[發明專利]氣密密封用蓋

有效

• 申請號: 200980115687.0
• 申請日: 2009-01-30
• 公開（公告）號: CN102017132A
• 公開（公告）日: 2011-04-13
• 發明（設計）人: 山本雅春;平純司
• 申請（專利權）人: 株式會社新王材料
• 主分類號: H01L23/02
• 分類號: H01L23/02
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳

技術領域

本發明涉及一種氣密密封用蓋，特別涉及一種在收納電子部件的電子部件收納用封裝中使用的氣密密封用蓋。

背景技術

以往，已知有在收納電子部件的電子部件收納用封裝中使用的氣密密封用蓋。這樣的氣密密封用蓋例如公開在日本特開平8-264675號公報中。

上述日本特開平8-264675號公報中公開了一種在收納半導體元件(電子部件)的封裝中使用的陶瓷制蓋子(氣密密封用蓋)。該陶瓷制蓋子為了確保規定的機械強度，以超過0.7mm的厚度形成。

另外，近年來，隨著要求薄型化的手機等中的內置電子部件的薄型化，也希望使收納電子部件的電子部件收納用封裝的氣密密封用蓋也薄型化。

然而，在上述日本特開平8-264675號公報中記載的陶瓷制蓋子(氣密密封用蓋)為了確保規定的機械強度，至少需要0.7mm的厚度，因此就存在不能使蓋子充分薄型化的問題。

發明內容

本發明就是為了解決上述那樣的課題而進行的發明，本發明的一個目的是提供一種可以更薄型化的氣密密封用蓋。

基于本發明的一個方面的氣密密封用蓋，在收納電子部件的電子部件封裝中使用，具備以Ti為主要成分的蓋本體部。

基于該一個方面的氣密密封用蓋中，如上所述，通過設置以Ti為主要成分的蓋本體部，Ti的機械強度比陶瓷的機械強度大，因此，與設置以陶瓷為主要成分的蓋本體部的情況相比，能夠減少蓋本體部的厚度。其結果能夠使氣密密封用蓋更加薄型化。此外，如果使用更加薄型化的氣密密封用蓋，就能夠使電子部件收納用封裝更加薄型化。

基于上述一個方面的氣密密封用蓋中，優選還具備以覆蓋蓋本體部的方式設置的非磁性的第1鍍層。若采用這樣的結構，由于以Ti為主要成分的蓋本體部以及以覆蓋蓋本體部的方式設置的第1鍍層雙方均為非磁性的，因此就能夠得到作為整體為非磁性的氣密密封用蓋。由此，對于磁傳感器等電子部件而言，也可以容易地使用本發明的非磁性氣密密封用蓋。

此時，優選第1鍍層是含有P的Ni系鍍層，Ni系鍍層中的P的含有率為8質量％以上、20質量以下。若采用這樣的結構，能夠容易地得到非磁性的第1鍍層。

在上述第1鍍層是含有P的Ni系鍍層的結構中，優選Ni系鍍層中的P的含有率為8質量％以上、15質量％以下。若采用這樣的結構，則在第1鍍層的表面上設有焊接層的時候，能夠確保焊接層良好的潤濕性。此時，Ni系鍍層中的P的含有率更優選為11質量％以上、13質量％以下。

在具備上述第1鍍層的結構中，優選第1鍍層的厚度在1μm以上、2μm以下。若這樣使用2μm以下的厚度小的第1鍍層，則既可以抑制氣密密封用蓋的厚度增大，也可以抑制對蓋本體部的腐蝕。

在具備上述第1鍍層的結構中，優選第1鍍層是無電解Ni系鍍層。若采用這樣的結構，則通過耐腐蝕性優良的無電解Ni系鍍層，能夠抑制對蓋本體部的腐蝕。

在上述第1鍍層是無電解Ni系鍍層的結構中，優選第1鍍層是無電解Ni-P鍍層。若采用這樣的結構，則可以得到耐腐蝕性優良的非磁性的第1鍍層，因此，既可以保持氣密密封用蓋整體的非磁性，也可以抑制對蓋本體部的腐蝕。

在具備上述第1鍍層的結構中，優選還具有設置在蓋本體部和第1鍍層之間的、用于增加密合性的第2鍍層。若采用這樣的結構，則能夠通過第2鍍層抑制第1鍍層從蓋本體部剝離。

在具備上述第2鍍層的結構中，優選第2鍍層是Ni系觸擊鍍層。若這樣使用Ni系觸擊鍍層作為第2鍍層，則可以容易地增加第1鍍層和蓋本體部的密合性，因此可以容易地抑制第1鍍層從蓋本體部剝離。

在具備上述第2鍍層的結構中，優選第2鍍層的厚度比第1鍍層的厚度小。若這樣使用厚度小的第2鍍層，則既可以抑制氣密密封用蓋的厚度增大，又可以抑制第1鍍層從蓋本體部剝離。

在上述第2鍍層的厚度比第1鍍層的厚度小的結構中，優選第2鍍層的厚度為0.01μm以上、0.3μm以下。若這樣以0.01μm以、0.3μm以下的小的厚度形成第2鍍層，則即使在第2鍍層具有磁性的情況下，氣密密封用蓋整體也能夠實質上不受第2鍍層的磁性的影響，因此，既可以保證氣密密封用蓋整體的非磁性，也可以通過第2鍍層抑制第1鍍層從蓋本體部剝離。

在具備上述第2鍍層的結構中，優選第2鍍層是電解Ni系觸擊鍍層。若這樣使用密合性優良的電解Ni系觸擊鍍層作為第2鍍層，則可以容易地抑制第1鍍層從蓋本體部剝離。