[發明專利]垂直磁記錄介質、垂直磁記錄介質的制造方法和磁記錄再生裝置

無效

• 申請號: 200980118945.0
• 申請日: 2009-03-27
• 公開（公告）號: CN102047330A
• 公開（公告）日: 2011-05-04
• 發明（設計）人: 福島正人
• 申請（專利權）人: 昭和電工株式會社
• 主分類號: G11B5/65
• 分類號: G11B5/65;G11B5/84
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所 11247
• 代理人: 段承恩;陳海紅

技術領域

本發明涉及用于硬盤裝置等中的垂直磁記錄介質、垂直磁記錄介質的制造方法和具有垂直磁記錄介質的磁記錄再生裝置。

本申請基于在2008年3月28日在日本申請的專利申請2008-88146號要求優先權，將上述申請的內容援引到本申請中。

背景技術

近年，磁盤裝置，軟(フロッピ一；注冊商標)盤裝置、磁帶裝置等的磁記錄裝置的適用范圍在顯示著地增大，其重要性也在增大。隨之，用于這些裝置中的磁記錄介質的記錄密度正在謀求顯著的提高。尤其是引入MR磁頭(磁阻效應型磁頭)和引入PRML(Partial?Response?Maximum?Likelihood；部分響應最大似然)技術以來，作為每單位面積信息量的面記錄密度的上升更加激烈增長。近年又引入GMR磁頭(巨磁阻效應型磁頭)和TMR磁頭(隧道磁阻型磁頭)等，每年在以100％的增長速度繼續記錄密度的增加。

關于這些磁記錄介質，今后要求實現更高面記錄密度。因此，要求實現磁記錄層的高矯頑力化、高分辨力和高信噪比(高SN比)。近年，為了實現高面記錄密度，介質的絕對膜厚變薄，隨之，記錄磁化受熱擾亂而減弱的現象成為問題。

尤其是記錄的熱穩定性是個大的技術課題。特別是希望改善上述的SN比時，該熱穩定性降低的情況較多，因此，兼顧SN比和熱穩定性兩者成為今后開發的目標。SN比優異的介質，一般地構成磁性層的磁性粒子的晶粒尺寸微細的情形較多。微細對減輕介質噪聲是有效的，但從磁性的熱穩定性的觀點考慮，認為微細的情況是接近于不穩定區域的狀態。上述的性質可認為是希望改善SN比時熱穩定性降低的一個原因。

另外，在近年，隨著線記錄密度的提高，也在繼續努力通過進行磁道密度的增加來提高面記錄密度。最新的磁記錄裝置，磁道密度竟達到了110kTPI。然而，若不斷提高磁道密度，則起因于密度上升而引起相鄰磁道間的磁記錄信息相互干擾的現象。其結果，處于其邊界區域的磁化遷移區域受到影響成為噪聲源，容易產生損害SN比的問題。上述問題直接關系到比特錯碼率(Bit?Errorrate)的降低，因此對記錄密度的提高構成障礙。

另外，當磁道密度增加時，磁道間距離變小。因此，磁記錄裝置要求極高精度的磁道伺服技術。另外，與之同時，為了寬幅地實行記錄，并且盡量地排除進行再生時來自相鄰的磁道的影響，一般地采用使磁道寬度比記錄時窄而實行的方法。然而，雖然該方法能夠將磁道間的影響抑制在最小限度，但難以充分獲得再生輸出。因此，存在難以確保充分的SN比的問題。

在如以上所述的高面記錄介質中為了確保滿意的SN比，并且確保熱穩定性，近年采用與以往的面內磁記錄方式不同的、在對薄膜介質的膜面垂直的方向進行磁記錄的垂直磁記錄介質。

現在，垂直磁記錄介質，一般例如依次地具有基板、軟磁性底層(SUL)、中間層、垂直磁記錄層和根據需要的保護膜等，作為用于高記錄密度化的技術使用。然而，該垂直磁記錄介質也要求進一步的高記錄密度化。為了對應于這種要求，垂直磁記錄介質也必須增加磁道密度。為了增加磁道密度，必須減輕垂直磁記錄介質中記錄部的端部的洇寫(fringe)。

作為解決洇寫的一種方法，可舉出離散磁道介質(例如，參照專利文獻1、2)。

在專利文獻1中，記載了：用于記錄數據的記錄部分是凸部，用于分隔相鄰的記錄部分的保護間距部分是凹部的盤狀介質。(所謂凸部和凹部，可以理解為高的部分和低的部分，例如峰(peak)部位和谷(valley)部位。

另外，在專利文獻2中，提出了：具有由磁性材料形成的記錄磁道部和位于相互相鄰的記錄磁道部間的保護間距部，并且具備設置于保護間距部內的由非磁性材料形成的分離區域構件的磁盤。另外，在專利文獻2中，作為分離區域構件，例舉出使用氧化物、氮化物、碳化物或硼化物，或者使用C系、CH系和CF系中的任一種的聚合物。此外，在專利文獻2中，記載了：通過進行濺射直到填埋保護間距空間，由SiO₂膜覆蓋盤表面，然后，在通過研磨SiO₂膜的同時將SiO₂膜平坦化直到記錄磁道部的記錄磁性構件的上面露出，得到記錄磁性構件和分離區域構件交替地顯露于表面的盤的技術。

專利文獻1所述的盤狀介質，記錄部分是凸部，保護間距為凹部，因此在盤表面存在的凹凸。盤表面具有凹凸的盤狀介質，存在表面的凹凸對記錄再生磁頭的浮起特性給予影響的問題。

另一方面，專利文獻2所述的磁盤，沒有記錄磁性構件與分離區域構件的高低階差，因此從沒有由表面的凹凸導致的對記錄再生磁頭的浮起特性的影響的觀點考慮而優選。