[發明專利]非易失性存儲器的擦除-驗證處理

有效

• 申請號: 200980127761.0
• 申請日: 2009-05-28
• 公開（公告）號: CN102099867A
• 公開（公告）日: 2011-06-15
• 發明（設計）人: 格里特.J.赫明克;李世俊;三輪達;方家榮;萬鈞;大和田健
• 申請（專利權）人: 桑迪士克公司
• 主分類號: G11C16/34
• 分類號: G11C16/34
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 黃小臨

1.一種用于操作非易失性存儲器的方法，包括：

對非易失性存儲元件的集合進行特定擦除功能；以及

響應于所述特定擦除功能，對所述非易失性存儲元件的不同的重疊并鄰近的子集分別進行驗證。

2.根據權利要求1的方法，其中響應于所述特定擦除功能、對所述非易失性存儲元件的不同的重疊并鄰近的子集分別進行驗證包括：

在不同時間向非易失性存儲器件的所述重疊并鄰近的子集施加測試信號的多個集合；以及

在所述不同時間并響應于所述測試信號，感測接收所述測試信號的非易失性存儲元件的情況信息。

3.根據權利要求2的方法，其中：

所述測試信號處于公共電壓。

4.根據權利要求2或3的方法，還包括：

在施加所述測試信號時，向不在各個子集中的非易失性存儲元件施加過驅動信號。

5.根據權利要求1、2、3或4的方法，其中：

所述特定擦除功能是擦除脈沖；以及

響應于所述特定擦除功能、對所述非易失性存儲元件的不同的重疊并鄰近的子集分別進行驗證包括針對特定擦除脈沖來對在多個子集中的那些非易失性存儲元件驗證兩次。

6.根據權利要求1或5的方法，其中響應于所述特定擦除功能、對所述非易失性存儲元件的不同的重疊并鄰近的子集分別進行驗證包括：

向非易失性存儲元件的第一子集施加一個或多個測試信號；

感測非易失性存儲元件的所述第一子集的情況信息；

向與非易失性存儲元件的所述第一子集重疊的非易失性存儲元件的第二子集施加一個或多個測試信號；以及

感測連接的非易失性存儲元件的所述第二子集的情況信息。

7.根據權利要求6的方法，其中：

所述非易失性存儲元件是布置在NAND串上的NAND閃存器件；

所述第一子集和所述第二子集包括共同的NAND串的部分；以及

所述測試信號被施加到與所述NAND串連接的字線。

8.根據權利要求1-7的任意一項的方法，還包括：

對非易失性存儲元件的所述集合進行多個擦除操作，并在每個所述擦除操作之后對少于非易失性存儲元件的所有子集的非易失性存儲元件進行驗證，其中，在所述特定擦除功能之前進行多個擦除操作的執行和在每個所述擦除操作之后對少于非易失性存儲元件的所有子集的非易失性存儲元件的驗證的執行。

9.一種非易失性存儲裝置，包括：

多個非易失性存儲元件；以及

與所述多個非易失性存儲元件通信的一個或多個管理電路，所述一個或多個管理電路向非易失性存儲器件的不同子集分別施加測試信號，包括向在特定子集的邊緣處的非易失性存儲元件施加與不在所述特定子集的邊緣處的非易失性存儲元件相比不同的測試信號，所述一個或多個管理電路響應于所述測試信號而感測所述不同子集的情況信息。

10.根據權利要求9的非易失性存儲裝置，其中：

所述一個或多個管理電路向不在正被感測的子集中的非易失性存儲元件施加過驅動信號；以及

所述非易失性存儲元件的所述不同子集包括鄰近并連接的非易失性存儲元件。

11.根據權利要求9或10的非易失性存儲裝置，其中：

所述向在特定子集的邊緣處的非易失性存儲元件施加與不在所述特定子集的邊緣處的非易失性存儲元件相比不同的測試信號包括向不在所述特定子集的邊緣處的非易失性存儲元件施加較高的電壓，并且向在所述特定子集的邊緣處的所述非易失性存儲元件施加較低的電壓。

12.根據權利要求9、10或11的非易失性存儲裝置，其中：

所述一個或多個管理電路進行擦除功能，所述感測情況信息是對驗證所述擦除功能的嘗試。

13.根據權利要求9-12的任意一項的非易失性存儲裝置，其中：

所述一個或多個管理電路重復地進行所述擦除功能和所述感測，直到一個或多個子集被成功驗證。

14.根據權利要求9的非易失性存儲裝置，其中：

所述一個或多個管理電路對所述多個非易失性存儲元件進行擦除操作的多次重復，并在所述一個或多個管理電路向非易失性存儲器件的不同子集分別施加測試信號之前對非易失性存儲元件的所述集合中的一個子集進行驗證操作。

15.根據權利要求9的非易失性存儲裝置，其中：

所述非易失性存儲元件的所述不同子集包括布置在NAND串中的非易失性存儲元件。