[發明專利]圖案形成方法

無效

• 申請號: 200980117003.0
• 申請日: 2009-05-14
• 公開（公告）號: CN102027415A
• 公開（公告）日: 2011-04-20
• 發明（設計）人: 內田博;福島正人;坂田優子
• 申請（專利權）人: 昭和電工株式會社
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20;B29C59/02;G11B5/84;H01L21/027;B29L11/00
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所 11247
• 代理人: 段承恩;田欣

技術領域

本發明涉及一種圖案形成方法、采用了該圖案形成方法的離散磁道式磁記錄介質的制造方法、以及裝載了通過該制造方法制造的磁記錄介質的離散磁道式磁記錄再生裝置。本申請基于2008年5月16日在日本申請的特愿2008-129700號要求優先權，其內容援引至本申請中。

背景技術

對于磁盤裝置而言，隨著磁道密度增大，例如，相鄰的磁道間的磁記錄信息會相互干擾，結果其邊界區域的磁化過渡區域成為噪音源，容易產生損害信噪比(SNR)等問題。

為了避免這樣的問題，嘗試了通過在磁記錄介質的表面形成凹凸(例如凸可以記為峰部，凹可以記為谷部(land?and?groove)。)，將記錄磁道彼此進行物理分離來提高磁道密度。這樣的技術根據其凹凸的形狀而被稱為離散磁道法或圖案化介質法。

作為用于通過這些方法來以良好吞吐量形成微細凹凸的技術，納米壓印光刻備受關注(例如，參照專利文獻1)。特別是，在要形成微細圖案的情況時，即使在采用納米壓印光刻的各種技術中，轉印圖案側的層中采用了紫外線固化性樹脂的UV納米壓印法也是有效的(例如，參照專利文獻2。)。

可是，從紫外光源照射出的紫外光往往由于照射部位的不同而使紫外光的照度發生參差不齊。如果在使用UV納米壓印法時，在具有紫外線固化性樹脂層的基材(工件)上發生這種紫外光的照度的參差不齊，則例如，基材上的紫外線固化性樹脂發生固化不均，或者，隨之引起從模具上脫模時的脫模不良。其結果是，可能會產生不能利用在基材上形成的微細圖案、也不能均勻地進行隨后的微細加工等問題。

特別是，在采用UV納米壓印法進行磁記錄介質的加工的情況下，有時即使介質的極小部分存在缺陷，整個介質也會變成次品。因此，這樣的紫外線固化性樹脂發生的固化不均等問題較嚴重。

專利文獻1：日本特開2004-178793號公報

專利文獻2：日本特開2000-194142號公報

發明內容

本發明是鑒于上述現有事實而提出的，其目的是提供能夠防止照射到基材的紫外光的照度的參差不齊，并能夠將基材上的紫外線固化性樹脂均勻固化的圖案形成方法。

此外，本發明提供采用了該圖案形成方法的離散磁道式磁記錄介質的制造方法、以及裝載了通過該制造方法制造的磁記錄介質的離散磁道式磁記錄再生裝置。

本發明提供以下方法和裝置。

(1).一種圖案形成方法，具有以下第1～第3工序，

第1工序：在基材上形成第一紫外線固化性樹脂層；

第2工序：使第一模具的形成有規定圖案的圖案形成面面向所述第一紫外線固化性樹脂層，將所述基材與第一模具壓接；

第3工序：將使紫外光擴散的部件介于所述紫外線固化性樹脂層與紫外光源之間，對通過所述壓接而被轉印了所述第一模具的圖案的第一紫外線固化性樹脂層照射被擴散了的紫外光。

(2).根據上述(1)所述的圖案形成方法，其特征在于，所述第3工序與所述第2工序同時進行。

(3).根據上述(1)所述的圖案形成方法，其特征在于，所述第3工序在所述第2工序之后進行。

(4).根據上述(1)～(3)的任一項所述的圖案形成方法，其特征在于，包括以下工序：

在厚度為10μm以上1mm以下的樹脂制片上形成第二紫外線固化性樹脂層，

將具有與第一模具的規定圖案凹凸相反的圖案的第二模具壓接在所述第二紫外線固化性樹脂層的表面上，并使所述凹凸相反的圖案與所述第二紫外線固化性樹脂層的表面接觸，從而使所述凹凸相反的圖案轉印至第二紫外線固化性樹脂層上，

從而制造了形成有所述規定圖案的所述第一模具。

(5).根據上述(1)～(4)的任一項所述的圖案形成方法，其特征在于，所述第一模具的紫外光的透射率為20％以上。

(6).根據上述(1)～(5)的任一項所述的圖案形成方法，其特征在于，通過在所述基材上涂布液狀紫外線固化性樹脂來形成所述第一紫外線固化性樹脂層。

(7).根據上述(4)～(6)的任一項所述的圖案形成方法，其特征在于，通過在所述樹脂制片的表面上涂布液狀紫外線固化性樹脂來形成所述第二紫外線固化性樹脂層。

(8).根據上述(1)～(7)的任一項所述的圖案形成方法，其特征在于，作為所述使紫外光擴散的部件，使用擴散板或復眼透鏡。

(9).根據上述(1)～(8)的任一項所述的圖案形成方法，其特征在于，所述基材是磁記錄介質。

(10).一種離散磁道式磁記錄介質的制造方法，采用了上述(1)～(9)的任一項所述的圖案形成方法。