[發(fā)明專利]固態(tài)攝像元件

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200980115877.2
• 申請(qǐng)日: 2009-05-07
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102017151A
• 公開(kāi)（公告）日: 2011-04-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 舛岡富士雄;中村廣記
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 日本優(yōu)尼山帝斯電子株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L27/146
• 分類號(hào): H01L27/146
• 代理公司: 隆天國(guó)際知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003
• 代理人: 鄭小軍;馮志云

1.一種固態(tài)攝像元件，其特征在于，具備有：信號(hào)線，形成于襯底上；島狀半導(dǎo)體，配置于所述信號(hào)線上；以及像素選擇線，連接于所述島狀半導(dǎo)體的上部；

所述島狀半導(dǎo)體具備：

第1半導(dǎo)體層，配置于所述島狀半導(dǎo)體的下部，且連接于所述信號(hào)線；

第2半導(dǎo)體層，鄰接于所述第1半導(dǎo)體層的上側(cè)；

柵極，隔介絕緣膜連接于所述第2半導(dǎo)體層；

電荷蓄積部，連接于所述第2半導(dǎo)體層，且由一旦受光，電荷量便變化的第3半導(dǎo)體層所構(gòu)成；以及

第4半導(dǎo)體層，鄰接于所述第2半導(dǎo)體層與所述第3半導(dǎo)體層的上側(cè)，且連接于所述像素選擇線；

所述像素選擇線通過(guò)透明導(dǎo)電膜來(lái)形成；

所述柵極的一部分配置于在所述第2半導(dǎo)體層的側(cè)壁所形成的凹處的內(nèi)部。

2.如權(quán)利要求1所述的固態(tài)攝像元件，其特征在于，所述信號(hào)線是n+型擴(kuò)散層，所述第1半導(dǎo)體層是n+型擴(kuò)散層，所述第2半導(dǎo)體層是p型雜質(zhì)添加區(qū)域，所述第3半導(dǎo)體層是n型擴(kuò)散層，所述第4半導(dǎo)體層是p+型擴(kuò)散層。

3.如權(quán)利要求2所述的固態(tài)攝像元件，其特征在于，所述p+型擴(kuò)散層、與n型擴(kuò)散層作為光電轉(zhuǎn)換用光電二極管發(fā)揮功能；

所述p+型擴(kuò)散層、n型擴(kuò)散層、與p型雜質(zhì)添加區(qū)域作為放大用晶體管發(fā)揮功能；

所述第1半導(dǎo)體層的n+型擴(kuò)散層、p型雜質(zhì)添加區(qū)域、n型擴(kuò)散層、與柵極作為復(fù)位晶體管發(fā)揮功能；

所述p型雜質(zhì)添加區(qū)域、與n+型擴(kuò)散層作為二極管發(fā)揮功能。

4.如權(quán)利要求1所述的固態(tài)攝像元件，其特征在于，所述島狀半導(dǎo)體是四角柱形狀。

5.如權(quán)利要求1所述的固態(tài)攝像元件，其特征在于，所述島狀半導(dǎo)體是六角柱形狀。

6.如權(quán)利要求1所述的固態(tài)攝像元件，其特征在于，所述島狀半導(dǎo)體是圓柱形狀。

7.一種固態(tài)攝像器件，其特征在于，是將權(quán)利要求1所述的固態(tài)攝像元件對(duì)襯底以n行m列排列成行列狀而得，n、m為1以上。

8.一種固態(tài)攝像器件，其特征在于，是將權(quán)利要求4所述的固態(tài)攝像元件對(duì)襯底以n行m列排列成行列狀而得，n、m為1以上。

9.一種固態(tài)攝像器件，其特征在于，是將權(quán)利要求6所述的固態(tài)攝像元件對(duì)襯底以n行m列排列成行列狀而得，n、m為1以上。

10.一種固態(tài)攝像器件，其特征在于，是將權(quán)利要求1所述的固態(tài)攝像元件在襯底上排列成蜂巢狀而得。

11.一種固態(tài)攝像器件，其特征在于，是將權(quán)利要求5所述的固態(tài)攝像元件在襯底上排列成蜂巢狀而得。

12.一種固態(tài)攝像器件，其特征在于，是將權(quán)利要求6所述的固態(tài)攝像元件在襯底上排列成蜂巢狀而得。

13.一種固態(tài)攝像元件的制造方法，其特征在于，是權(quán)利要求1所述的固態(tài)攝像元件的制造方法，包括以下步驟：

于硅襯底上形成氧化膜，于氧化膜上形成p型硅，于p型硅上沉積氮化膜，沉積氧化膜，形成硅柱的光刻膠，對(duì)氧化膜、氮化膜進(jìn)行蝕刻，剝離光刻膠，形成氮化膜掩模、氧化膜掩模的步驟；

對(duì)硅進(jìn)行蝕刻，沉積氮化膜，進(jìn)行蝕刻，于硅柱側(cè)壁留下為邊墻狀，利用等方性蝕刻對(duì)硅進(jìn)行蝕刻，于p型雜質(zhì)添加區(qū)域的側(cè)壁形成凹處的步驟；

對(duì)硅進(jìn)行蝕刻，于p型雜質(zhì)添加區(qū)域的側(cè)壁形成具有凹處的島狀半導(dǎo)體，為了防止離子注入時(shí)的離子溝道效應(yīng)，形成氧化膜，注入磷，進(jìn)行退火，形成n+型擴(kuò)散層，形成信號(hào)線用的光刻膠，對(duì)氧化膜進(jìn)行蝕刻，對(duì)硅進(jìn)行蝕刻，形成n+擴(kuò)散層與信號(hào)線的步驟；

剝離光刻膠，剝離氮化膜，剝離氧化膜，沉積氧化膜，進(jìn)行平坦化，進(jìn)行回蝕，形成柵極絕緣膜，沉積多晶硅，進(jìn)行平坦化，進(jìn)行回蝕，形成柵極用的光刻膠，對(duì)多晶硅進(jìn)行蝕刻，形成柵極的步驟；

剝離光刻膠，注入磷，形成電荷蓄積部的步驟；

沉積氧化膜，進(jìn)行平坦化，進(jìn)行回蝕，剝離氮化膜，形成氧化膜，注入硼，進(jìn)行退火，形成p+型擴(kuò)散層的步驟；

剝離氧化膜，沉積透明導(dǎo)電膜，形成像素選擇線用的光刻膠，對(duì)透明導(dǎo)電膜進(jìn)行蝕刻，剝離光刻膠，形成像素選擇線的步驟；以及

形成表面保護(hù)膜的步驟。