[發明專利]多層反射鏡和光刻設備

有效

• 申請號: 200980120621.0
• 申請日: 2009-05-20
• 公開（公告）號: CN102047183A
• 公開（公告）日: 2011-05-04
• 發明（設計）人: D·格盧什科夫;V·巴內尼;J·H·J·莫爾斯;L·A·斯基梅諾克;N·N·塞拉斯申科
• 申請（專利權）人: ASML荷蘭有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20;G21K1/06;G03F1/14
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 王波波

相關申請的交叉引用

本申請要求于2008年6月4日提交的美國臨時申請61/129,087的權益，通過引用將其全部內容并入本文中。

技術領域

本發明涉及多層反射鏡和包括這樣的多層反射鏡的光刻設備。

背景技術

光刻設備是一種將所需圖案應用到襯底上，通常是襯底的目標部分上的機器。例如，可以將光刻設備用在集成電路(IC)的制造中。在所述情形中，可以將可選地稱為掩模或掩模版的圖案形成裝置用于生成在所述IC的單層上待形成的電路圖案。可以將該圖案轉移到襯底(例如，硅晶片)上的目標部分(例如，包括一部分管芯、一個或多個管芯)上。通常，圖案的轉移是通過把圖案成像到提供到襯底上的輻射敏感材料(抗蝕劑)層上進行的。通常，單獨的襯底將包含被連續形成圖案的相鄰目標部分的網絡。

已廣泛地承認光刻術是IC和其它的器件和/或結構制造中的關鍵步驟之一。然而，隨著使用光刻術制造的特征的尺寸不斷變小，光刻術正在成為使微型的IC或其它器件和/或結構能夠被制造的更為關鍵的因素。

光刻設備典型地包括：被配置成調節輻射束的照射系統；被構造成保持圖案形成裝置(大多數情況下是掩模版或掩模)的支撐結構，所述圖案形成裝置能夠在其橫截面中將圖案賦予輻射束以形成圖案化的輻射束；被構造以保持襯底的襯底臺；和被配置成將圖案化的輻射束投影到襯底的目標部分上的投影系統。

通過如等式(1)中所示出的分辨率的瑞利準則來給出圖案印刷的極限的理論估計：

CD=k1*λNAPS---(1)]]>

其中，λ是所使用的輻射的波長，NA_PS是用于印刷圖案的投影系統的數值孔徑，k₁是依賴于過程的調整因子，也稱為瑞利常數，以及CD是被印刷的特征的特征尺寸(或臨界尺寸)。從等式(1)可以得出，可以以三種方式實現減小特征的最小可印刷尺寸：通過縮短曝光波長λ、通過增加數值孔徑NA_PS或通過減小k₁的值。

為了縮短曝光波長并因此使最小可印刷尺寸減小，已經提出使用極紫外(EUV)輻射源。EUV輻射源被配置以輸出約13.5nm的輻射波長。因此，EUV輻射源可以構成朝向獲得小的特征印刷的非常重要的一步。這樣的輻射用術語極紫外或軟x射線來表示，可能的源例如包括激光產生等離子體源、放電等離子體源或來自電子儲存環的同步加速器輻射。

優選地，照射系統和投影系統包括多個光學元件，用于將輻射分別聚焦到圖案形成裝置和襯底的被期望的位置上。不幸的是，除了處于低密度的一些氣體之外，尚不知有材料對EUV輻射是透射性的。因此，使用EUV輻射的光刻設備不會在其照射系統和在其投影系統中采用透鏡。相反，照射系統和投影系統優選地包括反射鏡。另外，同理，圖案形成裝置優選地是反射式裝置，即具有反射表面的反射鏡，該反射表面設置有由該反射表面上的吸收材料形成的圖案。

為了反射具有約13.5nm的波長的EUV輻射，已經提出具有交替的Si和Mo層的多層反射鏡。這樣的多層反射鏡根據布拉格定律反射EUV輻射。然而，這些反射鏡看上去不適合于反射具有甚至更短的波長的輻射。

發明內容

期望能夠構造具有適合的反射性質的反射鏡，以反射具有6.9nm和更低的波長的輻射。