[發明專利]氣密密封用蓋

有效

• 申請號: 200980115687.0
• 申請日: 2009-01-30
• 公開（公告）號: CN102017132A
• 公開（公告）日: 2011-04-13
• 發明（設計）人: 山本雅春;平純司
• 申請（專利權）人: 株式會社新王材料
• 主分類號: H01L23/02
• 分類號: H01L23/02
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳

1.一種氣密密封用蓋(10)，其特征在于：

在收納電子部件(40)的電子部件收納用封裝(100)中使用，具備以Ti為主要成分的蓋本體部(1)。

2.如權利要求1所述的氣密密封用蓋，其特征在于：

還具備以覆蓋所述蓋本體部的方式設置的非磁性的第1鍍層(2)。

3.如權利要求2所述的氣密密封用蓋，其特征在于：

所述第1鍍層是含有P的Ni系鍍層，

所述Ni系鍍層中的P的含有率為8質量％以上、20質量％以下。

4.如權利要求3所述的氣密密封用蓋，其特征在于：

所述Ni系鍍層中的P的含有率為8質量％以上、15質量％以下。

5.如權利要求4所述的氣密密封用蓋，其特征在于：

所述Ni系鍍層中的P的含有率為11質量％以上、13質量％以下。

6.如權利要求2所述的氣密密封用蓋，其特征在于：

所述第1鍍層的厚度為1μm以上、2μm以下。

7.如權利要求2所述的氣密密封用蓋，其特征在于：

所述第1鍍層是無電解Ni系鍍層。

8.如權利要求7所述的氣密密封用蓋，其特征在于：

所述第1鍍層是無電解Ni-P鍍層。

9.如權利要求2所述的氣密密封用蓋，其特征在于：

還具備在所述蓋本體部和所述第1鍍層之間配置的、用于提高密合性的第2鍍層(3)。

10.如權利要求9所述的氣密密封用蓋，其特征在于：

所述第2鍍層是Ni系觸擊鍍層。

11.如權利要求9所述的氣密密封用蓋，其特征在于：

所述第2鍍層的厚度比所述第1鍍層的厚度小。

12.如權利要求11所述的氣密密封用蓋，其特征在于：

所述第2鍍層的厚度為0.01μm以上、0.3μm以下。

13.如權利要求9所述的氣密密封用蓋，其特征在于：

所述第2鍍層是電解Ni系觸擊鍍層。

14.如權利要求1所述的氣密密封用蓋，其特征在于：

其通過以Sn系合金為主要成分的焊接層(4)安裝在用于收納所述電子部件的電子部件收納構件(20)上。

15.如權利要求14所述的氣密密封用蓋，其特征在于：

在將所述氣密密封用蓋安裝在所述電子部件收納構件上之前，所述焊接層的厚度為65μm以上。

16.如權利要求15所述的氣密密封用蓋，其特征在于：

在將所述氣密密封用蓋安裝在所述電子部件收納構件上之前，所述焊接層的厚度為65μm以上、110μm以下。

17.如權利要求14所述的氣密密封用蓋，其特征在于：

所述以Sn系合金為主要成分的焊接層含有5質量％以上、10質量％以下的Sb。

18.如權利要求1所述的氣密密封用蓋，其特征在于：

其被安裝在用于收納所述電子部件的由陶瓷構成的電子部件收納構件上。