[發(fā)明專利]聲表面波裝置和使用該裝置的通信裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200980114387.0 | 申請日: | 2009-04-24 |
| 公開(公告)號: | CN102017406A | 公開(公告)日: | 2011-04-13 |
| 發(fā)明(設計)人: | 奧道武宏;田中宏行 | 申請(專利權(quán))人: | 京瓷株式會社 |
| 主分類號: | H03H9/145 | 分類號: | H03H9/145;H03H9/64 |
| 代理公司: | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人: | 樊建中 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 表面波 裝置 使用 通信 | ||
技術領域
本發(fā)明涉及用于移動通信機器等的聲表面波裝置和使用該裝置的通信裝置。另外,以下有時將聲表面波(surface?acoustic?wave)簡寫為“SAW”。
背景技術
近年,應對利用無線通信進行數(shù)據(jù)收發(fā)的WLAN(Wireless?Local?Area?Network)等服務,用于移動通信的通信機器已被應用在更高的頻帶上。隨著該通信機器的高頻化,其使用的電子部件也越來越要求能在更高頻率下工作。
作為通信機器的主要部件,存在一種聲表面波裝置(SAW)。SAW裝置例如被用作構(gòu)成梯型聲表面波濾波器(SAW濾波器)的元件。該濾波器具有優(yōu)越的耐電性能,在以高頻工作的頻帶中,被用于天線分波器等。但是,現(xiàn)有的梯型SAW濾波器很難充分確保高頻工作的通信機器所要求的通帶附近的衰減特性、通帶的插入損失特性和通帶外的衰減量等電子特性。
因此,提出了一種SAW裝置,使用多重模式SAW濾波器,可以在高頻下工作,而且使通帶附近的衰減特性和通帶外的衰減量等電子特性提高。但是,使現(xiàn)有的多重模式SAW濾波器在高頻下工作,有可能會無法充分確保耐電性能。
圖9和圖10是表示現(xiàn)有的SAW裝置的主要部分的平面圖。所以,為充分確保耐電性能,提出了一種SAW裝置,如圖9所示,將構(gòu)成多重模式SAW濾波器的激勵形成在壓電基板上的SAW的IDT(Inter?Digital?Transducer)電極以串聯(lián)分割,使施加在IDT電極上的電力分割(例如,參照專利文獻1。)。
此外,作為另一個確保耐電性能的方法,還提出了一種SAW裝置,如圖10所示,將構(gòu)成多重模式SAW濾波器的多個聲表面波元件(SAW元件)并聯(lián)連接,使施加在SAW元件上的電力分散(例如,參照專利文獻2。)。
圖9和圖10所示的多重模式SAW濾波器通過在IDT電極相鄰的部分配置IDT電極的電極指間距(electrode?finger?pitch)較窄的窄間距部,實現(xiàn)了SAW裝置的低損耗化和寬帶化。在這種情況下,能量集中在電極指窄間距部時,應力就集中在電極指窄間距部。
因此,期待提供一種耐電性能優(yōu)越、可在高頻下工作的聲表面波裝置和通信裝置。
專利文獻1:特開2006-311180號公報
專利文獻2:特開2004-194269號公報
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個實施方式的SAW裝置是包括壓電基板、和配置在所述壓電基板上的多個聲表面波元件的聲表面波裝置。各聲表面波元件包括N個沿著聲表面波傳播方向排列的、具有串聯(lián)分割型構(gòu)造的IDT電極,其中N為大于等于3的整數(shù),所述各IDT電極包括:浮置電極,具有:中心母線;多個第1浮置電極指,一端與所述中心母線的一個長邊連接,彼此隔開間隔配置;和多個第2浮置電極指,一端與所述中心母線的另一個長邊連接,彼此隔開間隔排列,第1電極,具有多個電極指,該多個電極指被配置成處于所述多個第1浮置電極指之間;和第2電極,具有多個電極指,該多個電極指被配置成處于所述多個第2浮置電極指之間。
按照排列順序,設所述多個IDT電極中的連續(xù)順序排列的任意3個IDT電極為第1、第2、第3IDT電極,以所述中心母線的中心線為界,將所述聲表面波元件劃分為第1區(qū)域和第2區(qū)域,將所述第1區(qū)域作為配置所述第1浮置電極指和第1電極的區(qū)域,將所述第2區(qū)域作為配置所述第2浮置電極指和第2電極的區(qū)域,所述第1IDT電極與所述第2IDT電極的分界上的、且處于所述第1區(qū)域的第1電極指間距P1,等于所述第2IDT電極與所述第3IDT電極的分界上的、且處于所述第1區(qū)域的第2電極指間距P2,而且,所述第1、第2電極指間距P1、P2在所述第1區(qū)域的所述N個IDT電極的所有電極指間距之中最小,所述各IDT電極在所述第1區(qū)域中具有大于所述第1、第2電極指間距P1、P2的第3電極指間距P3。
此外,本發(fā)明的一個實施方式所涉及通信裝置具備:上述的SAW裝置;和接收電路與發(fā)送電路中的至少一個。
根據(jù)上述的SAW裝置,可以實現(xiàn)高頻下也具有充分耐電性能的SAW裝置。
此外,根據(jù)上述的通信裝置,通過具備:上述的SAW裝置;和接收電路與發(fā)送電路中的至少一個,能夠提供可靠性高的通信裝置。
附圖說明
圖1是表示本發(fā)明的SAW裝置的一個實施方式的平面圖。
圖2A是圖1所示的SAW裝置中的SAW元件的平面圖。
圖2B是表示圖2A所示的SAW元件在第1區(qū)域中的各串聯(lián)分割型IDT電極的電極指間距的曲線圖。
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