[發明專利]半導體表面用處理劑組合物和使用該組合物的半導體表面的處理方法

有效

• 申請號: 200980108005.3
• 申請日: 2009-03-06
• 公開（公告）號: CN101960388A
• 公開（公告）日: 2011-01-26
• 發明（設計）人: 水田浩德;松田修
• 申請（專利權）人: 和光純藥工業株式會社
• 主分類號: G03F7/42
• 分類號: G03F7/42;H01L21/027;H01L21/304
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 丁香蘭;張志楠

1.一種半導體表面用處理劑組合物，其特征在于，該組合物含有在水中產生氟離子的化合物、碳自由基產生劑和水。

2.如權利要求1所述的組合物，其特征在于，其進一步含有酸。

3.如權利要求1所述的組合物，其特征在于，其進一步含有有機溶劑。

4.如權利要求3所述的組合物，其特征在于，其進一步含有還原劑。

5.如權利要求4所述的組合物，其特征在于，其進一步含有表面活性劑。

6.如權利要求1所述的組合物，其中，所述半導體表面用處理劑是防反射膜層用剝離劑。

7.如權利要求1所述的組合物，其中，所述半導體表面用處理劑是BARC層用剝離劑。

8.如權利要求1所述的組合物，其中，所述在水中產生氟離子的化合物是氫氟酸與無機非金屬的堿形成的鹽。

9.如權利要求8所述的組合物，其中，所述氫氟酸與無機非金屬的堿形成的鹽為氟化銨。

10.如權利要求1所述的組合物，其中，所述碳自由基產生劑是受到波長為200nm～750nm的光照射而產生碳自由基的化合物。

11.如權利要求2所述的組合物，其中，所述酸是從脂肪族二羧酸或芳香族二羧酸以及脂肪族羥基羧酸或芳香族羥基羧酸中選出的至少一種。

12.如權利要求11所述的組合物，其中，所述脂肪族二羧酸或芳香族二羧酸以及脂肪族羥基羧酸或芳香族羥基羧酸是從草酸、丙二酸、琥珀酸、戊二酸、己二酸、庚二酸、馬來酸、富馬酸、蘋果酸、酒石酸、檸檬酸和鄰苯二甲酸中選出的至少一種。

13.如權利要求11所述的組合物，其中，所述脂肪族二羧酸或芳香族二羧酸以及脂肪族羥基羧酸或芳香族羥基羧酸是從草酸、蘋果酸、酒石酸和檸檬酸中選出的至少一種。

14.如權利要求3所述的組合物，其中，所述有機溶劑是從醇系、酯系、酰胺系或亞砜系的有機溶劑中選出的至少一種，選出的各有機溶劑本身的偶極矩為1.5～7.5debye，且選出的各有機溶劑本身的比重為0.7～1.2的范圍。

15.如權利要求3所述的組合物，其中，所述有機溶劑是從異丙醇、γ-丁內酯、N-甲基吡咯烷酮中選出的至少一種。

16.如權利要求4所述的組合物，其中，所述還原劑是從抗壞血酸和抗壞血酸酯中選出的至少一種。

17.如權利要求2所述的組合物，其中，所述半導體表面用處理劑為防反射膜層用剝離劑，該防反射膜層的下層為Low-k膜，所述組合物的pH為7以下。

18.如權利要求2所述的組合物，其中，所述半導體表面用處理劑為防反射膜層用剝離劑，該防反射膜層的下層為Low-k膜，所述組合物的pH為1～4的范圍。

19.如權利要求5所述的組合物，其中，所述在水中產生氟離子的化合物的重量％為0.01重量％～5重量％，所述碳自由基產生劑的重量％為0.05重量％～10重量％，所述水的重量％為0.02重量％～10重量％，所述酸的重量％為0.1重量％～5重量％，所述有機溶劑的重量％為80重量％～99重量％，所述還原劑的重量％為0.001重量％～5重量％，且所述表面活性劑的重量％為0.05重量％～5重量％。

20.如權利要求1所述的組合物，其中，其用于多層銅布線結構的半導體基板。

21.如權利要求3所述的組合物，其中，其用于多層銅布線結構的半導體基板。

22.一種半導體表面的處理方法，其特征在于，該方法使用權利要求1所述的組合物。