[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置及半導(dǎo)體裝置的制造方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200980108716.0
• 申請日: 2009-03-18
• 公開（公告）號: CN101971307A
• 公開（公告）日: 2011-02-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 佐澤洋幸;西川直宏;栗田靖之;秦雅彥
• 申請（專利權(quán)）人: 住友化學(xué)株式會(huì)社
• 主分類號: H01L21/338
• 分類號: H01L21/338;H01L21/28;H01L29/423;H01L29/49;H01L29/778;H01L29/78;H01L29/812
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 朱丹

1.一種半導(dǎo)體裝置，具有，

3-5族化合物的半導(dǎo)體層、

3-5族化合物半導(dǎo)體的通道層、

設(shè)置在所述半導(dǎo)體層和所述通道層之間的、對所述通道層供給載流子的載流子供給層，以及，

在所述半導(dǎo)體層上設(shè)置的控制電極。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，

所述載流子供給層具有溝部，

所述半導(dǎo)體層，形成于所述溝部。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，

還具有覆蓋所述載流子供給層的具有與所述溝部的開口一致的開口部的鈍化層。

4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中的任一所述的半導(dǎo)體裝置，

所述半導(dǎo)體層，與所述載流子供給層晶格匹配或準(zhǔn)晶格匹配，有比所述載流子供給層大的晶格常數(shù)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，

所述半導(dǎo)體層，是顯示真性或與所述載流子的傳導(dǎo)型相同的半導(dǎo)體。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置，

所述半導(dǎo)體層含有氮。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置，

所述半導(dǎo)體層，是InGaN層、AlGaN層或GaN層。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置，

所述半導(dǎo)體層是

In_xGa_1-xN層，其中，0≤x≤0.2。

9.根據(jù)權(quán)利要求1至8中的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，

所述控制電極在其與所述半導(dǎo)體層之間，隔著絕緣層而形成。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述絕緣層是具有從SiO_x、SiN_x、SiAl_xO_yN_Z、HfO_x、HfAl_xO_y、HfSi_xO_y、HfN_xO_y，AlO_x、AlN_xO_y、GaO_x、GaO_xN_y及TaO_x、TiN_xO_y中選擇的至少一種絕緣性化合物的層。

11.根據(jù)權(quán)利要求1至10中的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，

所述載流子供給層與所述通道層晶格匹配或準(zhǔn)晶格匹配。

12.根據(jù)權(quán)利要求1至11中的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，

所述通道層，含有氮。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體裝置，

所述通道層，是GaN層，InGaN層或AlGaN層，

所述載流子供給層，是AlGaN層，AlInN層或AlN層。

14.根據(jù)權(quán)利要求1至13中的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，

所述控制電極，具有從Ni、Al、Mg、Sc、Ti、Mn、Ag、Sn、Pt及In選擇的至少1個(gè)金屬。

15.根據(jù)權(quán)利要求1至14中的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，

所述載流子是電子。

16.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，具有：

在向3-5族化合物半導(dǎo)體的通道層供給載流子的載流子供給層表面形成3-5族化合物的半導(dǎo)體層的步驟；以及

形成了所述半導(dǎo)體層之后，形成控制電極的步驟。

17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，

還具有在所述載流子供給層的表面形成溝部的步驟，

形成所述半導(dǎo)體層的步驟，是在所述載流子供給層的所述溝部形成所述半導(dǎo)體層的步驟。