[發(fā)明專(zhuān)利]多層反射鏡和光刻設(shè)備有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200980120621.0 | 申請(qǐng)日: | 2009-05-20 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN102047183A | 公開(kāi)(公告)日: | 2011-05-04 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | D·格盧什科夫;V·巴內(nèi)尼;J·H·J·莫爾斯;L·A·斯基梅諾克;N·N·塞拉斯申科 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | ASML荷蘭有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | G03F7/20 | 分類(lèi)號(hào): | G03F7/20;G21K1/06;G03F1/14 |
| 代理公司: | 中科專(zhuān)利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021 | 代理人: | 王波波 |
| 地址: | 荷蘭維*** | 國(guó)省代碼: | 荷蘭;NL |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 多層 反射 光刻 設(shè)備 | ||
1.一種多層反射鏡,所述多層反射鏡被構(gòu)造且被布置以反射具有在2-8nm范圍內(nèi)的波長(zhǎng)的輻射,所述多層反射鏡具有交替層,所述交替層包括第一層和第二層,所述第一層和第二層是從由Cr和Sc層,Cr和C層,C和B4C層,U和B4C層,Th和B4C層,C和B9C層,La和B9C層,U和B9C層,Th和B9C層,La和B層,C和B層,U和B層,Th和B層,La化合物和B4C層,U化合物和B4C層,Th化合物和B4C層,La化合物和B9C層,U化合物和B9C層,Th化合物和B9C層,La化合物和B層,U化合物和B層,以及Th化合物和B層構(gòu)成的組中選擇的。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層反射鏡,其中,所述La化合物是從由LaH2,LaH3,LaF3,LaCl3,LaI3,La2O3,LaSe和LaTe構(gòu)成的組中選出的化合物。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的多層反射鏡,其中,所述U化合物是從由UF3,UF4,UF5,UCl3,UCl4,UCl5,UI3,UI4,UO,UO2,UO3,U3O8,U2O5,U3O7,U4O9,UTe2,UTe3,UN,U2N3和U3N2構(gòu)成的組中選出的化合物。
4.根據(jù)權(quán)利要求1、2或3所述的多層反射鏡,其中,所述Th化合物是從由ThO2,ThCl4,ThN,ThF3,ThF4,ThI2,ThI3,ThI4,ThH2,和ThSe2構(gòu)成的組中選出的化合物。
5.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的多層反射鏡,其中,所述第一層的厚度和所述第二層的厚度的總和是在3-3.5nm的范圍內(nèi)。
6.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的多層反射鏡,其中,所述交替層具有周期厚度,所述周期厚度是第一層或第二層的厚度的約1.7倍至約2.5倍之間。
7.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的多層反射鏡,其中,所述多層反射鏡被構(gòu)造且被布置以反射具有在2.9-3.3nm范圍內(nèi)的波長(zhǎng)的輻射。
8.根據(jù)權(quán)利要求1-6中任一項(xiàng)所述的多層反射鏡,其中所述多層反射鏡被構(gòu)造且被布置以反射具有在4.1-4.7nm范圍內(nèi)的波長(zhǎng)的輻射。
9.根據(jù)權(quán)利要求1-6中任一項(xiàng)所述的多層反射鏡,其中所述多層反射鏡被構(gòu)造且被布置以反射具有在6.2-6.9nm范圍內(nèi)的波長(zhǎng)的輻射。
10.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的多層反射鏡,其中所述多層反射鏡是圖案形成裝置,所述圖案形成裝置被構(gòu)造且被布置以提供在其橫截面中具有圖案的輻射束。
11.一種投影系統(tǒng),所述投影系統(tǒng)被配置成將圖案化的輻射束投影到襯底的目標(biāo)部分上,所述投影系統(tǒng)包括根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的多層反射鏡。
12.一種照射系統(tǒng),所述照射系統(tǒng)被配置成調(diào)節(jié)輻射束,所述照射系統(tǒng)包括根據(jù)權(quán)利要求1-10中任一項(xiàng)所述的多層反射鏡。
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