[發明專利]組合的等離子體增強的沉積技術

有效

• 申請號: 200980115628.3
• 申請日: 2009-05-01
• 公開（公告）號: CN102017083A
• 公開（公告）日: 2011-04-13
• 發明（設計）人: 蘇尼爾·申科;托尼·江
• 申請（專利權）人: 分子間公司
• 主分類號: H01L21/205
• 分類號: H01L21/205
• 代理公司: 北京安信方達知識產權代理有限公司 11262
• 代理人: 李冬梅;鄭霞

1.一種方法，包括：

指定基底的多個區域；

向所述多個區域的至少第一個區域提供第一種前體；

向所述第一個區域提供第一種等離子體以在所述第一個區域上沉積使用所述第一種前體形成的第一種材料，其中所述第一種材料與在所述基底的第二個區域上形成的第二種材料不同。

2.如權利要求1所述的方法，還包括：

在所述第一個區域中提供所述第一種等離子體，而不在所述第二個區域中提供所述第一種等離子體。

3.如權利要求1所述的方法，其中提供所述第一種等離子體包括：

向所述第一個區域提供第一種氣體；

在提供所述第一種氣體的噴頭與支撐所述基底的基座之間產生等于或大于所述第一種氣體的擊穿電壓的電壓差，以點燃所述第一個區域中的所述第一種等離子體。

4.如權利要求1所述的方法，其中提供所述第一種等離子體包括從遠程等離子體源提供所述第一種等離子體。

5.如權利要求1所述的方法，其中提供所述第一種前體和提供所述第一種等離子體被順序地執行。

6.如權利要求1所述的方法，其中提供所述第一種前體和提供所述第一種等離子體大約同時被執行。

7.如權利要求1所述的方法，還包括向所述第二個區域提供第二種氣體。

8.如權利要求7所述的方法，還包括：

其中所述第一種氣體和所述第二種氣體從噴頭的第一個部分和第二個部分噴出；

其中所述基底置于與所述噴頭相對的基座上；以及

產生所述基座和所述噴頭之間的電壓差，以在所述第一個區域中提供所述第一種等離子體而在所述第二個區域中不提供所述第一種等離子體。

9.如權利要求8所述的方法，其中所述基座和所述噴頭之間的距離以及所述第一種氣體足以在所述第一個區域中提供所述第一種等離子體，且所述距離和所述第二種氣體不足以在所述第二個區域中提供所述第一種等離子體。

10.如權利要求1所述的方法，還包括將所述第一種等離子體從所述第一個區域移動到所述第二個區域。

11.如權利要求10所述的方法，其中移動所述第一種等離子體包括改變所述第一個區域中的第一種氣體混合以及改變所述第二個區域中的第二種氣體混合，以熄滅所述第一個區域中的所述第一種等離子體并點燃所述第二個區域中的所述第一種等離子體。

12.如權利要求1所述的方法，還包括向所述第二個區域提供與所述第一種前體不同的第二種前體。

13.如權利要求1所述的方法，還包括向所述第二個區域提供所述第一種前體。

14.如權利要求1所述的方法，其中所述多個區域中的每個區域具有大約相同的大小和大約相同的形狀。

15.如權利要求1所述的方法，其中流到所述多個區域中的每個區域中的總流量大約相等。

16.如權利要求15所述的方法，其中所述總流量在所述基底上軸對稱。

17.如權利要求1所述的方法，其中所述材料使用化學汽相沉積(CVD)和原子層沉積(ALD)中的一個被沉積。

18.如權利要求3所述的方法，還包括：

向所述第二個區域提供所述第一種氣體；

在所述基座和所述噴頭之間產生所述電壓差；

其中所述噴頭的對應于所述第一個區域的第一個部分和所述基底之間的第一距離足以導致所述擊穿電壓并點燃所述第一個區域中的所述第一種等離子體；以及

其中所述噴頭的對應于所述第二個區域的第二個部分和所述基底之間的第二距離不足以導致所述擊穿電壓和點燃所述第二個區域中的所述第一種等離子體。

19.如權利要求1所述的方法，還包括在所述第二個區域中提供與所述第一種等離子體不同的第二種等離子體。

20.如權利要求17所述的方法，其中提供所述第二種等離子體與提供所述第一種等離子體順序地發生。

21.如權利要求1所述的方法，還包括向所述多個區域中的每個區域提供所述第一種等離子體。