[發(fā)明專利]搭載半導體元件的基板

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200980121341.1
• 申請日: 2009-06-03
• 公開（公告）號: CN102057484A
• 公開（公告）日: 2011-05-11
• 發(fā)明（設計）人: 杉野光生;原英貴;和布浦徹
• 申請（專利權）人: 住友電木株式會社
• 主分類號: H01L23/14
• 分類號: H01L23/14;H01L23/29;H01L23/31
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 菅興成;吳小瑛

1.一種搭載半導體元件的基板，其特征在于，具有：

基板、

搭載于上述基板的一個面上的半導體元件、

粘接上述基板和上述半導體元件的粘接層、

嵌入上述半導體元件的第一層、

設置于上述基板的與上述第一層相反一側的第二層、以及

設置于上述第一層上和上述第二層上的至少一層的表層，

并且，上述粘接層在25℃時的儲能模量為5～1000MPa，

上述表層在玻璃化轉變點Tg_a℃以下按照JIS?C?6481進行檢測的面方向上的熱膨脹系數(shù)是40ppm/℃以下，該玻璃化轉變點Tg_a℃是在20℃以上且按照JIS?C?6481進行檢測的上述表層的玻璃化轉變點Tg_a℃。

2.如權利要求1所述的搭載半導體元件的基板，其中，當上述基板的平均厚度為T₁μm且上述第一層的平均厚度為T₂μm時，滿足0.5≤T₂/T₁≤3.0的關系。

3.如權利要求1所述的搭載半導體元件的基板，其中，上述粘接層的平均厚度是5～50μm。

4.如上述權利要求1所述的搭載半導體元件的基板，其中，

當俯視上述第一層時的上述第一層的面積設為100時，俯視上述半導體元件時的上述半導體元件的面積是6～10；

當上述第一層的體積設為100時，上述半導體元件的體積是2～7。

5.如權利要求1所述的搭載半導體元件的基板，其中，上述粘接層通過粘接劑構成，上述粘接劑由含有(甲基)丙烯酸酯共聚物、環(huán)氧樹脂、酚醛樹脂和無機填充劑的樹脂組合物構成。

6.如權利要求1所述的搭載半導體元件的基板，其中，上述粘接層的玻璃化轉變點是0～180℃。

7.如權利要求1所述的搭載半導體元件的基板，其中，上述第一層在玻璃化轉變點Tg_b℃以下按照JIS?C?6481進行檢測的面方向上的熱膨脹系數(shù)是25～50ppm/℃，該玻璃化轉變點Tg_b℃是在20℃以上且按照JIS?C?6481進行檢測的上述第一層的玻璃化轉變點Tg_b℃。

8.如權利要求1所述的搭載半導體元件的基板，其中，上述第一層的25℃時的楊氏模量是2～10GPa。

9.如權利要求1所述的搭載半導體元件的基板，其中，按照JIS?C?6481進行檢測的上述第一層的玻璃化轉變點Tg_b處于100～250℃的范圍內。

10.如權利要求1所述的搭載半導體元件的基板，其中，當上述表層的25℃時的楊氏模量為X?Gpa且上述第一層的25℃時的楊氏模量為Y?GPa時，滿足0.5≤X-Y≤13的關系。

11.如權利要求1所述的搭載半導體元件的基板，其中，上述表層的25℃時的楊氏模量是4～15GPa。

12.如權利要求1所述的搭載半導體元件的基板，其中，上述表層在玻璃化轉變點Tg_a℃以下按照JIS?C?6481進行檢測的面方向上的熱膨脹系數(shù)是Appm/℃，該玻璃化轉變點Tg_a℃是在20℃以上且按照JIS?C?6481進行檢測的上述表層的玻璃化轉變點Tg_a℃，并且，上述第一層在玻璃化轉變點Tg_b℃以下按照JIS?C?6481進行檢測的面方向上的熱膨脹系數(shù)是B?ppm/℃，該玻璃化轉變點Tg_b℃是在20℃以上且按照JIS?C?6481進行檢測的上述第一層的玻璃化轉變點Tg_b℃時，滿足0.5≤B-A≤50的關系。

13.如權利要求1所述的搭載半導體元件的基板，其中，按照JIS?C?6481進行檢測的上述表層的玻璃化轉變點Tg_a處于100～300℃的范圍內。

14.如權利要求1所述的搭載半導體元件的基板，其中，上述基板的25℃時的楊氏模量是20～50GPa。