[發明專利]撓性基板用層疊體以及熱傳導性聚酰亞胺膜

有效

• 申請號: 200980107894.1
• 申請日: 2009-02-27
• 公開（公告）號: CN101960929A
• 公開（公告）日: 2011-01-26
• 發明（設計）人: 三瓶秀和;青柳榮次郎;王宏遠;竹內正彥;川里浩信
• 申請（專利權）人: 新日鐵化學株式會社
• 主分類號: H05K1/03
• 分類號: H05K1/03;B32B15/088;C08G73/10
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 賈成功

技術領域

本發明涉及具有熱傳導特性優異的絕緣層、適合使用于撓性電路基板的撓性基板用層疊體以及熱傳導性聚酰亞胺膜。

背景技術

近年來，對于以手機為代表的電子設備的小型化、輕量化的要求正在提高，隨之對設備的小型化、輕量化有利的撓性電路基板在電子技術領域中得到廣泛應用。而且，其中以聚酰亞胺樹脂作為絕緣層的撓性電路基板由于其耐熱性、耐化學性等良好而一直以來得到廣泛應用。由于最近的電子設備的小型化，電路的集成度提高，也隨著信息處理的高速化，設備內生成的熱的散熱手段受到人們注目。

于是，為了提供散熱性優異的撓性電路基板，關于構成絕緣層的聚酰亞胺膜，進行了使厚度方向的熱導率為0.1W/m以上的研究(專利文獻1)。另外，關于含有熱傳導性填料的熱傳導性聚酰亞胺膜，在專利文獻2中記載了在由硅氧烷二胺衍生的聚酰亞胺中分散有熱傳導性填料的聚酰亞胺膜復合材料。

但是，在要將這些聚酰亞胺膜層疊于銅箔等的導體層來形成撓性基板用層疊體的情況下，通常需要使用環氧系粘接劑、熱塑性樹脂作為粘接劑。該粘接層的介由不但成為阻礙在導體層所產生的熱的散熱的原因，而且引起作為撓性基板所要求的耐熱性、彎曲性等諸特性的降低。因此，期望提供具有導體層和絕緣層的實用的粘接強度、且抑制絕緣層的熱導率降低的撓性基板用層疊體、用于其的熱傳導性聚酰亞胺膜。

專利文獻1：特開2006-274040號公報

專利文獻2：特開2006-169533號公報

發明內容

發明要解決的課題

本發明目的在于提供具有熱導特性優異的絕緣層、具有導體層和絕緣層的實用的粘接強度，而且作為撓性配線基板所要求的耐熱性、耐彎曲性、尺寸穩定性良好的撓性基板用層疊體及熱傳導性聚酰亞胺膜。

用于解決課題的手段

本發明人等為了解決上述課題經過反復研究，結果發現，通過將多層的具有聚酰亞胺樹脂層的撓性基板用層疊體的聚酰亞胺樹脂層或構成熱傳導性聚酰亞胺膜的聚酰亞胺樹脂層的至少有1層作為特定的高熱傳導的聚酰亞胺樹脂層、進而設置其它的樹脂層，能解決上述課題，直至完成本發明。

即，本發明涉及一種撓性基板用層疊體，其特征在于，在聚酰亞胺樹脂層(A1)的單面或兩面具有金屬層、具有可撓性的層疊體中，該聚酰亞胺樹脂層(A1)有2層以上的不同的樹脂層，該樹脂層的至少有一層為在含有10～95mol％下述通式(1)表示的結構單元的聚酰亞胺樹脂中以30～75wt％范圍含有熱傳導性填料的聚酰亞胺樹脂層(i)，至少一層為比聚酰亞胺樹脂層(i)的玻璃化轉變溫度低的聚酰亞胺樹脂層(ii)。聚酰亞胺樹脂層(ii)的至少一層介于金屬層和聚酰亞胺樹脂層(i)之間，另外，聚酰亞胺樹脂層(i)的厚度為聚酰亞胺樹脂層(A1)的全部厚度的50％以上。

(式中，Ar₁為具有1個以上芳香環的4價的有機基團，R為碳數1～6的低級烷基、低級烷氧基、苯基、苯氧基或鹵素。)

另外，從其它的觀點的本發明，涉及熱傳導性聚酰亞胺膜，其特征在于，在含有具有可撓性的聚酰亞胺樹脂層(A2)的膜中，該聚酰亞胺樹脂層(A2)具有2層以上的不同的樹脂層、該樹脂層的至少一層為在含有10～95mol％下面通式(1)表示的結構單元的聚酰亞胺樹脂中以30～75wt％范圍含有熱傳導性填料的聚酰亞胺樹脂層(i)，至少一層為比聚酰亞胺樹脂層(i)的玻璃化轉變溫度低的聚酰亞胺樹脂層(ii)。聚酰亞胺樹脂層(i)的厚度為聚酰亞胺樹脂層(A2)的全部厚度的50％以上。

本發明的優選實施方式示于如下。

1)一種上述的撓性基板用層疊體或上述的熱傳導性聚酰亞胺膜，其中聚酰亞胺樹脂層(i)的厚度為聚酰亞胺樹脂層(全體)的厚度的70～95％。

2)上述的撓性基板用層疊體，其中，聚酰亞胺樹脂層(A1)的線膨脹系數在30ppm/K以下，熱導率在聚酰亞胺樹脂層的厚度方向λz為0.3W/mK以上，在平面方向λxy為0.7W/mK以上，聚酰亞胺樹脂層與金屬層的剝離強度為0.8kN/m以上。

3)上述的熱傳導性聚酰亞胺膜，其中，聚酰亞胺樹脂層(A2)的線膨脹系數為30ppm/K以下，熱導率在厚度方向λz為0.3W/mK以上，在平面方向λxy為0.7W/mK以上。

4)上述的撓性基板用層疊體或上述的熱傳導性聚酰亞胺膜，其中，聚酰亞胺樹脂層(A1)或(A2)的耐撕裂增生(引裂き伝播抵抗)在1.5～8kN/m。