[發(fā)明專利]觸摸面板的制造方法和成膜裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200980122546.1
• 申請日: 2009-07-03
• 公開（公告）號: CN102066601A
• 公開（公告）日: 2011-05-18
• 發(fā)明（設計）人: 高橋明久;石橋曉
• 申請（專利權）人: 株式會社愛發(fā)科
• 主分類號: C23C14/08
• 分類號: C23C14/08;C23C14/34;G06F3/041;H01B5/14
• 代理公司: 北京德琦知識產權代理有限公司 11018
• 代理人: 陳萬青;王珍仙

技術領域

本發(fā)明涉及觸摸面板的制造方法和成膜裝置，更詳細地，涉及適于設置在液晶顯示裝置(LCD)等平板顯示器(FPD，Flat?Panel?Display)的顯示面上，可通過普通的記錄用具或手指等容易地輸入，可實現小型化，可減少除顯示區(qū)域以外的周邊區(qū)域的面積，可降低制造成本的觸摸面板的制造方法和成膜裝置。

本申請基于2008年7月9日申請的日本專利申請第2008-179372號主張優(yōu)先權，在此引用其內容。

背景技術

近些年，隨著液晶顯示裝置(LCD)等平板顯示器(FPD)的進步，對于設置在此平板顯示器(FPD)的顯示面上的觸摸面板的新要求也正提高。為了實現這些要求，開發(fā)并提出了新的技術。

作為此觸摸面板的一種，已知電阻膜方式觸摸面板。在此電阻膜方式觸摸面板中，以規(guī)定間隔對向配置有在主面上形成透明導電膜的一對透明基板以使這些透明導電膜彼此對置。此外，在這些透明導電膜之間矩陣狀地配置有多個絕緣性間隔體。此觸摸面板具有在向顯示面按壓視認側的透明基板上的期望位置時，在該期望位置使一對透明導電膜電連接，將該期望位置的信息以電信號方式輸出到外部的功能。

以往，此電阻膜方式觸摸面板中，作為透明導電膜材料使用在氧化銦中添加有1～40質量％的氧化錫的添加有錫的氧化銦(ITO，Indium?Tin?Oxide)。然而，作為ITO原料的銦(In)為稀有金屬，估計今后會因難以得到而造成成本上升。因此，作為代替ITO的透明導電材料，豐富且廉價的氧化鋅(ZnO)類材料正引起人們關注(例如參見專利文獻1)。

該ZnO類材料為通過稍微還原ZnO而稍稍偏離化學計量組成，在ZnO結晶中形成氧空穴而釋放自由電子，或者作為雜質添加的B、Al、Ga等進入ZnO晶格中的Zn離子的位置形成離子而釋放自由電子等，由此表現出導電性的n型半導體。

該ZnO類材料適用于可對大型基板均勻成膜的濺射。在成膜裝置中，通過將ITO等In₂O₃類材料的靶變更為ZnO類材料的靶，可將ZnO成膜。此外，由于ZnO類材料不包含如In₂O₃類材料一樣絕緣性高的低級氧化物(InO)，所以不易發(fā)生濺射異常。

為了提高防反射性能，該觸摸面板也可在透明基板上設置防反射膜。該防反射膜具有折射率不同的多層透明膜重疊的層壓結構。作為以往的防反射膜，例如使用折射率1.45～1.46的SiO和折射率2.3～2.55的TiO層壓而成的結構。

可是，在使用氧化物靶通過濺射法將SiO和TiO的層壓結構成膜時，由于這些氧化物靶的電阻高，所以使用RF電源進行濺射法。此外，在使用可用DC電源或AC電源的Si和Ti的金屬靶將上述層壓結構成膜時，通過在導入大量的氧化性氣體的同時進行濺射的所謂反應濺射形成層壓膜。

專利文獻1：日本特開平9-87833號公報

然而，將使用現有的ZnO類材料的透明導電膜用于靜電容量式觸摸面板時，透明性不比現有的ITO膜遜色，但具有電阻率高的問題。

因此，為了使ZnO類透明導電膜的電阻率降至期望值，考慮了在進行濺射法時，將氫氣作為還原氣體導入腔內，在此還原氣氛中成膜的方法。

然而，此時得到的透明導電膜的電阻率切實地降低，但存在在其表面產生少許金屬光澤，透過率降低的問題。

此外，防反射膜的成膜工藝中使用SiO和TiO的靶時，由于需要使用RF電源，與使用DC電源或AC電源時相比，成膜速度具有變慢的趨勢。

此外，在使用RF電源的裝置中，電源成本具有變高的趨勢，因情況不同而裝置也有可能復雜化。

進而，現有的成膜方法由于需要SiO和TiO的兩種靶或者Si和Ti的兩種靶，所以需要兩種濺射裝置。

發(fā)明內容

本發(fā)明是為了解決上述問題而提出的，其目的在于，提供在使用氧化鋅類透明導電膜或防反射膜等光學膜的觸摸面板中，使氧化鋅類透明導電膜的電阻率降低，同時可維持對可見光線的透明性的觸摸面板的制造方法和成膜裝置。

此外，本發(fā)明的目的在于，提供在設置防反射膜等光學膜時，也可用一個裝置形成透明導電膜或光學膜的觸摸面板的制造方法和成膜裝置。

此外，本發(fā)明的目的在于，提供可以以現有的透明導電膜或光學膜的成膜速度以上的成膜速度成膜的觸摸面板的制造方法和成膜裝置。