[發明專利]用于測量半導體襯底傳送盒的污染的站和方法有效
| 申請號: | 200980113844.4 | 申請日: | 2009-04-16 |
| 公開(公告)號: | CN102007569A | 公開(公告)日: | 2011-04-06 |
| 發明(設計)人: | A·法夫爾;E·戈多;B·貝萊 | 申請(專利權)人: | 阿爾卡特朗訊公司 |
| 主分類號: | H01L21/00 | 分類號: | H01L21/00 |
| 代理公司: | 北京市中咨律師事務所 11247 | 代理人: | 楊曉光;于靜 |
| 地址: | 法國*** | 國省代碼: | 法國;FR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 測量 半導體 襯底 傳送 污染 方法 | ||
技術領域
本發明涉及用于傳送盒的微粒污染物測量站,所述傳送盒用于半導體襯底的運送和大氣保存,例如半導體晶圓(wafer)或光罩(reticle)。本發明還涉及相應的測量方法。
背景技術
傳送和保存盒建立了大氣壓下的有限空間,其與襯底傳送和使用環境隔開并且用于傳送和保存一個或多個襯底。
在半導體制造行業中,這些盒子被用來從一個設備向另一個設備傳送襯底,或者在兩個制造步驟之間保存襯底。
特別地在標準打開的FOUP(前開式晶圓盒,Front?Opening?UnifiedPod)或FOSB(前開門搬運盒,Front?Opening?Shipping?Box)或底部打開的SMIF(標準化機械式接口,Standard?Mechanical?Interface?pod)型晶圓傳送和保存盒與用于傳送和保存光罩的標準RSP(光罩傳送盒,ReticleSMIF?Pod)或MRP(多光罩傳送盒,Multiple?Reticule?SMIF?Pod)型的盒子之間進行了區分。
所述傳送盒是用例如聚碳酸酯的材料制成的,該材料在一些情況下會聚集污染物以及特別是有機的、氨基、或酸性污染物。
實際上,在制造半導體期間,傳送盒被操縱,這導致了污染微粒的形成,所述微粒留在傳送盒的壁上,這因而污染了傳送盒。
粘附在傳送盒壁上的微粒然后會變得松動,掉在保存于這些盒子的襯底上并且損壞它們。
這種污染會大大損壞襯底。因此有必要定期清潔盒子以使得它們能夠迅速地采取必要的凈化措施。
通過用液體(例如純凈水)清洗盒子來定期清潔它們因而是有計劃的。這種清潔步驟或者是直接在半導體襯底制造工廠中執行,或者是在專門清潔大氣傳送盒的公司中執行。
為了確定何時需要清洗盒子,已知一種微粒污染測量方法,該方法在于借助于液體微粒檢測器來測量沉積于傳送盒壁上的微粒數量。然而,這種方法的不利之處在于其在工業半導體制造過程中的實現是耗時且麻煩的。
此外,這種方法是不可再現的。實際上,所獲得的測量結果與實現它的專門公司直接相關的,其無法實現標準化檢查。
制造商因而更愿意送出傳送盒以定期清潔。
因此,一些沒有微粒的傳送盒也被清洗,這因而無益地降低了生產率,而被微粒污染的那些盒子繼續保存和/或傳送半導體襯底從而造成了襯底污染的可能風險。
制造商因而計劃經常進行預防性清潔從而不增加襯底的缺陷級別。
發明內容
本發明的目的因而是提出一種測量站和相應的方法,從而能夠借助于可直接在制造工廠的工業制造鏈過程中實現的實時測量來測量用于傳送和大氣保存半導體襯底的傳送盒的微粒污染級別。
為此,本發明涉及一種用于測量用于傳送和大氣保存半導體襯底的傳送盒的微粒污染的測量站,這種盒子包括能借助于可拆卸入口門被關閉的外殼,該站包括:
-接口,其能夠連至所述傳送盒外殼而不是所述門,該接口包括至少一個噴嘴,該噴嘴被安排在導管的一個活動端上,該導管從所述接口伸出以在與連至所述測量站的外殼內部的壁的一部分相垂直的方向中引導氣體射流,從而通過所述氣體射流對所述壁的沖擊而使得微粒從所述外殼分離,以及
-測量設備,其包括真空泵、微粒計量器和測量管道,該測量管道的入口通往所述外殼的內部而其出口連至該真空泵,所述測量管道此外還連至所述微粒計量器,從而創建連至所述測量站的所述傳送盒外殼的內部與所述微粒計量器之間的連通。
根據所述測量站的其他單一的或組合的特征:
-所述接口配備有多個墊片從而使得所述接口能夠與所述外殼相連同時留出間隙以使得泄漏流能夠在所述外殼內部與外部環境之間通過,
-所述墊片呈凸點的形狀,
-所述測量站包括圍繞所述接口的ISO3認證的清潔室型的大氣室,
-所述噴嘴被配置成噴射脈沖氣體射流,
-所述接口包括多個配備有微粒過濾器的噴嘴,
-所述測量站包括旨在阻止已過濾的氣體通過傳送盒外殼的塞子,
-所述測量站包括用于向清潔單元發送代表所述盒子外殼的清潔狀態的信號的處理單元。
本發明還涉及一種用于測量用于傳送和大氣保存半導體襯底的傳送盒的微粒污染的方法,包括:
-第一步驟,其中在與連至所述微粒污染測量站的盒子外殼的內壁的一部分相垂直的方向中引導氣體射流,如之前定義的那樣,從而借助于該氣體射流對所述壁的沖擊使得所述微粒從所述外殼分離,并且真空泵被啟動以產生從連至所述測量站的傳送盒外殼的內部流向所述微粒計量器的氣體,和
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





