[發(fā)明專利]用于化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器的方法和設(shè)備

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200980126036.1
• 申請(qǐng)日: 2009-05-29
• 公開（公告）號(hào): CN102084460A
• 公開（公告）日: 2011-06-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 何甘;雷格·東克;凱思德·索拉布吉;羅杰·哈曼吉;安德瑞斯·海吉杜斯;美利莎·艾契爾;哈利·艾華特;斯圖爾特·索南費(fèi)爾特
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 奧塔裝置公司
• 主分類號(hào): H01L21/205
• 分類號(hào): H01L21/205
• 代理公司: 北京安信方達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11262
• 代理人: 武晶晶;鄭霞

發(fā)明背景

發(fā)明領(lǐng)域

本發(fā)明的實(shí)施方案通常涉及用于氣相沉積的方法及設(shè)備，且更具體地，涉及化學(xué)氣相沉積工藝及室。

相關(guān)技術(shù)的描述

化學(xué)氣相沉積(“CVD”)是薄膜通過蒸氣相化學(xué)藥品的反應(yīng)而在基體(substrate)例如晶片上的沉積。化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器用于在基體上沉積具有不同組成的薄膜。CVD在許多活動(dòng)中，例如在半導(dǎo)體、太陽(yáng)能、顯示器及其他電子應(yīng)用的器件制造期間被高度利用。

針對(duì)非常不同的應(yīng)用存在很多類型的CVD反應(yīng)器。舉例來(lái)說(shuō)，CVD反應(yīng)器包括大氣壓反應(yīng)器、低壓反應(yīng)器、低溫反應(yīng)器、高溫反應(yīng)器和等離子體增強(qiáng)反應(yīng)器。這些截然不同的設(shè)計(jì)處理在CVD工藝期間所遭遇的種種挑戰(zhàn)，例如耗盡效應(yīng)、污染問題和反應(yīng)器維修。

盡管有許多不同的反應(yīng)器設(shè)計(jì)，但對(duì)新的和改進(jìn)的CVD反應(yīng)器設(shè)計(jì)仍有持續(xù)的需求。

發(fā)明概述

本發(fā)明的實(shí)施方案通常涉及浮動(dòng)的基體運(yùn)載裝置(levitating?substrate?carrier)或支撐件。在一個(gè)實(shí)施方案中，提供用于支撐及運(yùn)載通過反應(yīng)器的至少一個(gè)基體或晶片的基體運(yùn)載裝置，其包括：基體運(yùn)載裝置主體，其包括上表面和下表面；及至少一個(gè)壓痕袋，其配置在下表面內(nèi)部。在另一實(shí)施方案中，基體運(yùn)載裝置包括：基體運(yùn)載裝置主體，其包括上表面和下表面；及至少兩個(gè)壓痕袋，其配置在下表面內(nèi)部。在另一實(shí)施方案中，基體運(yùn)載裝置包括：基體運(yùn)載裝置主體，其包括上表面和下表面；壓痕區(qū)域，其位于上表面內(nèi)部；及至少兩個(gè)壓痕袋，其配置在下表面內(nèi)部。在另一實(shí)施方案中，基體運(yùn)載裝置包括：基體運(yùn)載裝置主體，其包括上表面和下表面；壓痕區(qū)域，其位于上表面內(nèi)部；及至少兩個(gè)壓痕袋，其配置在下表面內(nèi)部，其中每個(gè)壓痕袋具有矩形幾何形狀及垂直或基本上垂直于下表面延伸的四個(gè)側(cè)壁。在另一實(shí)施方案中，基體運(yùn)載裝置包括：基體運(yùn)載裝置主體，其包括上表面和下表面；及至少兩個(gè)壓痕袋，其配置在下表面內(nèi)部，其中每個(gè)壓痕袋具有矩形幾何形狀及垂直或基本上垂直于下表面延伸的四個(gè)側(cè)壁。

