[發明專利]接觸形成方法、半導體裝置的制造方法以及半導體裝置

無效

• 申請號: 200980116946.1
• 申請日: 2009-04-17
• 公開（公告）號: CN102027582A
• 公開（公告）日: 2011-04-20
• 發明（設計）人: 大見忠弘;寺本章伸;田中宏明;磯貝達典
• 申請（專利權）人: 國立大學法人東北大學;財團法人國際科學振興財團
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/28;H01L29/417;H01L29/78
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

1.一種接觸形成方法，是面向半導體裝置的源極區域、漏極區域的接觸形成方法，其特征在于，

在進行了以形成高濃度Si層的離子注入后，不進行熱處理，生成接觸用的金屬膜，通過之后的熱處理進行高濃度Si層的活性化以及硅化物化中的一種處理或兩種處理。

2.根據權利要求1所述的接觸形成方法，其特征在于，所述接觸用的金屬膜的金屬，為形成的硅化物相對所述高濃度Si層功函數差在0.3eV以下的金屬。

3.根據權利要求1所述的接觸形成方法，其特征在于，所述接觸用的金屬膜的金屬，為鈀、鈷、鎳、銠、錸、鋨、銥、鉑、及金中的至少一種。

4.一種半導體裝置的制造方法，其特征在于，包括：

向應成為半導體裝置的p型或n型接觸區域的Si層部分離子注入p型或n型雜質的工序；和

在該離子注入工序后，不進行使注入的離子活性化的熱處理，在所述接觸區域表面形成接觸用的金屬膜的工序；和

通過加熱使所述金屬膜與所述Si層部分反應，形成所述金屬的硅化物的工序。

5.一種半導體裝置的制造方法，其特征在于，包括：

向應成為半導體裝置的p型或n型接觸區域的Si層部分離子注入p型或n型雜質，使該Si層部分的表面非結晶化的工序；和

在非結晶Si部分表面形成接觸用的金屬膜的工序；和

通過加熱使所述金屬膜的金屬與所述非結晶Si部分反應，形成所述金屬的硅化物的工序。

6.根據權利要求4或5所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，進一步包括：通過所述金屬膜形成后的熱處理，使因所述離子注入而被注入的離子活性化的工序。

7.根據權利要求4所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，形成所述硅化物的工序和所述活性化的工序同時進行。

8.根據權利要求4或5所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，所述接觸區域為場效應晶體管的源極或漏極區域。

9.根據權利要求4或5所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，所述接觸用的金屬膜的金屬，為形成的硅化物相對應為所述p型或n型接觸區域的Si層部分，功函數差在0.3eV以下的金屬。

10.根據權利要求4或5所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，所述接觸用的金屬膜的金屬，為鈀、鈷、鎳、銠、錸、鋨、銥、鉑、及金中的至少一種。

11.根據權利要求4或5所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，所述接觸區域為p型區域。

12.根據權利要求11所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，向所述接觸區域離子注入的p型雜質為硼。

13.根據權利要求4或5所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，所述金屬為鈀。

14.一種半導體裝置，包括由Si構成的源極區域、漏極區域，面向所述源極區域及漏極區域中的至少一個區域的接觸部分含有規定的金屬的硅化物，其特征在于，

形成所述硅化物的所述金屬，為所述硅化物的組成中所述金屬相對Si多的金屬。

15.根據權利要求14所述的半導體裝置，其特征在于，所述規定的金屬為鈀。

16.根據權利要求14所述的半導體裝置，其特征在于，所述規定的金屬為鈀，所述硅化物為Pd₂Si的(104)面。