[發(fā)明專利]蒸鍍裝置及薄膜裝置的制造方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200980124622.2
• 申請日: 2009-06-16
• 公開（公告）號: CN102076880A
• 公開（公告）日: 2011-05-25
• 發(fā)明（設計）人: 塩野一郎;姜友松;長江亦周;本多博光;村田尊則
• 申請（專利權）人: 株式會社新柯隆
• 主分類號: C23C14/48
• 分類號: C23C14/48;G02B5/28
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 丁香蘭;龐東成

1.一種蒸鍍裝置，該蒸鍍裝置具備：接地的真空容器、被支承在該真空容器內的基板支架、能夠保持在該基板支架上的基板、離開該基板規(guī)定距離并與該基板相向的蒸鍍單元、用于對所述基板照射離子的離子槍、以及用于對所述基板照射電子的中和器，該蒸鍍裝置的特征在于：

所述真空容器具備相對于所述真空容器電氣懸浮的內壁；

所述中和器配設在所述真空容器的側面?zhèn)龋⑶遥鲭x子槍按照離子照射口與所述基板相向的狀態(tài)配設在所述真空容器內部的與配設所述基板支架的一側相反方向的一側；

所述中和器與所述離子槍離開規(guī)定距離進行配設。

2.如權利要求1所述的蒸鍍裝置，其特征在于：

在所述內壁形成有開口區(qū)域；

所述中和器以不與所述內壁電接觸的狀態(tài)配設在所述開口區(qū)域的內側。

3.如權利要求1所述的蒸鍍裝置，其特征在于：

所述中和器以不與所述內壁電接觸的狀態(tài)配設在形成于所述內壁的開口區(qū)域的內側；

所述內壁的內側面被絕緣性陶瓷被覆。

4.如權利要求1所述的蒸鍍裝置，其特征在于：

在從所述離子槍的離子照射口朝向所述基板支架的位置具備用于限制離子的照射范圍的照射離子導向部件；

所述照射離子導向部件按照使從所述離子照射口中照射出的所述離子的擴散范圍縮小的方式進行配設，并且，所述照射離子導向部件相對于所述真空容器電氣懸浮。

5.如權利要求1所述的蒸鍍裝置，其特征在于：

在從所述中和器的電子照射口朝向所述基板支架的位置具備用于限制電子的照射范圍的照射電子導向部件；

所述照射電子導向部件按照使從所述電子照射口中照射出的所述電子的擴散范圍縮小的方式進行配設，并且，所述照射電子導向部件相對于所述真空容器電氣懸浮。

6.如權利要求1所述的蒸鍍裝置，其特征在于：

在從所述離子槍的離子照射口朝向所述基板支架的位置具備相對于所述真空容器電氣懸浮的、用于限制離子的照射范圍的照射離子導向部件，并且，在從所述中和器的電子照射口朝向所述基板支架的位置具備相對于所述真空容器電氣懸浮的、用于限制電子的照射范圍的照射電子導向部件；

所述照射離子導向部件和所述照射電子導向部件中的至少一方形成為筒狀。

7.一種薄膜裝置的制造方法，該制造方法的特征在于：

在該方法中使用蒸鍍裝置，所述蒸鍍裝置具備：

接地的真空容器，該真空容器具有相對于該真空容器本身電氣懸浮的內壁，

被支承在該真空容器內的基板支架，

能夠保持在該基板支架上的基板，

離開該基板規(guī)定距離并與該基板相向的蒸鍍單元，

用于對所述基板照射離子的離子槍，該離子槍按照離子照射口與所述基板相向的狀態(tài)配設在所述真空容器內部的與配設所述基板支架的一側相反方向的一側，

用于對所述基板照射電子的中和器，該中和器配設于所述真空容器的側面?zhèn)龋约?/p>

遮板，該遮板以分別緊靠所述蒸鍍單元的蒸鍍物質照射口和所述離子槍的離子照射口的方式配設；

在所述制造方法中進行如下工序：

將所述基板配設于所述基板支架的配設工序，

使所述基板支架以規(guī)定轉數(shù)旋轉、將所述真空容器內的壓力設定為規(guī)定值、將所述基板溫度加熱到規(guī)定值的設定工序，

使所述離子槍和所述蒸鍍單元處于空轉狀態(tài)的準備工序，以及

通過開放所述遮板使所述蒸鍍物質照射到所述基板的蒸鍍工序；

其中，在所述蒸鍍工序中，由所述中和器朝向所述基板照射電子，所述中和器靠近所述基板支架進行配設并離開所述離子槍規(guī)定距離進行配設。