[發(fā)明專利]具有可編程邏輯單元的集成電路

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200980115674.3
• 申請日: 2009-05-01
• 公開（公告）號: CN102017416A
• 公開（公告）日: 2011-04-13
• 發(fā)明（設計）人: C·D·比特勒斯頓;K·W·S·李;E·A·阿莫拉塞克拉;A·巴特拉;S·林加姆
• 申請（專利權）人: 德克薩斯儀器股份有限公司
• 主分類號: H03K19/173
• 分類號: H03K19/173;H03K19/20
• 代理公司: 北京紀凱知識產權代理有限公司 11245
• 代理人: 趙蓉民

1.一種集成電路，包括：

至少一個可編程數(shù)字邏輯單元，其包括：

第一專用數(shù)字邏輯單元，所述第一專用數(shù)字邏輯單元包括多個晶體管，所述多個晶體管包括至少一個PMOS晶體管和至少一個NMOS晶體管，它們被配置為執(zhí)行至少一種數(shù)字邏輯功能，所述第一專用數(shù)字邏輯單元包括多個節(jié)點，所述多個節(jié)點包括至少一個輸入節(jié)點和反映所述數(shù)字邏輯功能的性能的至少一個輸出節(jié)點，以及

可編程調整電路，其包括至少一個調整輸入和至少一個調整電路輸出，以及

用于耦合或去耦的電路，其將所述調整輸入和所述調整電路輸出中的至少一個耦合或去耦于所述第一專用數(shù)字邏輯單元的所述多個節(jié)點中的至少一個，所述耦合或去耦改變所述可編程數(shù)字邏輯單元的處理速度。

2.根據(jù)權利要求1所述的集成電路，其中所述用于耦合或去耦的電路包括耦合于所述調整輸入的第一熔絲或耦合于所述調整電路輸出的第二熔絲。

3.根據(jù)權利要求1所述的集成電路，其中所述用于耦合或去耦的電路包括開關，所述開關用于將至少一個控制信號選擇性地發(fā)送到所述可編程調整電路，所述控制信號改變所述可編程數(shù)字邏輯單元的單元延遲。

4.根據(jù)權利要求1所述的集成電路，其中所述可編程調整電路包括相對于被配置為執(zhí)行所述數(shù)字邏輯功能的所述第一專用數(shù)字邏輯單元的至少一個匹配的數(shù)字邏輯單元，當所述用于耦合或去耦的電路將所述匹配的數(shù)字邏輯單元耦合于所述第一專用數(shù)字邏輯單元時，所述匹配的數(shù)字邏輯單元連接到所述專用數(shù)字邏輯單元。

5.根據(jù)權利要求4所述的集成電路，其中所述至少一個匹配的數(shù)字邏輯單元包括多個所述匹配的數(shù)字邏輯單元，其中所述多個所述匹配的數(shù)字邏輯單元的至少一部分與所述第一專用數(shù)字邏輯單元的驅動強度相比具有至少一個不同的驅動強度。

6.根據(jù)權利要求5所述的集成電路，其中所述多個所述匹配的數(shù)字邏輯單元提供多個不同水平的所述驅動強度。

7.根據(jù)權利要求5所述的集成電路，其中所述用于耦合或去耦的電路包括各自與所述多個所述匹配的數(shù)字邏輯單元的相應的數(shù)字邏輯單元關聯(lián)的多個開關，所述多個開關用于將至少一個控制信號選擇性地發(fā)送到所述可編程調整電路，所述控制信號改變所述可編程數(shù)字邏輯單元的所述處理速度。

8.根據(jù)權利要求7所述的集成電路，其中所述至少一個控制信號包括多個可訪問的控制信號，所述多個可訪問的控制信號共同提供所述多個所述匹配的數(shù)字邏輯單元的獨立控制。

9.根據(jù)權利要求1所述的集成電路，其中所述可編程調整電路包括電壓控制器，所述電壓控制器用于控制被提供到所述可編程數(shù)字邏輯電路的電壓的水平，所述電壓控制器被配置為控制所述第一專用數(shù)字邏輯單元的VDD或VSS、所述第一PMOS晶體管的背柵極電壓和所述第一NMOS晶體管的背柵極電壓中的至少一個。

10.根據(jù)權利要求1所述的集成電路，其中所述可編程調整電路包括多個額外的PMOS晶體管和多個額外的NMOS晶體管，并且所述用于耦合或去耦的電路將PMOS控制信號選擇性地耦合于所述第一PMOS晶體管和所述多個額外的PMOS晶體管中的至少一部分，并且將NMOS控制信號選擇性地耦合于所述第一NMOS晶體管和所述多個額外的NMOS晶體管中的至少一部分。

11.根據(jù)權利要求1所述的集成電路，其中所述可編程調整電路包括與所述第一PMOS晶體管的源漏路徑串聯(lián)的第二PMOS晶體管和與所述第一NMOS晶體管的源漏路徑串聯(lián)的第二NMOS晶體管。

12.一種用于校準包括至少一個可編程數(shù)字邏輯單元的集成電路的方法，所述可編程數(shù)字邏輯單元提供多個不同的可訪問的電路配置或包括電壓水平控制器，所述方法包括：

基于可以影響所述可編程數(shù)字邏輯單元的處理速度的至少一個電氣性能參數(shù)或可以影響所述電氣性能參數(shù)的至少一個參數(shù)，提供用于所述可編程數(shù)字邏輯單元的校準數(shù)據(jù)，以及

基于所述校準數(shù)據(jù)對所述可編程數(shù)字邏輯單元進行編程，以選擇所述多個不同的電路配置中的第一個或由所述電壓水平控制器輸出的電壓水平，其中所述編程改變所述可編程數(shù)字邏輯單元的所述處理速度。