[發明專利]用于測量半導體襯底傳送盒的污染的站和方法有效
| 申請號: | 200980113844.4 | 申請日: | 2009-04-16 |
| 公開(公告)號: | CN102007569A | 公開(公告)日: | 2011-04-06 |
| 發明(設計)人: | A·法夫爾;E·戈多;B·貝萊 | 申請(專利權)人: | 阿爾卡特朗訊公司 |
| 主分類號: | H01L21/00 | 分類號: | H01L21/00 |
| 代理公司: | 北京市中咨律師事務所 11247 | 代理人: | 楊曉光;于靜 |
| 地址: | 法國*** | 國省代碼: | 法國;FR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 測量 半導體 襯底 傳送 污染 方法 | ||
1.一種用于測量用于傳送和大氣保存半導體襯底的傳送盒的微粒污染的測量站,所述盒包括能夠借助于可拆卸入口門而關閉的外殼,所述站包括:
-接口,其能夠連至所述傳送盒的外殼而不是所述門,所述接口包括安排在導管的一個活動端上的至少一個噴嘴,所述導管從所述接口伸出以在與連至所述測量站的外殼的內部的壁的一部分相垂直的方向中引導氣體射流,從而借助于該氣體射流對所述壁的沖擊而使得微粒從所述外殼分離,和
-測量設備,其包括真空泵、微粒計量器和測量管道,該測量管道的入口通往所述外殼的內部并且其出口連至所述真空泵,所述測量管道還連至所述微粒計量器以創建在連至所述測量站的傳送盒的外殼的內部與所述微粒計量器之間的連通。
2.根據權利要求1所述的測量站,其中,所述接口配備有多個墊片以使得所述接口能夠連至所述外殼同時留出間隙以使得泄漏流能夠在所述外殼的內部與外部環境之間通過。
3.根據權利要求2所述的測量站,其特征在于,所述墊片具有凸點的形狀。
4.根據權利要求1所述的測量站,包括圍繞所述接口的ISO3認證的清潔室型的大氣室。
5.根據前述權利要求之一所述的測量站,其中,所述噴嘴被配置成噴射脈沖氣體射流。
6.根據前述權利要求之一所述的測量站,其中,所述接口包括配備有微粒過濾器的多個噴嘴。
7.根據前述權利要求之一所述的測量站,包括用于阻止已過濾氣體通過所述傳送盒的外殼的塞子。
8.根據前述權利要求之一所述的測量站,包括用于向清潔單元發送代表所述盒的外殼的清潔狀態的信號的處理單元。
9.一種用于測量用于傳送和大氣保存半導體襯底的傳送盒的微粒污染的方法,包括:
-第一步驟,其中,與連至所述微粒污染測量站的盒子的外殼的內部的壁的一部分相垂直地引導氣體射流,如前述權利要求之一所限定的那樣,從而借助于所述氣體射流對所述壁的沖擊而使得所述微粒從所述外殼分離,并且所述真空泵被啟動以產生從連至所述測量站的傳送盒的外殼的內部向所述微粒計量器排出的氣體,和
-第二步驟,其中,利用所述微粒計量器測量微粒的數量,并且將所述測量的結果與預定閾值相比較以基于比較結果來確定是否需要進行液體清潔步驟。
10.根據權利要求9所述的測量方法,其中,在所述測量方法的第一步驟中以不連續的方式噴射氣體射流。
11.根據權利要求9所述的測量方法,其中,
-在所述第一步驟期間,對著所述壁噴射所述氣體射流,
-然后,在所述第二步驟期間,停止噴射以測量微粒的數量并且垂直于新的壁區域而放置所述噴嘴,和
-所述第一和第二步驟重復進行以基于比較結果來確定是否需要進行液體清潔步驟。
12.根據權利要求9至13之一所述的測量方法,其中,噴射流大于泵浦流。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





