發(fā)生器的控制裝置，所述控制裝置可選地具有用于隨著所述離子脈沖穿過所述電場而增大由所述電壓波形發(fā)生器向所述離子光學(xué)透鏡施加的電壓的裝置，和/或具有用于控制所述電壓波形發(fā)生器的裝置以向所述離子光學(xué)透鏡施加線性波形、指數(shù)波形、階梯狀波形或振蕩波形中的任何一種或更多種。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的TOF質(zhì)譜儀，其中，所述控制裝置包括用于存儲(chǔ)將由所述電壓波形發(fā)生器向所述離子光學(xué)透鏡施加的電壓波形的存儲(chǔ)器，和/或包括用于計(jì)算將由所述電壓波形發(fā)生器向所述離子光學(xué)透鏡施加的電壓波形的計(jì)算裝置。

6.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的TOF質(zhì)譜儀，其中，所述控制裝置耦合至所述離子源，從而使對所述電壓波形的控制至少部分地取決于所述離子源的一種以上的屬性。

7.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的TOF質(zhì)譜儀，其中，所述質(zhì)譜儀包括具有供所述離子脈沖穿過的孔的離子光學(xué)元件，當(dāng)使用所述質(zhì)譜儀時(shí)，所述孔的寬度與所述離子脈沖的寬度之比至少為5∶1。

8.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的TOF質(zhì)譜儀，其中，所述電場調(diào)整裝置具有用于隨著所述離子脈沖穿過所述電場而調(diào)整由所述離子光學(xué)透鏡提供的所述電場的強(qiáng)度和/或形狀的裝置。

9.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的TOF質(zhì)譜儀，其中，所述離子光學(xué)透鏡為單透鏡；所述離子源從激光解吸(無矩陣)、MALDI以及SIMS(次級離子質(zhì)譜分析)離子源中選出；并且所述質(zhì)譜儀包括反射器。

10.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的TOF質(zhì)譜儀，其中，所述TOF質(zhì)譜儀為TOF?MS/MS質(zhì)譜儀。

11.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的TOF質(zhì)譜儀，其中，所述電場調(diào)整裝置布置成在小于1秒的時(shí)間段內(nèi)調(diào)整由所述離子光學(xué)透鏡提供的所述電場。

12.一種使離子脈沖在TOF質(zhì)譜儀中空間地聚焦的方法，所述方法包括：由樣本生成離子脈沖；

提供電場，以使所述離子脈沖空間地聚焦；以及

檢測通過所述電場聚焦的所述離子脈沖，其中，隨著所述離子脈沖穿過所述電場而調(diào)整所述電場。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，所述方法包括生成所述樣本的圖像的步驟。

14.根據(jù)權(quán)利要求12或13所述的方法，其中，由離子光學(xué)透鏡提供所述電場，并且隨著所述離子脈沖穿過所述電場而通過向所述離子光學(xué)透鏡施加電壓波形來調(diào)整所述電場；從而使向所述離子光學(xué)透鏡施加的電壓隨著所述離子脈沖穿過所述電場而增大。

15.根據(jù)權(quán)利要求12至14中任一項(xiàng)所述的方法，其中，在小于1秒的時(shí)間段內(nèi)調(diào)整所述電場。

16.一種TOF質(zhì)譜儀，具有：

脈沖提取離子源，用于由樣本生成離子脈沖；

離子光學(xué)透鏡，用于隨著所述離子脈沖穿過所述離子光學(xué)透鏡而使所述離子脈沖聚焦；

空間檢測器，用于檢測通過所述離子光學(xué)透鏡聚焦的離子并且測量所述離子撞擊所述檢測器的位置；以及

電壓波形發(fā)生器，用于隨著所述離子脈沖穿過所述離子光學(xué)透鏡而向所述離子光學(xué)透鏡施加電壓波形。

17.一種可變電場的應(yīng)用，以使離子脈沖中的離子在TOF質(zhì)譜儀中空間地聚焦。