在另一實(shí)施方案中，提供用于支撐及運(yùn)載通過反應(yīng)器的至少一個(gè)基體的基體運(yùn)載裝置，其包括：基體運(yùn)載裝置主體，其包括上表面和下表面；及至少一個(gè)壓痕袋，其配置在下表面內(nèi)部。基體運(yùn)載裝置主體可具有矩形幾何形狀、正方形幾何形狀或另一類型的幾何形狀。在一個(gè)實(shí)例中，基體運(yùn)載裝置主體具有兩個(gè)短側(cè)邊及兩個(gè)長(zhǎng)側(cè)邊，其中這兩個(gè)短側(cè)邊之一為基體運(yùn)載裝置主體的前部，且另一個(gè)短側(cè)邊為基體運(yùn)載裝置主體的后部。基體運(yùn)載裝置主體可包括石墨或由石墨制成。

在一些實(shí)例中，上表面包括配置在其中的至少一個(gè)壓痕區(qū)域。上表面內(nèi)部的壓痕區(qū)域配置為在其上支撐基體。在其他實(shí)例中，上表面可具有至少兩個(gè)、三個(gè)、四個(gè)、八個(gè)、十二個(gè)或更多個(gè)壓痕區(qū)域。在另一實(shí)例中，上表面不具有壓痕區(qū)域。

在另一實(shí)施方案中，下表面可具有配置為接受氣體緩沖的至少兩個(gè)壓痕袋。在一些實(shí)例中，下表面具有一個(gè)、三個(gè)或更多個(gè)壓痕袋。壓痕袋可具有矩形幾何形狀、正方形幾何形狀或另一類型的幾何形狀。每個(gè)壓痕袋通常具有兩個(gè)短側(cè)邊及兩個(gè)長(zhǎng)側(cè)邊。在一個(gè)實(shí)例中，短側(cè)邊及長(zhǎng)側(cè)邊是筆直的。短側(cè)邊及長(zhǎng)側(cè)邊相對(duì)下表面是垂直的。在另一實(shí)例中，這兩個(gè)短側(cè)邊中的至少一個(gè)以第一角度逐漸變細(xì)，這兩個(gè)長(zhǎng)側(cè)邊中的至少一個(gè)以第二角度逐漸變細(xì)，且第一角度可大于或小于第二角度。在另一實(shí)例中，這兩個(gè)短側(cè)邊中的至少一個(gè)是筆直的，且這兩個(gè)長(zhǎng)側(cè)邊中的至少一個(gè)是逐漸變細(xì)的。在另一實(shí)例中，這兩個(gè)短側(cè)邊中的至少一個(gè)是逐漸變細(xì)的，且這兩個(gè)長(zhǎng)側(cè)邊中的至少一個(gè)是筆直的。在一個(gè)實(shí)施方案中，壓痕袋具有矩形幾何形狀，且壓痕袋配置為接受氣體緩沖。壓痕袋可具有逐漸變細(xì)的側(cè)壁，側(cè)壁遠(yuǎn)離上表面逐漸變細(xì)。

在另一實(shí)施方案中，提供用于在氣相沉積工藝期間使配置在基體運(yùn)載裝置的上表面上的基體浮動(dòng)的方法，其包括：將基體運(yùn)載裝置的下表面暴露于氣流；在基體運(yùn)載裝置下方形成氣體緩沖；在處理室內(nèi)部使基體運(yùn)載裝置浮動(dòng)；及在處理室內(nèi)部沿著路徑移動(dòng)基體運(yùn)載裝置。在許多實(shí)例中，沿著該路徑的基體運(yùn)載裝置的移動(dòng)和/或基體運(yùn)載裝置的速度可通過調(diào)節(jié)氣流的流速來(lái)控制。氣體緩沖可在配置于下表面內(nèi)的至少一個(gè)壓痕袋內(nèi)部形成。在一些實(shí)例中，下表面具有至少兩個(gè)壓痕袋。壓痕袋配置為接受氣體緩沖。基體運(yùn)載裝置的上表面包括用于支撐基體的至少一個(gè)壓痕區(qū)域。壓痕袋可具有逐漸變細(xì)的側(cè)壁，側(cè)壁遠(yuǎn)離基體運(yùn)載裝置的上表面逐漸變細(xì)。