[發(fā)明專利]垂直磁記錄介質(zhì)、垂直磁記錄介質(zhì)的制造方法和磁記錄再生裝置無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200980118945.0 | 申請日： | 2009-03-27 |
| 公開（公告）號： | CN102047330A | 公開（公告）日： | 2011-05-04 |
| 發(fā)明（設計）人： | 福島正人 | 申請（專利權(quán)）人： | 昭和電工株式會社 |
| 主分類號： | G11B5/65 | 分類號： | G11B5/65;G11B5/84 |
| 代理公司： | 北京市中咨律師事務所 11247 | 代理人： | 段承恩;陳海紅 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 垂直 記錄 介質(zhì) 制造 方法 再生 裝置 | ||
1.一種垂直磁記錄介質(zhì)，是在非磁性基板上形成有在相對于所述非磁性基板面垂直的方向具有磁各向異性的記錄層，所述記錄層具有多個記錄部和分離相鄰的所述記錄部的多個分離區(qū)域部的垂直磁記錄介質(zhì)，其特征在于，所述分離區(qū)域部由粒狀結(jié)構(gòu)的材料形成。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的垂直磁記錄介質(zhì)，其特征在于，所述粒狀結(jié)構(gòu)的材料是非磁性材料。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的垂直磁記錄介質(zhì)，其特征在于，所述記錄部是疊層體，是含有由粒狀結(jié)構(gòu)的磁性材料形成的磁性層的記錄部。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的垂直磁記錄介質(zhì)，其特征在于，所述磁性層和所述分離區(qū)域部含有相同的氧化物。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的垂直磁記錄介質(zhì)，其特征在于，所述磁性層和所述分離區(qū)域部含有Cr。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的垂直磁記錄介質(zhì)，其特征在于，所述磁性層和所述分離區(qū)域部含有5～40體積％的范圍內(nèi)的氧化物。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的垂直磁記錄介質(zhì)，其特征在于，所述磁性層和所述分離區(qū)域部含有SiO2、SiO、Cr2O3、CoO、Ta2O3和TiO2中的任一種以上。
8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的垂直磁記錄介質(zhì)，其特征在于，所述磁性層被配置作為所述記錄部的最上層，在所述記錄層上形成有覆蓋所述記錄部和所述分離區(qū)域部的保護膜。
9.一種垂直磁記錄介質(zhì)的制造方法，是在非磁性基板上形成有在相對于所述非磁性基板面垂直的方向具有磁各向異性的記錄層，所述記錄層具有多個記錄部和分離相鄰的所述記錄部的多個分離區(qū)域部的垂直磁記錄介質(zhì)的制造方法，包括：
在非磁性基板上形成在相對于非磁性基板面垂直的方向具有磁各向異性的記錄層的工序；
通過從所述記錄層除去成為分離區(qū)域部的區(qū)域而形成凹槽，形成多個記錄部和分離相鄰的所述記錄部的多個凹槽的工序；和
向所述凹槽填充粒狀結(jié)構(gòu)的材料，形成分離區(qū)域部的工序。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的垂直磁記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于，被填充到所述凹槽中的所述粒狀結(jié)構(gòu)的材料是非磁性材料。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的垂直磁記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于，所述記錄部包含由粒狀結(jié)構(gòu)的磁性材料形成的磁性層。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的垂直磁記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于，填充所述凹槽的工序具有：
在形成有所述凹槽的所述記錄層上沉積所述粒狀結(jié)構(gòu)的材料，形成在所述凹槽內(nèi)填充有所述材料的非磁性層的工序；和
除去所述非磁性層直到所述磁性層的表面露出并且所述磁性層的表面的一部分被除去，將形成有所述非磁性層的表面上平坦化的工序。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的垂直磁記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于，具有在所述記錄層上形成覆蓋所述記錄部和所述分離區(qū)域部的保護膜的工序。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的垂直磁記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于，形成所述凹槽的工序具有：在所述記錄層上涂布抗蝕劑而形成抗蝕劑層，使用印模除去成為所述分離區(qū)域部的所述抗蝕劑層的區(qū)域，將除去了所述抗蝕劑層的所述記錄層的區(qū)域除去的工序。
15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的垂直磁記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于，在填充所述凹槽的工序中，采用濺射法向所述凹槽填充粒狀結(jié)構(gòu)的材料。
16.根據(jù)權(quán)利要求12所述的垂直磁記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于，在所述平坦化的工序中，采用離子束蝕刻法將形成有所述非磁性層的表面上平坦化。
17.一種磁記錄再生裝置，是具有磁記錄介質(zhì)和對該磁記錄介質(zhì)記錄再生信息的磁頭的磁記錄再生裝置，其特征在于，所述磁記錄介質(zhì)是權(quán)利要求1所述的垂直磁記錄介質(zhì)。
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