[發(fā)明專利]搭載半導體元件的基板有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200980121341.1 | 申請日： | 2009-06-03 |
| 公開（公告）號： | CN102057484A | 公開（公告）日： | 2011-05-11 |
| 發(fā)明（設計）人： | 杉野光生;原英貴;和布浦徹 | 申請（專利權(quán)）人： | 住友電木株式會社 |
| 主分類號： | H01L23/14 | 分類號： | H01L23/14;H01L23/29;H01L23/31 |
| 代理公司： | 隆天國際知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003 | 代理人： | 菅興成;吳小瑛 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 搭載 半導體 元件 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種搭載半導體元件的基板。
背景技術(shù)
在電子儀器中，搭載有連接IC芯片、電容器等的半導體元件的基板。
近年來，伴隨著電子儀器的小型化、高性能化，搭載于一個基板上的半導體元件的數(shù)量趨于增大，存在半導體元件的安裝面積不足的問題。
為了解決這種問題，通過將半導體元件嵌入多層布線基板內(nèi)，進行了確保半導體元件的安裝面積、實現(xiàn)高密度封裝化的嘗試(例如，參照專利文獻1)。
但是，在如此內(nèi)置有半導體元件的搭載半導體元件的基板中，其結(jié)構(gòu)形成上下不對稱，此外，在物理性質(zhì)上變得也不對稱，因此，存在有在基板上發(fā)生翹曲等而導致搭載半導體元件的基板的可靠性降低的問題。
專利文獻1：日本特開2005-236039號公報
發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的課題
本發(fā)明的目的在于提供一種搭載半導體元件的基板，其能夠防止翹曲的發(fā)生，并且能夠防止內(nèi)置的半導體元件從基板上剝離。
解決課題的方法
上述目的，通過下述(1)～(20)的本發(fā)明的技術(shù)方案來達成。
(1)一種搭載半導體元件的基板，其特征在于，具有：
基板、
搭載于上述基板的一個面上的半導體元件、
粘接上述基板與上述半導體元件的粘接層、
嵌入有上述半導體元件的第一層、
設置于上述基板的與上述第一層相反一側(cè)的第二層、以及
設置于上述第一層上和上述第二層上的至少一層的表層，
并且，上述粘接層在25℃時的儲能模量是5～1000Mpa；
上述表層在玻璃化轉(zhuǎn)變點Tga[℃]以下按照JIS?C?6481進行檢測的面方向上的熱膨脹系數(shù)為40ppm/℃以下，該玻璃化轉(zhuǎn)變點Tga[℃]是在20℃以上且按照JIS?C?6481進行檢測的上述表層的玻璃化轉(zhuǎn)變點Tga[℃]。
(2)如上述(1)所述的搭載半導體元件的基板，其中，當上述基板的平均厚度為T1[μm]且上述第一層的平均厚度為T2[μm]時，滿足0.5≤T2/T1≤3.0的關(guān)系。
(3)如上述(1)或(2)所述的搭載半導體元件的基板，其中，上述粘接層的平均厚度是5～50μm。
(4)如上述(1)至(3)中的任一項所述的搭載半導體元件的基板，其中，當俯視上述第一層時的上述第一層的面積設為100時，俯視上述半導體元件時的上述半導體元件的面積是6～10；
當上述第一層的體積設為100時，上述半導體元件的體積是2～7。
(5)如上述(1)至(4)中的任一項所述的搭載半導體元件的基板，其中，上述粘接層通過粘接劑構(gòu)成，上述粘接劑由含有(甲基)丙烯酸酯共聚物、環(huán)氧樹脂、酚醛樹脂、無機填充劑的樹脂組合物構(gòu)成。
(6)如上述(1)至(5)中的任一項所述的搭載半導體元件的基板，其中，上述粘接層的玻璃化轉(zhuǎn)變點為0～180℃。
(7)如上述(1)至(6)中的任一項所述的搭載半導體元件的基板，其中，上述第一層在玻璃化轉(zhuǎn)變點Tgb[℃]以下按照JIS?C?6481進行檢測的面方向上的熱膨脹系數(shù)為25～50ppm/℃，該玻璃化轉(zhuǎn)變點Tgb[℃]是在20℃以上且按照JIS?C?6481進行檢測的上述第一層的玻璃化轉(zhuǎn)變點Tgb[℃]。
(8)如上述(1)至(7)中的任一項所述的搭載半導體元件的基板，其中，上述第一層的25℃時的楊氏模量是2～10GPa。
(9)如上述(1)至(8)中的任一項所述的搭載半導體元件的基板，其中，按照JIS?C?6481進行檢測的上述第一層的玻璃化轉(zhuǎn)變點Tgb處于100～250℃的范圍內(nèi)。
(10)如上述(1)至(9)中的任一項所述的搭載半導體元件的基板，其中，當上述表層的25℃時的楊氏模量為X[GPa]、上述第一層的25℃時的楊氏模量為Y[GPa]時，滿足0.5≤X-Y≤13的關(guān)系。
(11)如上述(1)至(10)中的任一項所述的搭載半導體元件的基板，其中，上述表層的25℃時的楊氏模量為4～15Gpa。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于住友電木株式會社，未經(jīng)住友電木株式會社許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/200980121341.1/2.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
