[發明專利]光刻設備、器件制造方法、清潔系統以及圖案形成裝置的清潔方法無效
| 申請號: | 200980114405.5 | 申請日: | 2009-04-16 |
| 公開(公告)號: | CN102016723A | 公開(公告)日: | 2011-04-13 |
| 發明(設計)人: | L·斯卡克卡巴拉茲;V·V·伊萬諾夫;K·N·克什烈夫;J·H·J·莫爾斯;L·H·J·斯蒂文斯;P·S·安提斯弗諾夫;V·M·克里夫特遜;L·A·多若克林;M·范卡朋 | 申請(專利權)人: | ASML荷蘭有限公司 |
| 主分類號: | G03F7/20 | 分類號: | G03F7/20 |
| 代理公司: | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人: | 王波波 |
| 地址: | 荷蘭維*** | 國省代碼: | 荷蘭;NL |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 光刻 設備 器件 制造 方法 清潔 系統 以及 圖案 形成 裝置 | ||
1.一種光刻設備,所述光刻設備包括:
照射系統,被配置以調節輻射束;
支撐結構,被配置以支撐圖案形成裝置,所述圖案形成裝置被配置以將圖案賦予所述輻射束;和
圖案形成裝置清潔系統,被配置以提供靜電力至位于所述圖案形成裝置上的且被所述輻射束施以電荷的污染物顆粒,用以從所述圖案形成裝置移除所述污染物顆粒。
2.根據權利要求1所述的光刻設備,其中所述污染物顆粒通過由所述輻射束引發的光電效應而被施以電荷。
3.根據權利要求1所述的光刻設備,被配置以使得所述輻射束通過鄰近所述圖案形成裝置的氣體以產生等離子體,且其中所述污染物顆粒被在所述等離子體的形成期間釋放的電子施以電荷。
4.根據權利要求1、2或3所述的光刻設備,其中所述圖案形成裝置清潔系統包括電壓源,所述電壓源被配置以在所述圖案形成裝置被所述支撐結構支撐時連接至所述圖案形成裝置,和被配置以提供電荷至所述圖案形成裝置,使得被所述輻射束施以電荷的污染物顆粒被從所述圖案形成裝置上靜電地排斥。
5.根據權利要求4所述的光刻設備,其中所述電壓源被配置成在所述光刻設備的操作期間在所述圖案形成裝置和地之間提供脈沖式電壓差,所述電壓差的脈沖被使得與入射到所述圖案形成裝置上的輻射束的脈沖同步。
6.根據權利要求4所述的光刻設備,其中所述電壓源被配置以在所述光刻設備的操作期間在所述圖案形成裝置和地之間提供恒定的電壓差。
7.根據權利要求5所述的光刻設備,其中所述電壓源被配置成在所述圖案形成裝置和地之間提供正電壓差和/或負電壓差。
8.根據權利要求5所述的光刻設備,還包括電壓源控制器,所述電壓源控制器被配置以基于所述光刻設備的操作條件來控制所述電壓源,以在所述圖案形成裝置和地之間提供正電壓差或負電壓差。
9.根據權利要求1、2或3所述的光刻設備,其中所述圖案形成裝置清潔系統包括清潔電極和連接至所述清潔電極的電壓源,所述電壓源被配置以提供電荷至所述清潔電極,使得被所述輻射束施以電荷的污染物顆粒被靜電吸引至所述清潔電極。
10.根據權利要求9所述的光刻設備,其中所述清潔電極被配置成使得在所述光刻設備的操作期間,所述清潔電極在緊鄰所述輻射束入射到所述圖案形成裝置上的區域的位置處鄰近所述圖案形成裝置設置。
11.根據權利要求10所述的光刻設備,被配置成使得在所述光刻設備的操作期間,所述圖案形成裝置被相對于所述輻射束移動使得所述輻射束入射到所述圖案形成裝置的不同區域上,其中所述清潔電極被配置成使得在所述圖案形成裝置相對于所述輻射束的移動期間,所述清潔電極相對于所述輻射束基本上是靜止的,使得它保持緊鄰于所述輻射束所入射到的區域。
12.根據權利要求9-11中任一項所述的光刻設備,其中所述清潔電極至少部分地被粘結劑涂覆,所述粘結劑被配置成使得被吸引至所述清潔電極的污染物顆粒附著至所述粘結劑。
13.根據權利要求9至12中任一項所述的光刻設備,其中所述電壓源被配置成在所述光刻設備的操作期間,在所述清潔電極同所述圖案形成裝置和/或地之間提供脈沖式的電壓差,所述電壓差的脈沖被設置成與入射到所述圖案形成裝置上的輻射束的脈沖同步。
14.根據權利要求9-12中任一項所述的光刻設備,其中所述電壓源被配置成在所述光刻設備的操作期間,在所述清潔電極同所述圖案形成裝置和/或地之間提供恒定的電壓差。
15.根據權利要求13所述的光刻設備,其中所述電壓源被配置成在所述清潔電極同所述圖案形成裝置和/或地之間提供正電壓差和/或負電壓差。
16.根據權利要求13所述的光刻設備,還包括電壓源控制器,所述電壓源控制器被配置以基于所述光刻設備的操作條件來控制所述電壓源,以在所述清潔電極同所述圖案形成裝置和/或地之間提供正電壓差或負電壓差。
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