[發明專利]光學活性的羥腈化合物的制造方法

有效

• 申請號: 200980112978.4
• 申請日: 2009-04-03
• 公開（公告）號: CN102007095A
• 公開（公告）日: 2011-04-06
• 發明（設計）人: 中澤公一
• 申請（專利權）人: 住友化學株式會社
• 主分類號: C07C253/08
• 分類號: C07C253/08;C07C255/36;C07B53/00;C07B61/00;C07D413/04
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 朱丹

1.一種式(3)所示的光學活性的羥腈化合物的制造方法，其特征在于，在使式(1)所示的光學活性的吡啶化合物和鹵化鋁發生反應而得到的不對稱絡合物和甲硅烷基化合物的存在下，使式(2)所示的醛化合物與氰化氫發生反應，

式中，R¹和R²相互獨立，表示氫原子、碳原子數1～6的烷基、碳原子數6～10的芳基或碳原子數7～11的芳烷基，其中，R¹和R²不相同，

式中，Q¹和Q²相互獨立，表示氫原子、可以具有取代基的碳原子數1～6的烷基、可以具有取代基的碳原子數1～4的烷氧基、碳原子數2～8的酰氧基、可以具有取代基的碳原子數1～4的烷基磺酰氧基、可以具有取代基的苯磺酰氧基、碳原子數1～10的三烷基甲硅烷基氧基或者可以具有取代基的碳原子數6～10的芳氧基，

式中，Q¹和Q²表示的意義與上述相同，*表示該碳原子是光學活性中心。

2.根據權利要求1所述的制造方法，其中，所述甲硅烷基化合物為氰化三烷基甲硅烷基化合物。

3.根據權利要求1所述的制造方法，其中，所述甲硅烷基化合物為氰化三甲基硅烷。

4.根據權利要求1所述的制造方法，其中，所述鹵化鋁為氯化鋁。

5.根據權利要求1所述的制造方法，其中，R¹和R²中的任一方為氫原子，另一方為碳原子數1～6的烷基、碳原子數6～10的芳基或碳原子數7～11的芳烷基。

6.根據權利要求1所述的制造方法，其中，R¹和R²中的任一方為氫原子，另一方為碳原子數1～6的烷基或碳原子數6～10的芳基。

7.根據權利要求1所述的制造方法，其中，Q¹為氫原子，Q²為可以具有取代基的碳原子數1～6的烷基、可以具有取代基的碳原子數1～4的烷氧基、碳原子數2～8的酰氧基、可以具有取代基的碳原子數1～4的烷基磺酰氧基、可以具有取代基的苯磺酰氧基、碳原子數1～10的三烷基甲硅烷基氧基或可以具有取代基的碳原子數6～10的芳氧基。

8.根據權利要求1所述的制造方法，其中，Q¹為氫原子，Q²為可以具有取代基的碳原子數1～6的烷基或可以具有取代基的碳原子數6～10的芳氧基。

9.根據權利要求1所述的制造方法，其中，不對稱絡合物的使用量，以鋁原子換算計，相對于式(2)所示的醛化合物1摩爾為0.005～1摩爾。

10.根據權利要求1所述的制造方法，其中，甲硅烷基化合物的使用量，相對于式(2)所示的醛化合物1摩爾為0.01～0.5摩爾。

11.根據權利要求1所述的制造方法，氰化氫的使用量相對于式(2)所示的醛化合物1摩爾為1.1～3摩爾。