[發明專利]為小直徑、高密度晶片貫通孔裸片堆疊形成對準/對心導引件的方法

有效

• 申請號: 200980112774.0
• 申請日: 2009-03-17
• 公開（公告）號: CN101999168A
• 公開（公告）日: 2011-03-30
• 發明（設計）人: 戴維·普拉特
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: H01L23/544
• 分類號: H01L23/544;H01L25/065;H01L21/98;H01L21/60;H01L29/06;H01L23/48
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 宋獻濤

1.一種形成裸片堆疊的方法，其包含：

在第一裸片中形成多個晶片貫通孔；以及

在第一裸片中形成一個或一個以上對準特征。

2.根據權利要求1所述的方法，其包含在第二裸片中形成一個或一個以上對準特征。

3.根據權利要求1所述的方法，其包含將所述第二裸片堆疊在所述第一裸片上。

4.根據權利要求1所述的方法，其中所述對準特征包含多個開口。

5.根據權利要求1所述的方法，其中所述多個開口延伸至少與所述多個晶片貫通孔離所述裸片的表面一樣遠的距離。

6.根據權利要求1所述的方法，其中所述對準特征包含從所述裸片延伸的多個突起。

7.根據權利要求1所述的方法，其中形成所述一個或一個以上對準特征包含通過光刻、立體平版印刷、濕式蝕刻、干式蝕刻、鈍化或其組合來形成所述對準特征。

8.根據權利要求1所述的方法，其包含拾取所述第一裸片和將所述第一裸片放置到所述第二裸片上，使得所述第一裸片的所述對準特征嚙合所述第二裸片的所述對準特征。

9.根據權利要求1所述的方法，其包含將所述裸片堆疊放置在固化爐中。

10.一種制造裸片堆疊的方法，其包含：

在第一裸片上形成多個晶片貫通孔；

在第一裸片上形成多個凹座；以及

在第二裸片上形成多個突起，其中所述多個突起經配置以嚙合所述多個凹座，以

使所述第二裸片的多個接合襯墊與所述第一裸片的所述多個晶片貫通孔對準。

11.根據權利要求9所述的方法，其包含將所述第一裸片堆疊到所述第二裸片上，使得所述多個凹座嚙合所述多個突起。

12.根據權利要求9所述的方法，其包含將所述第二裸片堆疊到所述第一裸片上，使得所述多個突起嚙合所述多個凹座。

13.根據權利要求9所述的方法，其中在第一裸片上形成所述多個凹座包含在安置于第一天上的層中形成多個凹座。

14.根據權利要求12所述的方法，其中所述層包含鈍化層。

15.一種制造半導體裝置的方法，其包含：

在晶片中形成多個對準特征；

將所述晶片切割成多個裸片，使得每一裸片包含所述多個對準特征中的一者或一者以上；

在所述多個裸片中的第一裸片中形成多個晶片貫通孔。

16.根據權利要求15所述的方法，其中形成多個對準特征包含在所述晶片的多個裸片街處形成所述多個對準特征。

17.一種裸片堆疊，其包含：

第一裸片，其具有第一多個對準特征和多個晶片貫通孔；以及

第二裸片，其具有第二多個對準特征和多個接合襯墊，其中所述第二裸片的所述第二多個對準特征經配置以嚙合所述第一裸片的所述第一多個對準特征，使得所述第二裸片的所述多個接合襯墊與所述第一裸片的所述多個晶片貫通孔對準。

18.根據權利要求9所述的裸片堆疊，其中所述第二裸片的所述多個接合襯墊經配置以嚙合所述第一裸片的所述多個晶片貫通孔。

19.根據權利要求15所述的裸片堆疊，其中所述第一多個對準特征包含多個凹座。

20.根據權利要求17所述的裸片堆疊，其中所述第二多個對準特征包含從所述裸片的表面延伸的多個突起。

21.根據權利要求15所述的裸片堆疊，其中所述第一多個對準特征和所述第二多個對準特征包含多個突起。

22.一種系統，其包含：

電子裝置，其包含：

處理器；

一個或一個以上半導體裝置，其中所述一個或一個以上半導體裝置包含裸片堆疊，其中所述裸片堆疊包含第一裸片，其具有第一多個對準特征和晶片貫通孔。

23.根據權利要求21所述的系統，其中根據權利要求21所述的裸片堆疊，其中所述裸片堆疊包含第二裸片，其具有第二多個對準特征。

24.一種裸片堆疊，其包含：

第一裸片，其具有第一多個突起和多個晶片貫通孔；以及

第二裸片，其具有第二多個突起，其中所述第二多個突起經配置以嚙合所述第一多個突起。