[發明專利]靶材、源、EUV光刻設備和使用該設備的器件制造方法有效
| 申請號： | 200980109474.7 | 申請日： | 2009-03-20 |
| 公開（公告）號： | CN101978791A | 公開（公告）日： | 2011-02-16 |
| 發明（設計）人： | V·M·克里夫特遜;V·Y·班尼恩;A·J·布里克;V·V·伊萬諾夫;K·N·克什烈夫;J·H·J·莫爾斯;S·丘里洛夫;D·格盧什科夫 | 申請（專利權）人： | ASML荷蘭有限公司 |
| 主分類號： | H05G2/00 | 分類號： | H05G2/00 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人： | 王波波 |
| 地址： | 荷蘭維*** | 國省代碼： | 荷蘭;NL |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 靶材 euv 光刻 設備 使用 器件 制造 方法 | ||
1.一種靶材，用于被構造且被布置以產生具有在極紫外范圍中的波長的輻射束的源中，所述靶材包括被配置以改變Gd的熔化溫度的基于Gd的合成物。
2.根據權利要求1所述的靶材，其中所述合成物被配置以降低Gd的熔化溫度。
3.根據權利要求2所述的靶材，其中所述合成物包括具有另外的元素的Gd的共晶合金。
4.根據權利要求3所述的靶材，其中所述另外的元素是從由Ag，Cu，Ni，Fe，Co，Mn，Al，Ga，Cd，Ru和Rh組成的組中選擇的。
5.根據權利要求3或4所述的靶材，其中所述共晶合金中的Gd原子重量百分比是在約60％至約90％的范圍內。
6.根據前述權利要求中任一項所述的靶材，其中所述靶材包括多個預先制造的固體滴。
7.一種輻射源，所述輻射源包括根據前述權利要求中的任一項所述的靶材。
8.一種光刻設備，所述光刻設備包括根據權利要求7所述的源。
9.一種靶材，所述靶材用于產生具有在極紫外范圍內的波長的輻射束，所述靶包括被配置成多個預先制造的固體滴的Gd。
10.根據權利要求9所述的靶材，其中所述靶材包括Gd、或Gd氧化物、或Gd共晶合金、或Gd鹽的膠體復合物。
11.根據權利要求10所述的靶材，其中所述鹽是水溶性的，所述固體滴包括所述Gd鹽的冷凍的水溶液。
12.一種輻射源，所述輻射源包括根據前述權利要求9-11中任一項所述的靶材。
13.一種光刻設備，所述光刻設備包括根據權利要求12所述的源。
14.一種靶材，所述靶材被用于被構造用于產生具有在極紫外范圍內的波長的輻射束的源中，所述靶材包括鋱。
15.根據權利要求14所述的靶材，其中鋱被設置在共晶合金中。
16.根據權利要求14或15所述的靶材，所述靶材被構造成多個固體滴。
17.一種輻射源，所述輻射源包括根據前述權利要求14、15或16中任一項所述的靶材。
18.一種光刻設備，所述光刻設備包括根據權利要求17所述的源。
19.一種器件制造方法，所述方法包括將圖案化的輻射束投影到襯底上，其中所述輻射通過使用包括鋱的靶材來產生。
20.一種輻射源，所述輻射源包括：基于Gd的合成物，所述基于Gd的合成物被配置以改變Gd的熔化溫度；和激光源，所述激光源被配置成將激光束傳遞至所述靶材，以產生輻射束。
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