[發(fā)明專利]涂覆方法、工件或工具及其用途無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200980111387.5 | 申請(qǐng)日: | 2009-04-07 |
| 公開(公告)號(hào): | CN101981222A | 公開(公告)日: | 2011-02-23 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | R·塔博斯基;M·阿德特 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 鈷碳化鎢硬質(zhì)合金公司 |
| 主分類號(hào): | C23C14/00 | 分類號(hào): | C23C14/00;C23C14/06;C23C14/34;C23C14/54;C23C30/00 |
| 代理公司: | 中國(guó)國(guó)際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所 11038 | 代理人: | 李帆 |
| 地址: | 美國(guó)賓*** | 國(guó)省代碼: | 美國(guó);US |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說(shuō)明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 方法 工件 工具 及其 用途 | ||
本發(fā)明涉及通過(guò)DC濺射法用至少一個(gè)Ti1-xAlxN層來(lái)涂覆基片的一種方法,該基片是由燒結(jié)碳化物、金屬陶瓷、鋼、或陶瓷構(gòu)成。本發(fā)明進(jìn)一步涉及一種已經(jīng)通過(guò)上述方法被涂覆的工件或工具并涉及其用途。
目前為機(jī)加工金屬而生產(chǎn)的大多數(shù)燒結(jié)碳化物切削元件是被涂覆的,以使得切削鑲片更硬和/或更耐磨。來(lái)自體系Ti-Al-N-C的硬質(zhì)材料被選擇例如作為該涂層。除CVD方法之外,PVD方法也被用于這種涂覆。
一種特別的PVD法是被稱為電弧PVD的方法。借助于一個(gè)觸發(fā)器,在一個(gè)陽(yáng)極(例如一個(gè)室壁)與一個(gè)陰極(由(金屬的)涂覆材料組成)之間觸發(fā)電弧。這在陰極產(chǎn)生了如此高的溫度使得該材料局部熔化并蒸發(fā)。由此該電弧移動(dòng)穿過(guò)該陰極。該電弧中,這些蒸發(fā)的粒子幾乎被完全電離。通過(guò)這種電弧-PVD法,有可能來(lái)例如生產(chǎn)具有有利的(200)織構(gòu)的TiAlN層。
用于使該涂覆材料蒸發(fā)的另一種PVD法,例如像在DE?10?2005?021?927A1中概括地描述的,是被稱為濺射(陰極濺射)的方法。在這種情況下,用高能離子對(duì)由涂覆材料組成的靶材進(jìn)行轟擊,因而原子從固體本體中分離出并且轉(zhuǎn)變?yōu)闅庀唷Mㄟ^(guò)濺射,可以產(chǎn)生出色的表面品質(zhì),特別是具有低粗糙度的表面。
一個(gè)特別的濺射法是高功率脈沖磁控濺射(HIPIMS),它通過(guò)以一種脈沖的方式來(lái)將電源供給充當(dāng)陰極的靶材而著名(這方面參見(jiàn)DE?10?2006?017382A1、US?6,296,742)。在這種情況下提供的功率密度是如此之高以至于所發(fā)生的輝光放電已經(jīng)具有電弧放電的特征。在HIPIMS的情況下,使用了非常高的電壓。因?yàn)樵摪胁谋挥米麝帢O,所以這種方法涉及增強(qiáng)的再濺射效應(yīng),這導(dǎo)致了低的沉積速率。這伴隨的情況是生長(zhǎng)速度是較低的。
在EP?10?17870?B1,披露了具有保護(hù)層系統(tǒng)的一種工具。該工具具有一個(gè)MeX涂層,其中Me包括鈦和鋁并且X是氮或碳中的至少一種。(200)面與(111)面的衍射強(qiáng)度之比Q1大于1。對(duì)于該層之中的壓縮應(yīng)力σ,1GPa≤σ≤6Gpa。選擇電弧氣相沉積或通過(guò)反應(yīng)濺射的氣相沉積作為涂覆方法。
本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種方法,通過(guò)該方法有可能生產(chǎn)結(jié)合了濺射法與電弧法的優(yōu)點(diǎn)的涂層,即,使之有可能獲得具有低粗糙度以及有利的(200)織構(gòu)的一種涂層。
本發(fā)明的另一個(gè)目的是提供一種工件,該工件具有一個(gè)具備上述特性的涂層。
本發(fā)明的另一個(gè)目的是使用特別適合于對(duì)金屬進(jìn)行機(jī)加工的多種工具。
這些目的通過(guò)權(quán)利要求1中所述的方法、權(quán)利要求6所述的硬質(zhì)材料涂覆的工件、并且通過(guò)權(quán)利要求9中所述的它的用途而得以實(shí)現(xiàn)。
在如權(quán)利要求1所述的方法的情況下,使用多種電離助劑來(lái)增大等離子體密度。
根據(jù)本發(fā)明的方法的一個(gè)有利的實(shí)施方案提供,該等離子體密度通過(guò)空心陰極效應(yīng)而增大。該空心陰極效應(yīng)可以在輝光放電的過(guò)程中在某些先決條件下觀察到。在輝光放電的過(guò)程中,在這些陰極的表面上形成了被稱為陰極壓降或輝光接縫的區(qū)域。若將鄰近的陰極表面帶到一起如此近因而這些區(qū)域重疊,則等離子體的準(zhǔn)中性被克服并且發(fā)生流過(guò)這些表面的氣體的大的電離作用。根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)改進(jìn),使所有這些反應(yīng)氣體均通過(guò)一個(gè)空心陰極。優(yōu)選地,在根據(jù)本發(fā)明的DC濺射法的情況下,使該空心陰極放電永久地運(yùn)作。
該方法的另一個(gè)有利的改進(jìn)在于使用磁場(chǎng)來(lái)增大等離子體密度,這些磁場(chǎng)線優(yōu)選是與待涂覆的基片表面垂直的。洛侖茲力垂直于運(yùn)動(dòng)的方向作用在以速度v相對(duì)于磁場(chǎng)運(yùn)動(dòng)的帶電粒子上。在均勻磁場(chǎng)的情況下,這些粒子在圓形路徑上運(yùn)動(dòng),由此等離子體密度增大。
通過(guò)權(quán)利要求1所述的方法而生產(chǎn)的工件的一個(gè)有利的改進(jìn)在于,在該Ti1-xAlxN層中,0.5≤x≤0.7適用于x。
一個(gè)進(jìn)一步有利的改進(jìn)在于,該Ti1-xAlxN層的厚度是至多15μm、優(yōu)選至多10μm。
通過(guò)權(quán)利要求1所述的方法生產(chǎn)的權(quán)利要求4所述的工件特別好地適用于生產(chǎn)機(jī)加工、成型或沖孔工具,優(yōu)選是可分度鑲片、柄式工具,特別是鉆頭或銑刀,或磨損部件。
下面參考附圖解說(shuō)根據(jù)本發(fā)明的方法的有利的改進(jìn),其中:
圖1a和b示出了空心陰極效應(yīng)的發(fā)生,
圖1c示出了穿過(guò)該空心陰極的氣流,
圖2示出了由附加的磁場(chǎng)引起的等離子體密度的增大。
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C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過(guò)覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理
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