[發明專利]聲表面波裝置和使用該裝置的通信裝置

有效

• 申請號: 200980114387.0
• 申請日: 2009-04-24
• 公開（公告）號: CN102017406A
• 公開（公告）日: 2011-04-13
• 發明（設計）人: 奧道武宏;田中宏行
• 申請（專利權）人: 京瓷株式會社
• 主分類號: H03H9/145
• 分類號: H03H9/145;H03H9/64
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 樊建中

1.一種聲表面波裝置，包括壓電基板和配置在所述壓電基板上的多個聲表面波元件，其特征在于，

各聲表面波元件包括N個沿著聲表面波傳播方向排列的、具有串聯分割型構造的IDT電極，其中N為大于等于3的整數，

所述各IDT電極包括：

浮置電極，具有：中心母線；多個第1浮置電極指，一端與所述中心母線的一個長邊連接，彼此隔開間隔配置；和多個第2浮置電極指，一端與所述中心母線的另一個長邊連接，彼此隔開間隔排列；

第1電極，具有多個電極指，該多個電極指被配置成處于所述多個第1浮置電極指之間；和

第2電極，具有多個電極指，該多個電極指被配置成處于所述多個第2浮置電極指之間，

將所述多個IDT電極中的連續排列的任意3個IDT電極，按照排列順序設為第1、第2、第3IDT電極，

以所述中心母線的中心線為界，將所述聲表面波元件劃分為第1區域和第2區域，將所述第1區域作為配置所述第1浮置電極指和第1電極的區域，將所述第2區域作為配置所述第2浮置電極指和第2電極的區域時，

所述第1IDT電極與所述第2IDT電極的分界上的、且處于所述第1區域的第1電極指間距P1，等于所述第2IDT電極與所述第3IDT電極的分界上的、且處于所述第1區域的第2電極指間距P2，而且，所述第1、第2電極指間距P1、P2在所述第1區域的所述N個IDT電極的所有電極指間距之中最小，

所述各IDT電極在所述第1區域中具有大于所述第1、第2電極指間距P1、P2的第3電極指間距P3。

2.根據權利要求1所述的聲表面波裝置，其特征在于，

所述第1IDT電極與所述第2IDT電極的分界上的、且處于所述第2區域的第4電極指間距P4，等于所述第1電極指間距P1，

所述第2IDT電極與所述第3IDT電極的分界上的、且處于所述第2區域的第5電極指間距P5，等于所述第2電極指間距P2，

所述第4、第5電極指間距P4、P5在所述第2區域的所述N個IDT電極的所有電極指間距之中最小，

所述各IDT電極在所述第2區域具有大于所述第4、第5電極指間距P4、P5的第6電極指間距P6。

3.根據權利要求1所述的聲表面波裝置，其特征在于，

所述浮置電極具有從所述中心母線向所述第1區域突出的第1偽電極指，對于該第1偽電極指，其前端比所述第1電極的電極指前端更靠近所述中心母線側。

4.根據權利要求4所述的聲表面波裝置，其特征在于，

所述浮置電極具有從所述中心母線向所述第2區域突出的第2偽電極指，對于該第2偽電極指，其前端比所述第2電極的電極指前端更靠近所述中心母線側。

5.根據權利要求1所述的聲表面波裝置，其特征在于，

所述多個聲表面波元件彼此并聯連接。

6.根據權利要求1所述的聲表面波裝置，其特征在于，

所述電極指以如下的方式配置，即：與所述第1電極指間距P1的兩側相鄰的電極指間距等于第1電極指間距P1，且與所述第2電極指間距P2的兩側相鄰的電極指間距等于第2電極指間距P2。

7.根據權利要求1所述的聲表面波裝置，其特征在于，

作為通過頻帶為2300MHz～2700MHz的頻率濾波器工作。

8.根據權利要求1所述的聲表面波裝置，其特征在于，

還具備聲表面波共振子和不平衡輸入輸出端子，

所述聲表面波共振子包括：IDT電極，沿著所述壓電基板上傳播的聲表面波的傳播方向具有多個電極指，該多個電極指在所述傳播方向的垂直方向上延伸；和反射器電極，配置在所述IDT電極的兩側，

所述聲表面波共振子連接在所述聲表面波元件與所述不平衡輸入輸出端子之間。

9.根據權利要求1所述的聲表面波裝置，其特征在于，

在所述聲表面波元件的兩側配置反射器電極，所述反射器電極具有多個在所述聲表面波傳播方向的垂直方向上延伸的電極指。

10.根據權利要求1所述的聲表面波裝置，其特征在于，

包括對所述多個聲表面波元件級聯連接的第2聲表面波元件。