[發(fā)明專利]用于化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器的方法和設(shè)備無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200980126036.1 | 申請日: | 2009-05-29 |
| 公開(公告)號: | CN102084460A | 公開(公告)日: | 2011-06-01 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 何甘;雷格·東克;凱思德·索拉布吉;羅杰·哈曼吉;安德瑞斯·海吉杜斯;美利莎·艾契爾;哈利·艾華特;斯圖爾特·索南費爾特 | 申請(專利權(quán))人: | 奧塔裝置公司 |
| 主分類號: | H01L21/205 | 分類號: | H01L21/205 |
| 代理公司: | 北京安信方達知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11262 | 代理人: | 武晶晶;鄭霞 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 化學(xué) 沉積 反應(yīng)器 方法 設(shè)備 | ||
1.一種化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器,包括:
蓋組件,其具有主體;
軌道組件,其具有主體和導(dǎo)引路徑,所述導(dǎo)引路徑沿著所述主體的縱軸設(shè)置,其中所述蓋組件的所述主體和所述軌道組件的所述主體結(jié)合在一起,以在其間形成間隙,所述間隙配置為容納基體;以及
加熱組件,其包括多個加熱燈,所述加熱燈沿著所述軌道組件配置,并可操作為在所述基體沿著所述導(dǎo)引路徑移動時加熱所述基體。
2.如權(quán)利要求1所述的反應(yīng)器,還包括軌道組件支撐件,其中所述軌道組件配置在所述軌道組件支撐件中。
3.如權(quán)利要求1所述的反應(yīng)器,其中所述軌道組件的所述主體包括:
氣體空腔,其位于所述主體的縱軸內(nèi)部并沿著所述主體的縱軸延伸;以及
多個口,其從所述氣體空腔延伸至所述導(dǎo)引路徑的上表面,并配置為沿著所述導(dǎo)引路徑提供氣體緩沖。
4.如權(quán)利要求3所述的反應(yīng)器,其中所述軌道組件的所述主體包括石英。
5.如權(quán)利要求1所述的反應(yīng)器,其中所述蓋組件的所述主體包括配置為提供對所述導(dǎo)引路徑的流體連通的多個口。
6.如權(quán)利要求1所述的反應(yīng)器,其中所述加熱組件可操作為維持在整個所述基體上的溫度差,其中所述溫度差小于10攝氏度。
7.如權(quán)利要求1所述的反應(yīng)器,其中所述化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器為大氣壓化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器。
8.一種化學(xué)氣相沉積系統(tǒng),包括:
入口隔離器,其可操作為防止污染物在所述系統(tǒng)的入口處進入所述系統(tǒng);
出口隔離器,其可操作為防止污染物在所述系統(tǒng)的出口處進入所述系統(tǒng);
中間隔離器,其配置在所述入口隔離器和所述出口隔離器之間;
第一沉積區(qū),其配置為鄰接所述入口隔離器;以及
第二沉積區(qū),其配置為鄰接所述出口隔離器,其中所述中間隔離器配置在所述沉積區(qū)之間,并可操作為防止所述第一沉積區(qū)和所述第二沉積區(qū)之間的氣體混合。
9.如權(quán)利要求8所述的系統(tǒng),其中氣體以第一流速被注入所述入口隔離器,以防止來自所述第一沉積區(qū)的氣體的逆擴散。
10.如權(quán)利要求8所述的系統(tǒng),其中氣體以第一流速被注入所述中間隔離器,以防止所述第一沉積區(qū)和所述第二沉積區(qū)之間的氣體逆混合。
11.如權(quán)利要求8所述的系統(tǒng),其中氣體以第一流速被注入所述出口隔離器,以防止污染物在所述系統(tǒng)的所述出口處進入所述系統(tǒng)。
12.如權(quán)利要求8所述的系統(tǒng),還包括排氣裝置,所述排氣裝置配置為鄰接每個隔離器,并可操作為排出由所述隔離器注入的氣體。
13.如權(quán)利要求8所述的系統(tǒng),還包括排氣裝置,所述排氣裝置配置為鄰接每個沉積區(qū),并可操作為排出被注入所述沉積區(qū)中的氣體。
14.一種化學(xué)氣相沉積系統(tǒng),包括:
外殼;
軌道,其被所述外殼環(huán)繞,其中所述軌道包括適于將基體導(dǎo)引通過所述化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)的導(dǎo)引路徑;以及
基體運載裝置,其用于沿著所述導(dǎo)引路徑移動所述基體,其中所述軌道可操作為使所述基體運載裝置沿著所述導(dǎo)引路徑浮動。
15.如權(quán)利要求14所述的系統(tǒng),其中所述軌道包括可操作為給所述導(dǎo)引路徑提供氣體緩沖的多個開口。
16.如權(quán)利要求15所述的系統(tǒng),其中所述氣體緩沖被施加至所述基體運載裝置的底表面,以從所述軌道的底板提升所述基體運載裝置。
17.如權(quán)利要求14所述的系統(tǒng),其中所述軌道包括導(dǎo)管,所述導(dǎo)管沿著所述導(dǎo)引路徑配置,并可操作為基本上沿著所述軌道的所述導(dǎo)引路徑將所述基體運載裝置置中。
18.如權(quán)利要求17所述的系統(tǒng),其中氣體緩沖通過所述導(dǎo)管被提供給所述基體運載裝置的底表面,以基本上從所述軌道的底板提升所述基體運載裝置。
19.如權(quán)利要求14所述的系統(tǒng),其中所述軌道是傾斜的,以允許所述基體從所述導(dǎo)引路徑的第一端移動至所述導(dǎo)引路徑的第二端。
20.如權(quán)利要求14所述的系統(tǒng),還包括加熱組件,所述加熱組件包括多個加熱燈,所述加熱燈沿著所述軌道配置,并可操作為在所述基體沿著所述導(dǎo)引路徑移動時加熱所述基體。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





