[發明專利]光學活性的羥腈化合物的制造方法有效
| 申請號: | 200980112978.4 | 申請日: | 2009-04-03 |
| 公開(公告)號: | CN102007095A | 公開(公告)日: | 2011-04-06 |
| 發明(設計)人: | 中澤公一 | 申請(專利權)人: | 住友化學株式會社 |
| 主分類號: | C07C253/08 | 分類號: | C07C253/08;C07C255/36;C07B53/00;C07B61/00;C07D413/04 |
| 代理公司: | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人: | 朱丹 |
| 地址: | 日本國*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 光學 活性 羥腈 化合物 制造 方法 | ||
技術領域
本發明涉及光學活性的羥腈化合物的制造方法。
背景技術
在美國專利第4503071號公報中,公開了將光學活性的間苯氧基扁桃腈作為農業用殺菌劑的制造中間體來使用的技術。
光學活性的間苯氧基扁桃腈為光學活性的羥腈化合物之一,作為光學活性的羥腈化合物的制造方法,已知有在光學活性氧釩基(vanadyl)催化劑的存在下使醛與氰化氫發生反應的方法(參照日本特表2004-533490號公報)。另一方面,還已知有使氯化鋁和光學活性的雙噁唑基吡啶化合物發生反應而得到不對稱絡合物,在該不對稱絡合物的存在下使醛化合物和三甲基甲硅烷基氰化物發生反應來制造光學活性的羥腈化合物的O-甲硅烷基醚的方法(參照Tetrahedron:Asymmetry,Vol.8,P.1279(1997))。
發明內容
本發明提供以下技術:
<1>式(3)所示的光學活性的羥腈化合物的制造方法,其特征在于,在使式(1)所示的光學活性的吡啶化合物和鹵化鋁發生反應而得到的不對稱絡合物和甲硅烷基化合物的存在下,使式(2)所示的醛化合物與氰化氫發生反應;
(式中,R1和R2相互獨立,表示氫原子、碳原子數1~6的烷基、碳原子數6~10的芳基或碳原子數7~11的芳烷基。其中,R1和R2不相同。)
(式中,Q1和Q2相互獨立,表示氫原子、可以具有取代基的碳原子數1~6的烷基、可以具有取代基的碳原子數1~4的烷氧基、碳原子數2~8的酰氧基、可以具有取代基的碳原子數1~4的烷基磺酰氧基、可以具有取代基的苯磺酰氧基、碳原子數1~10的三烷基甲硅烷基氧基或可以具有取代基的碳原子數6~10的芳氧基。)
(式中,Q1和Q2表示的意義與上述相同,*表示該碳原子是光學活性中心。)
<2>根據<1>所述的制造方法,其中,甲硅烷基化合物為氰化三烷基甲硅烷基化合物;
<3>根據<1>所述的制造方法,其中,甲硅烷基化合物為氰化三甲基硅烷(trimethylsilyl?cyanide);
<4>根據<1>~<3>中的任一項所述的制造方法,其中,鹵化鋁為氯化鋁;
<5>根據<1>~<4>中的任一項所述的制造方法,其中,R1和R2中的任一方為氫原子,另一方為碳原子數1~6的烷基、碳原子數6~10的芳基或碳原子數7~11的芳烷基;
<6>根據<1>~<4>中的任一項所述的制造方法,其中,R1和R2中的任一方為氫原子,另一方為碳原子數1~6的烷基或碳原子數6~10的芳基;
<7>根據<1>~<6>中的任一項所述的制造方法,其中,Q1為氫原子,Q2為可以具有取代基的碳原子數1~6的烷基、可以具有取代基的碳原子數1~4的烷氧基、碳原子數2~8的酰氧基、可以具有取代基的碳原子數1~4的烷基磺酰氧基、可以具有取代基的苯磺酰氧基、碳原子數1~10的三烷基甲硅烷基氧基或可以具有取代基的碳原子數6~10的芳氧基;
<8>根據<1>~<6>中的任一項所述的制造方法,其中,Q1為氫原子,Q2為可以具有取代基的碳原子數1~6的烷基或可以具有取代基的碳原子數6~10的芳氧基;
<9>根據<1>~<8>中的任一項所述的制造方法,其中,不對稱絡合物的使用量,以鋁原子換算計,相對于式(2)所示的醛化合物1摩爾為0.005~1摩爾;
<10>根據<1>~<9>中的任一項所述的制造方法,其中,甲硅烷基化合物的使用量相對于式(2)所示的醛化合物1摩爾為0.01~0.5摩爾;
<11>根據<1>~<10>中的任一項所述的制造方法,氰化氫的使用量相對于式(2)所示的醛化合物1摩爾為1.1~3摩爾。
具體實施方式
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