[發(fā)明專利]蒸鍍裝置及薄膜裝置的制造方法

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200980124622.2
• 申請(qǐng)日: 2009-06-16
• 公開（公告）號(hào): CN102076880A
• 公開（公告）日: 2011-05-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 塩野一郎;姜友松;長江亦周;本多博光;村田尊則
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 株式會(huì)社新柯隆
• 主分類號(hào): C23C14/48
• 分類號(hào): C23C14/48;G02B5/28
• 代理公司: 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127
• 代理人: 丁香蘭;龐東成

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及薄膜的蒸鍍裝置，特別涉及真空容器的內(nèi)壁電氣懸浮的蒸鍍裝置、以及使用該蒸鍍裝置制作出的光學(xué)過濾器等薄膜裝置的制造方法。

另外，在本說明書中，所謂電氣懸浮是指與其它部件電絕緣的狀態(tài)。

背景技術(shù)

以往，在真空容器內(nèi)向基板表面蒸發(fā)薄膜材料時(shí)，已知有通過向堆積在基板上的蒸鍍層照射離子來進(jìn)行致密化的蒸鍍裝置(離子輔助蒸鍍裝置)。在這樣的蒸鍍裝置中，利用離子槍向基板照射較低能量的氣體離子，同時(shí)利用中和器向基板照射中和電子(電子)，由此可中和因氣體離子導(dǎo)致的基板上的電荷的偏移，同時(shí)利用氣體離子的動(dòng)能來制作致密的膜(例如專利文獻(xiàn)1、2)。

在專利文獻(xiàn)1、2中所示出的技術(shù)中，如圖4所示，高折射物質(zhì)和低折射物質(zhì)由多個(gè)蒸發(fā)源134，136交替蒸發(fā)、進(jìn)行層積，可得到由多層膜構(gòu)成的防反射膜。在這樣的技術(shù)中，在高折射物質(zhì)與低折射物質(zhì)的各自成膜時(shí)，利用從離子槍138中照射出的氬離子、氧離子使附著在基板114上的蒸發(fā)物質(zhì)致密化，同時(shí)利用從中和器140中照射出的中和電子來防止基板等帶電。

另一方面，在專利文獻(xiàn)3中公開了下述的蒸鍍裝置：利用磁場(chǎng)對(duì)由等離子體槍生成的等離子體束的軌道進(jìn)行控制并照射至成膜物質(zhì)、進(jìn)行加熱，使該成膜物質(zhì)朝向基板進(jìn)行蒸發(fā)。

在該蒸鍍裝置中，安裝在該蒸鍍裝置上的基板周圍的防護(hù)板相對(duì)于接地的真空容器呈電氣懸浮狀態(tài)(floating)。通過這樣地使防護(hù)板呈電氣懸浮狀態(tài)，使防護(hù)板帶電，抑制了成膜物質(zhì)向真空容器的壁面附著。

專利文獻(xiàn)1：日本特開平10-123301號(hào)公報(bào)

專利文獻(xiàn)2：日本特開2007-248828號(hào)公報(bào)

專利文獻(xiàn)3：日本特開2000-017429號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容

然而，已知若采用上述專利文獻(xiàn)1或?qū)＠墨I(xiàn)2所示的技術(shù)，則在成膜時(shí)，由于成膜物質(zhì)附著在真空容器的內(nèi)面?zhèn)榷鴰щ姡蚨婵杖萜鲀?nèi)的電位結(jié)構(gòu)發(fā)生變化，伴隨該變化，離子的照射范圍等成膜條件會(huì)發(fā)生經(jīng)時(shí)變化。因此，需要進(jìn)行預(yù)成膜處理(測(cè)試批次)直至在真空容器的內(nèi)面?zhèn)韧瑯拥馗街赡の镔|(zhì)、成膜條件穩(wěn)定，從而具有生產(chǎn)率降低的問題。

另外，由于離子槍與中和器的配設(shè)較為接近，因而從離子槍中照射出的離子的一部分在到達(dá)基板之前，會(huì)產(chǎn)生如下現(xiàn)象：從中和器中照射出的電子與從離子槍中照射出的離子發(fā)生反應(yīng)而中和。經(jīng)過靠近該中和器的區(qū)域的離子被中和的現(xiàn)象成為真空容器內(nèi)的電位結(jié)構(gòu)的偏移或離子的照射范圍變化的原因之一。進(jìn)一步地，由于在到達(dá)基板之前發(fā)生中和，因而不能對(duì)中和的離子及電子進(jìn)行有效利用。

進(jìn)一步地，該真空容器內(nèi)的電位結(jié)構(gòu)或離子的照射范圍的偏移有可能成為成膜條件的經(jīng)時(shí)變化的要因、或成為對(duì)直至成膜物質(zhì)同樣地附著在真空容器的內(nèi)面?zhèn)鹊臈l件等帶來不良影響的要因。

另外，由于與真空容器的壁面碰撞的離子的照射范圍變化，使得附著于壁面的附著物發(fā)生剝落、飛散的數(shù)目增加，因而附著于基板的異物可能會(huì)增加。

另外，若采用上述專利文獻(xiàn)3的技術(shù)，則盡管能某種程度地抑制成膜條件的經(jīng)時(shí)變化，但在這樣的具備離子槍和中和器的蒸鍍裝置中，對(duì)于因離子槍與中和器相接近地配設(shè)所致的上述問題并不能得到充分的效果。

鑒于上述問題點(diǎn)，本發(fā)明的目的在于提供一種蒸鍍裝置，其能夠抑制具備離子槍和中和器的蒸鍍裝置的成膜條件的經(jīng)時(shí)變化。

此外，本發(fā)明的其它目的在于提供一種蒸鍍裝置，該蒸鍍裝置謀求光學(xué)過濾器的制造成本的降低，同時(shí)能夠制造高精度的光學(xué)過濾器。

對(duì)于上述課題，可通過方案1的蒸鍍裝置來解決，方案1的蒸鍍裝置具備：接地的真空容器、被支承在該真空容器內(nèi)的基板支架、能夠保持在該基板支架上的基板、離開該基板規(guī)定距離并與該基板相向的蒸鍍單元、用于對(duì)上述基板照射離子的離子槍、以及用于對(duì)上述基板照射電子的中和器，其中，上述真空容器具備相對(duì)于上述真空容器電氣懸浮的內(nèi)壁；上述中和器配設(shè)在上述真空容器的側(cè)面?zhèn)龋⑶遥鲜鲭x子槍按照離子照射口與上述基板相向的狀態(tài)配設(shè)在上述真空容器內(nèi)部的與配設(shè)上述基板支架的一側(cè)相反方向的一側(cè)；上述中和器與上述離子槍間隔開規(guī)定距離進(jìn)行配設(shè)。

如此，本發(fā)明的蒸鍍裝置采用如下結(jié)構(gòu)：其具備對(duì)基板照射離子的離子槍以及對(duì)基板照射電子的中和器，此外在真空容器的內(nèi)側(cè)具備與真空容器電氣懸浮的內(nèi)壁。

因此，在進(jìn)行成膜時(shí)，即使由于成膜物質(zhì)附著在真空容器的內(nèi)壁而使得內(nèi)壁的狀態(tài)發(fā)生經(jīng)時(shí)變化，也能夠抑制電位結(jié)構(gòu)的變化。