[發明專利]半導體表面用處理劑組合物和使用該組合物的半導體表面的處理方法

有效

• 申請號: 200980108005.3
• 申請日: 2009-03-06
• 公開（公告）號: CN101960388A
• 公開（公告）日: 2011-01-26
• 發明（設計）人: 水田浩德;松田修
• 申請（專利權）人: 和光純藥工業株式會社
• 主分類號: G03F7/42
• 分類號: G03F7/42;H01L21/027;H01L21/304
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 丁香蘭;張志楠

技術領域

本發明涉及半導體表面用處理劑組合物和使用該組合物的半導體表面的處理方法。更詳細地說，本發明涉及如下的半導體表面用處理劑組合物和半導體表面的處理方法：所述半導體表面用處理劑組合物能夠將半導體元件等的制造工藝中的防反射膜層剝離，進一步地，其不僅能剝離防反射膜層，還能將防反射膜層上層的抗蝕劑層和蝕刻工序中產生的抗蝕劑固化層剝離；所述半導體表面的處理方法的特征在于使用上述組合物。

背景技術

現有技術中，例如IC、LSI等半導體元件如下制造：通過蒸鍍法等在硅晶片等基板上形成導電性金屬膜、絕緣層、低電介質層，在所形成的導電性金屬膜、絕緣層、低電介質層之上涂布用于抑制曝光時的光散射(亂射)的防反射膜層和抗蝕劑層，然后對其選擇性曝光、顯影，形成抗蝕劑圖案后，以該抗蝕劑圖案為掩模，選擇性地對導電性金屬膜、絕緣層、低電介質層、防反射膜層進行蝕刻，從而形成微細的電路，進而，利用灰化等對抗蝕劑層等進行灰化，由此將抗蝕劑層和防反射膜層剝離后，利用清洗(剝離)液等對灰化工序等中殘留的抗蝕劑層的殘渣和防反射膜層的殘渣進行處理，由此制造半導體元件。

另一方面，迄今已知各種抗蝕劑剝離劑(例如專利文獻1、專利文獻2等)，使用這些抗蝕劑剝離劑對上述蝕刻后的基板進行處理的情況下，對于原本就沒有涂布防反射膜層的基板是有效的，但對于涂布有防反射膜層的基板，則存在雖然能夠剝離抗蝕劑層但是難以剝離防反射膜層的問題，現在的狀況是，旨在同時剝離抗蝕劑層和防反射膜層這兩層時，要依賴于灰化等技術。但是，這些灰化等技術需要大型的設備，并且，在要求超微細的電路的現狀中，需要在灰化工序后將經灰化的抗蝕劑層的殘渣和防反射膜層的殘渣等清洗(剝離)，存在工序繁雜等問題。

在這樣的情況下，尋求一種基于簡單方法(例如，不需要上述那樣的大型裝置等)的防反射膜層的剝離方法，期待存在滿足這一要求的試劑，期待存在不僅能剝離防反射膜層還能剝離抗蝕劑層的試劑。

專利文獻1：日本特開2004-241414號公報

專利文獻2：日本特開2006-106616號公報

發明內容

本發明要解決的技術問題在于提供一種半導體表面用處理劑組合物和以使用該組合物為特征的半導體表面的處理方法，所述半導體表面用處理劑組合物能夠在低溫且短時間內容易地將半導體元件等的制造工藝中的防反射膜層剝離，并且，不僅能夠將防反射膜層及涂布于其上層的抗蝕劑層這兩層剝離，還能夠將蝕刻工序中產生的抗蝕劑固化層剝離。

本發明是半導體表面用處理劑組合物的發明，其特征在于，該組合物含有在水中產生氟離子的化合物、碳自由基產生劑和水。

并且，本發明是半導體表面的處理方法的發明，其特征在于，該方法使用含有在水中產生氟離子的化合物、碳自由基產生劑和水的半導體表面用處理劑組合物。

本發明的半導體表面用處理劑組合物能夠在短時間內將半導體元件等的制造工藝中的防反射膜層簡單地剝離，通過將在水中產生氟離子的化合物和碳自由基產生劑組合使用，能夠有效地剝離防反射膜層，并且，通過將碳自由基產生劑用作自由基產生源，能夠剝離防反射膜層而不會給例如半導體基板表面的銅布線和存在于防反射膜層的下層的Low-k膜等絕緣膜帶來不良影響。

并且，本發明的半導體表面的處理方法是用于在短時間內簡單地將防反射膜層剝離的有效方法，使用碳自由基產生劑作為自由基產生源時，如上所述，能夠容易地剝離防反射膜層而不會給例如半導體基板表面的銅布線和存在于防反射膜層的下層的Low-k膜等絕緣膜帶來不良影響。

具體實施方式